Нагрузочная способность Таблица 5.1.

Параметр	Расчетные значения	Экспериментальные значения
I0н макс
I0вх
n0
I1н макс
I1вх
n1

44

Помехоустойчивость определяется на основании построенной ХВВ схемы. Для построения ХВВ вычисляется граничное значение «0» и «1» на входе схемы..

U⁰_гр определяется из выражения 2.29[4]. U¹_гр определяется из выражения 2.30[4].

Величина сигналов на выходе: U⁰_вых  U_кэн, U¹_вых  Е_П.

На основании построенной ХВВ вычисляются значения помехоустойчивости ΔU⁰_n, ΔU¹_n. Рассчитанные параметры заносятся в табл.5.2.

Помехоустойчивость Таблица 5.2.

Параметр	Расчетные значения	Экспериментальные значения
U0гр, В
U1гр, В
U0П, В
U1П, В

Быстродействие. Расчет величины быстродействия схемы сопряжен с громоздкими вычислениями, учитывающими динамические параметры транзистора и всех диодов. Поэтому в работе ограничиваемся экспериментальным замером динамических параметров выходного сигнала для двух случаев: при использовании антинасыщающих диодов (рис. 5.1) и без них и занесением их в табл 5.3.

Быстродействие Таблица 5.3.

Параметр	Экспериментальные значения
	R1=Rрасч		R1=0.5Rрасч
	Без антинас. диода	С диодом	Без антинас. диода	С диодом
t01, мкс
t10, мкс
tр, мкс
t01зр, мкс
t01зр, мкс

45

Рис. 5.1. Схема ключа второго типа с антинасыщающим диодом: а) на n-p-n транзисторе, б) на p-n-p транзисторе.

5.2. Порядок выполнения работы.

Аппаратура: осциллограф, стенд ИСЭЛ, приставка ФЛС.

Рассчитанную схему собирают на приставке, описание которой приведено в разделе 1.3.1, подключают к стенду ИСЭЛ, включают питание и проводят исследование схемы.

Совместно всей бригадой выполняются следующие пункты лабораторной работы:

1. Получить ХВВ (для ненагруженной схемы).

2. Получить входную характеристику I_вх = f(U_вх).

3. Получить выходные (нагрузочные) характеристики:

U⁰_вых = f(I_нагр); U¹_вых = f(I_нагр).

4. Снять осциллограмму импульсного сигнала на входе и выходе исследуемой схемы. Замерить динамические параметры сигнала t⁰¹, t¹⁰, t_p, t_зр⁰¹, t_зр¹⁰ на выходе ненагруженной схемы.

5. Получить зависимости динамических параметров сигнала на выходе схемы в зависимости от величины емкостной нагрузки.

46

6. Исследовать влияние антинасыщающих диодов в обратной связи на динамические параметры схемы для различных значений R1.

После выполнения бригадного задания каждый студент индивидуально выполняет УИРС.