
- •Лекція №1 Вступ.
- •Тема 1.1 Електрони в твердих тілах
- •Електроніка – це галузь науки і техніки, що вивчає:
- •Тема 1.2 Рух електронів в електричних та магнітних полях
- •Тема 1.3 Електронна емісія.
- •Тема 1.4 Електропровідність напівпровідників, основні їх властивості
- •Тема 1.4 Електропровідність напівпровідників, основні їх властивості
- •Тема 1.5 Електронно-дірковий перехід
- •Тема 1.5 Електронно-дірковий перехід ф ізичні основи роботи електронно-діркового переходу (р-п переходу)
- •Тема 1.6 Фотопровідність
- •Тема 2.2 Пасивні елементи електроніки
- •Лекція № 7
- •Тема 2.5 Напівпровідникові резистори. Будова, принцип дії, умовні позначення в схемах, маркіровка, області застосування
- •Тема 2.5 Напівпровідникові резистори. Будова, принцип дії, умовні позначення в схемах, маркіровка, області застосування
- •Лекція № 8
- •Тема 2.6 Напівпровідникові діоди
- •Лекція № 9
- •Тема 2.7 Біполярний транзистор
- •Тема 2.71 Побудова та принцип дії транзистора.
- •Тема 2.72 Основні схеми вмикання і статистичні характеристики, вах транзисторів Біполярні транзистори Побудова та принцип дії транзистора
- •А тепер подивимось, чи може транзистор виконувати роль пе?
- •Основні схеми вмикання і статичні характеристики біполярного транзистора
- •Основні режими роботи біполярного транзистора
- •Тема 2.75 Одноперехідний транзистор Одноперехідний транзистор
- •Лекція 11
- •Загальні відомості
- •Тема 2.81 Польові транзистори з керуючим р-п переходом
- •Лекція № 12
- •Тема 2.12 Триністори (керований діод) Будова, принцип дії, умовне позначення, маркування, вах, основні параметри
- •Тема 2.13 Спеціальні типи тиристорів (фототиристор, двоопераційний тиристор, оптронний тиристор, симістор)
- •Тема 2.14 Електростатичні тиристори
- •Тема 2.15 Запірний тиристор з мон – керуванням
- •Тема 2.16 Фотоелектронні прилади
- •Тема 2.17 Оптоелектронні прилади
- •Тема 2.18 Іонні прилади
- •17 Тема 4.1 Електронно-променеві трубки (епт).
- •Тема 4.3 Знакодруковані епт та матричні індикатори на епт
- •Буквено-цифрові індикатори
- •Тема 4.4 Літеро-цифрові індикатори
- •1. Введення
- •3. Пристрій, параметри і характеристики.
- •Характеристики кольорових люмінофорів для влі.
- •Тема 3.1 Інтегральні мікросхеми
- •Тема 3.2 Гібридні інтегральні мікросхеми (імс)
- •Гібридні імс
- •Лекція № 22
- •Тема 3.3 Напівпровідникові імс
- •Напівпровідникові імс
- •Тема 3.4 Великі імс
- •Призначення і параметри імс
- •Тема 3.5 Логічні елементи
- •Тема 3.6 Тригери
- •25 Розгляд специфічних умов застосування елементів електроніки та мікроелектроніки в автомобілях і тракторах
- •26 Перспективи розвитку елементної бази електроніки та мікроелектроніки
Тема 1.3 Електронна емісія.
Явище виходу вільних електронів за межі провідника називається емісією електронів (від латинського emissio — випускання).
Електричний струм в газі. В деяких електронних приладах балон заповнюється яким-небудь інерційним газом. При тиску газу у балоні від 0,1 Па и вище електрони взаємодіють при своєму русі з атомами чи молекулами газу, що за певних умов призводить до різкої зміни властивостей приладу. Такі прилади називають іонними. Сукупність цих явищ отримала назву електричного розряду в газі. Розглянемо лише деякі з них:
- Іонізація газу називається процес утворювання в нейтральному газі іонів додатно або негативно заряджених атомів. Поверхнева і об’ємна іонізація. Чинники під дією яких відбувається іонізація газу. Ударна іонізація. Інколи в газі можлива поява негативних іонів, вони виникають коли нейтральний атом поєднується з одним або більше електронами.
- Збудження атомів газу якщо на шляху вільного пробігу електрон не отримує енергії, достатньої для ударної іонізації, то при зіткненні з атомом відбувається збудження нейтрального атому – перехід електрона на більш високий енергетичний рівень.
- Поняття рекомбінації. Окрім іонізації і збудження атомів, в газі відбувається і зворотний процес утворювання нейтральних атомів: рекомбінація позитивних та негативних іонів між собою чи позитивних іонів та електронів, тобто повернення збуджених атомів в нормальний стан і розпад негативних іонів на нейтральні атоми і електрони. Де іонізація.
Поняття газовий розряд, самостійний газовий розряд, несамостійний газовий розряд.
Засоби надання електронам кінетичної енергії. Залежно від способу надання електронам кінетичної енергії, достатньої для виконання роботи виходу, розрізняють різні види електронної емісії: термоелектронна, фотоелектронна, електростатична та вторинна. Методи їх отримання, фізичні процеси, галузі застосування.
Залежно від способу надання електронам кінетичної енергії, достатньої для виконання роботи виходу, розрізняють:
термоелектронну емісію, спричинену нагріванням;
вторинну електронну, спричинену ударом первинних електронів по поверхні провідника;
фотоелектронну емісію, зумовлену дією випромінювання.
Катоди електровакуумних приладів. Визначення поняття катод. Його призначення. Катоди прямого та посереднього (непрямого, або підігрівні) накалу. Розподіл катодів на групи за родом емісійної поверхні. Основні поняття: катодний струм, максимальна густина катодного струму, ефективність катода, робоча температура катода, довговічність катода. Будова катодів та анодів та їх параметри, класифікація. Термокатоди з чистих металів, активовані катоди, напівпровідникові катоди. Порівняльна характеристика різних типів катодів. Порівняльна характеристика катодів за родом емісійної поверхні: металевих (або однорідні), напівпровідникові, складні (металлонапівпровідникові), розподіл їх на групи) та металокерамічні.
Лекція № 4
Тема 1.4 Електропровідність напівпровідників, основні їх властивості
Тема 1.4 Електропровідність напівпровідників, основні їх властивості
Тема 1.5 Електронно-дірковий перехід
Перед тим, як приступити до розгляду теми, задамося питанням: чому мова далі піде саме про напівпровідники? А це тому, що, як видно з опису розвитку електроніки, в наш час найбільші успіхи в цій галузі пов'язані із застосуванням пристроїв, виконаних на напівпровідникових приладах.
Напівпровідники (НП) належать до класу речовин, що мають тверду кристалічну структуру і за провідністю (104- 10-1 Сим/см) займають проміжне місце між провідниками (104 - 106 Сим/см) та діелектриками (1010 Сим/см та менше).
При виготовленні НП приладів частіше використовують кремній (Sі - має робочу температуру до 140 °С), германій (Се - найбільша робоча температура 75 °С), арсенід галію (GаАs - працює при температурах до 350-400 °С).
До НП також відносять селен, телур, деякі окисли, карбіди та сульфіди.
НП мають такі властивості:
1) негативний температурний коефіцієнт опору - із збільшенням температури їх опір зменшується (у провідників - зростає);
2) додання домішок призводить до зниження питомого опору (у провідників - до збільшення);
3) на електричну провідність впливають радіація, електромагнітне випромінювання.
Процеси електропровідності НП і діелектриків подібні, але суттєво відрізняються від електропровідності провідників.
Зазначимо, що електрони, розташовані на зовнішній орбіті атома речовини, мають назву валентних. Вони найслабкіше зв'язані з ядром і визначають фізичні та хімічні властивості речовини.
У провідників електрони, розташовані на зовнішній орбіті атома, слабко зв'язані з ядром і тому досить легко покидають свої атоми й хаотично переміщуються - стають вільними. Якщо до провідника прикласти зовнішнє електричне поле, виникне впорядкований рух електронів - електричний струм.
У НП усі валентні електрони міцно зчеплені з кристалічними ґратками завдяки так званому ковалентному зв'язку, про який Ви знаєте з хімії. Доки цей зв'язок існує, електрони не можуть переносити електричний заряд.
Механізм електропровідності НП розглянемо на прикладі кристалічних ґраток германію, що є елементом IV групи періодичної системи Менделєєва. Ґратки у
вигляді плоскісної структури зображено на рис.
Атоми германію розміщені у вузлах кристалічних ґраток, їх зв'язок з іншими атомами здійснюється за допомогою чотирьох валентних електронів. Подвійні лінії між вузлами вказують на ковалентний характер зв'язку, тобто кожна пара валентних електронів належить водночас двом сусіднім атомам. При температурі абсолютного нуля і при відсутності опромінення у НП відсутні рухомі носії і його електричний опір великий (нескінченний).
За звичайних умов, внаслідок дії на речовину теплової енергії, деякі з валентних електронів розривають ковалентні зв'язки - відбувається процес генерації пар носіїв: електронів і дірок. При цьому дірка має позитивний заряд.
Якщо
тепер помістити НП в електричне поле,
виникне спрямований рух зарядів -
електричний струм. На відміну від
провідників струм в НП забезпечується
носіями двох зарядів - позитивного © та
негативного
Провідність чистого НП має назву власної, сам же НП відносять до /-типу. Власна провідність звичайно невелика. Значно більшу провідність мають НП з домішками, до того ж її характер залежить від виду домішок.
Розглянемо приклад, коли у розплав чистого германію додається домішка п'ятивалентного елемента (V група таблиці Менделєєва), наприклад, арсену (Аз), як показано нарис. 1.2.
При застиганні у деяких вузлах кристалічних ґраток германію його атоми заміщуються атомами домішки. При цьому чотири валентних електрони домішки створюють систему ковалентних зв'язків з чотирма валентними електронами германію, а п'ятий електрон домішки виявляється надлишковим.
Д
омішка,
що віддає вільні електрони, називається
донорною. НП з переважаючою кількістю
вільних електронів має назву НП з
електронною провідністю, або НП
га-типу. Вільні електрони залишають у
вузлах кристалічних ґраток нерухомі
позитивно заряджені іони, що створюють
у кристалі позитивний об'ємний заряд.
Розглянемо введення у германій домішки з трьома валентними електронами (III група таблиці Менделєєва), наприклад, індію (Іп), як це показано на рис. 1.3.
Для утворення ковалентного зв'язку між Се та Іп одного електрона не вистачає. При дії теплоти навколишнього середовища електрони з верхнього рівня валентної зони переміщуються на рівень домішки, створюючи зв'язки, яких не вистачає, завдяки чому у валентній зоні утворюються рухомі дірки, а атоми домішки перетворюються у негативні іони. Така домішка називається акцепторною, а НП з переважною кількістю дірок - НП з дірковою провідністю, або р-типу. Переважаючі у НП рухомі носії заряду мають назву основних, решта -неосновних.