- •Лекція №1 Вступ.
- •Тема 1.1 Електрони в твердих тілах
- •Електроніка – це галузь науки і техніки, що вивчає:
- •Тема 1.2 Рух електронів в електричних та магнітних полях
- •Тема 1.3 Електронна емісія.
- •Тема 1.4 Електропровідність напівпровідників, основні їх властивості
- •Тема 1.4 Електропровідність напівпровідників, основні їх властивості
- •Тема 1.5 Електронно-дірковий перехід
- •Тема 1.5 Електронно-дірковий перехід ф ізичні основи роботи електронно-діркового переходу (р-п переходу)
- •Тема 1.6 Фотопровідність
- •Тема 2.2 Пасивні елементи електроніки
- •Лекція № 7
- •Тема 2.5 Напівпровідникові резистори. Будова, принцип дії, умовні позначення в схемах, маркіровка, області застосування
- •Тема 2.5 Напівпровідникові резистори. Будова, принцип дії, умовні позначення в схемах, маркіровка, області застосування
- •Лекція № 8
- •Тема 2.6 Напівпровідникові діоди
- •Лекція № 9
- •Тема 2.7 Біполярний транзистор
- •Тема 2.71 Побудова та принцип дії транзистора.
- •Тема 2.72 Основні схеми вмикання і статистичні характеристики, вах транзисторів Біполярні транзистори Побудова та принцип дії транзистора
- •А тепер подивимось, чи може транзистор виконувати роль пе?
- •Основні схеми вмикання і статичні характеристики біполярного транзистора
- •Основні режими роботи біполярного транзистора
- •Тема 2.75 Одноперехідний транзистор Одноперехідний транзистор
- •Лекція 11
- •Загальні відомості
- •Тема 2.81 Польові транзистори з керуючим р-п переходом
- •Лекція № 12
- •Тема 2.12 Триністори (керований діод) Будова, принцип дії, умовне позначення, маркування, вах, основні параметри
- •Тема 2.13 Спеціальні типи тиристорів (фототиристор, двоопераційний тиристор, оптронний тиристор, симістор)
- •Тема 2.14 Електростатичні тиристори
- •Тема 2.15 Запірний тиристор з мон – керуванням
- •Тема 2.16 Фотоелектронні прилади
- •Тема 2.17 Оптоелектронні прилади
- •Тема 2.18 Іонні прилади
- •17 Тема 4.1 Електронно-променеві трубки (епт).
- •Тема 4.3 Знакодруковані епт та матричні індикатори на епт
- •Буквено-цифрові індикатори
- •Тема 4.4 Літеро-цифрові індикатори
- •1. Введення
- •3. Пристрій, параметри і характеристики.
- •Характеристики кольорових люмінофорів для влі.
- •Тема 3.1 Інтегральні мікросхеми
- •Тема 3.2 Гібридні інтегральні мікросхеми (імс)
- •Гібридні імс
- •Лекція № 22
- •Тема 3.3 Напівпровідникові імс
- •Напівпровідникові імс
- •Тема 3.4 Великі імс
- •Призначення і параметри імс
- •Тема 3.5 Логічні елементи
- •Тема 3.6 Тригери
- •25 Розгляд специфічних умов застосування елементів електроніки та мікроелектроніки в автомобілях і тракторах
- •26 Перспективи розвитку елементної бази електроніки та мікроелектроніки
Основні режими роботи біполярного транзистора
Незалежно від схеми вмикання біполярного транзистора він може працювати у трьох основних режимах, що визначаються полярністю напруги на емітерному UЕ та колекторному UК переходах:
1) режим відсічки (UЕ<О,UК< 0);
2) активний режим (UЕ > 0, Uк< 0);
3) режим насичення (UЕ > 0,UК> 0).
У режимі насичення, який настає при великому відпірному вхідному сигналі, колекторний та емітерний переходи зміщені у прямому напрямку, транзистор повністю увімкнений і його струм Ітр =U3 / Rн, тобто залежить тільки від опору навантаження Rн та зовнішньої напруги U3 (вихідний опір транзистора знижується до дуже малої величини).
У режимі відсічки, який настає з поданням до вхідного кола транзистора сигналу, що забезпечує повне запирання приладу, обидва переходи зміщені у зворотному напрямі (закритий стан транзистора). При цьому у вихідному колі протікає струм, що є зворотним струмом емітерного та колекторного переходів, а опір транзистора високий.
Активний режим є проміжним. В ньому емітерний перехід зміщений у прямому напрямку, а колекторний - у зворотньому.
Транзистор у цьому режимі працює як підсилювач сигналу: пропорційним змінам вхідного сигналу тут відповідають пропорційні зміни вихідного.
Режим роботи, у якому транзистор тривалий час знаходиться в режимах відтинання або насичення, називається ключовим режимом.
Розглянемо наведені вище режими роботи транзистора на прикладі його вмикання за схемою з СЕ, зображеною на рис. 2.20. Тут:
Д
е
RБ
,
Rк
-
базове та колекторне навантаження,
UКЕ
-
напруга між колектором та емітером,
Ек
- напруга
джерела живлення.
Рівняння (2.21) характеризує зв'язок вихідної напруги з вхідним струмом і називається динамічною вихідною характеристикою транзистора або лінією навантаження.
На сім'ї вихідних статичних характеристик побудуємо лінію навантаження, як показано на рис. 2.21. Для цього розглянемо режими холостого ходу (Х.Х.) та короткого замикання (К.З.).
Для режиму Х.Х.:
якщо IК= 0, то UКЕ = Ек .
Для режиму К.З.:
якщо
UКЕ,
= 0, то
Точки перетину лінії навантаження з будь-якою ВАХ називаються робочими точками і відповідають певним значенням вихідного струму та вихідної напруги. Якщо, наприклад, ІЕ= ІБ0, то цьому відповідає точка Р, для якої Uвих = Uок, Івих = Іок .
Коли робоча точка лежить у межах відрізка аб, транзистор працює в активному (підсилювальному) режимі, де змінам вхідного сигналу відповідають пропорційні зміни вихідного.
Якщо робочу точку намагатися задати нижче точки б, транзистор переходить до режиму відтинанння, якому відповідає власне точка б (транзистор тут відтинає протікання струму у силовому колі).
Якщо ж робочу точку задавати вище точки а - транзистор знаходиться в режимі насичення, якому і відповідає точка а.
Взагалі режимом насичення називають такий режим, коли подальшому збільшенню вхідної дії не відповідає збільшення вихідної реакції, що досягла деякого значення.
У режимі насичення через транзистор протікає струм
(2.22)
Для того щоб транзистор увійшов до режиму насичення, необхідно забезпечити струм бази не менший за
Ступінь насичення характеризується коефіцієнтом насичення
(2.23)
В активному режимі S < 1.
До основних параметрів біполярних транзисторів належать:
- максимально допустимий струм колектора Ik , що становить (0,01+100) А;
- допустима робоча напруга UКЕ, що становить (20÷1000) В;
- коефіцієнт передачі по струму β = 20÷50;
- допустима потужність на колекторі Рк (якщо Рк< 0,3 Вт, то маємо транзистор малої потужності, якщо Рк= 0,3÷1,5 Вт - середньої потужності, якщо Рк> 1,5 Вт - великої потужності).
