DR DRAM (Rambus)
Начиная с 1999 года, Intel продвигали на рынок принципиально новый тип памяти - DR DRAM(Direct Rambus DRAM), который был разработан по их заказу небольшая исследовательская фирма Rambus. Аналогичный тип памяти уже использовался в игровых приставках — в популярной модели Nintendo 64.
Обычные типы памяти (FPM/RDO и SDRAM) иногда называют системами с широким каналом. Ширина канала памяти равна ширине шины данных процессора (в системах Pentium 64-бит). Максимальная производительность памяти DIMM SDRAM PC100 составляет 100x8 (частота х количество передаваемых данных за один такт), или 800 Мбайт/с. Микросхемы RDRAM увеличивают пропускную способность памяти — в них предусмотрена 16-разрядная шина передачи данных, частота увеличена до 800 МГц. а пропускная способность равна 1,6 Гбайт/с. Для увеличения производительности можно используются двух- и четырехканальные RDRAM. которые позволяют увеличить скорость передачи данных до 3,2 или 6,4 Гбайт/с соответственно.
Один канал памяти Rambus принципиально может поддерживать до 32 отдельных устройств RDRAM (микросхем RDRAM), которые устанавлива-
ются в модули RIMM (Rambus Inline Memory Modules). Вся работа с памя-
тью организуется между контроллером памяти и отдельным (а не всеми) устройством. Каждые 10нс (100МГц) одна микросхема RDRAM может передавать 16 байт. RDRAM работает быстрее SDRAM приблизительно в три раза. Для увеличения производительности было предложено еще одно конструктивное решение: передача управляющей информации отделена от передачи данных по шине. Для этого предусмотрены независимые схемы управления, а на адресной шине выделены две группы контактов: для команд выбора строки и столбца и для передачи данных по шфронтам тактового сигнала, т.е. дважды в тактовом импульсе (практически в режиме DDR). Правая граница тактового импульса называется четным циклом, а левая — нечетным. Синхронизация осуществляется с помощью передачи пакетов данных в начале четного цикла. Максимальное время ожидания составляет 2,5 нс.
На рисунке показано отношение между тактовым сигналом и циклами передачи данных. Пять полных циклов тактового сигнала соответствуют десяти циклам данных.
DDR SDRAM
DDR (Double Data Rate) SDRAM по многим параметрам и способам изготовления мало чем отличается от обычной SDRAM: та же синхронизация шины памяти с системной шиной, практически то же производственное оборудование, энергопотребление, почти не отличающееся от SDRAM, площадь чипа больше лишь на несколько процентов. Это позволило сразу без значительных материальных и временных издержек создать новую быстродействующую память, причем по цене, мало отличающейся от обычной SDRAM (кстати, DDR SDRAM еще иногда именуют SDRAM-II).
Так как DDR SDRAM основывается на обычной SDRAM, то она имеет сопоставимые латентные характеристики, и поэтому зачастую работает быстрее своего конкурента в лице RDRAM, у которой как раз имеются ощутимые проблемы с латентностью.
А сейчас, разобравшись с технологиями чипов оперативной памяти, мы с Вами разберемся с тем, какие модули, непосредственно устанавливаемые в компьютер, изготавливают с использованием рассмотренных нами архитектур памяти.