0. Формирование металлической разводки.

   0. - Изменение параметров построения сетки в новых слоях. Используйте команду insert, как описано в пункте 7. В окне String Editor наберите текст (одной строкой):

mgoals on normal.growth.ratio=20.0 accuracy=2e-5 min.normal.size=300<nm> max.lateral.size=0.7<um>

и нажмите ОК.

0. - Формирование маски. Добавьте процесс pattern и задайте значения аргументов в соответствии с таблицей:

   Аргумент	Значение	Комментарий
   слой (layer)	OPENING
   полярность (polarity)	light_field	Светлые области соответствуют позитивному фоторезисту
   толщина (sickness)	1 <um>

1. - Травление оксида. Добавьте процесс etch и задайте следующие значения аргументов:

   Аргумент	Значение	Комментарий
   материал (material)	Oxide
   толщина (thickness)	0.055 <um>
   тип травления (etchtype)	anisotropic	травление по направлению нормали к поверхности подложки

2. - Травление фоторезиста. Добавьте процесс etch и задайте следующие значения аргументов:

   Аргумент	Значение
   материал (material)	resist
   толщина (thickness)	1 <um>
   тип травления (etchtype)	strip

3. - Осаждение алюминия. Добавьте процесс deposit, задайте аргументы в соответствии с таблицей:

   Аргумент	Значение	Комментарий
   материал (material)	Al	осаждаемый материал
   толщина (thickness)	1.0 <um>	толщина осаждаемого слоя

4. - Формирование маски. Добавьте процесс pattern и задайте значения аргументов в соответствии с таблицей:

   Аргумент	Значение	Комментарий
   слой (layer)	METAL
   полярность (polarity)	light_field	Светлые области соответствуют позитивному фоторезисту
   толщина (sickness)	1 <um>

5. - Травление алюминия. Добавьте процесс etch и задайте следующие значения аргументов:

   Аргумент	Значение	Комментарий
   материал (material)	Al
   толщина (thickness)	1.1 <um>
   тип травления (etchtype)	anisotropic	травление по направлению нормали к поверхности подложки

6. - Травление фоторезиста. Добавьте процесс etch и задайте следующие значения аргументов:

   Аргумент	Значение
   материал (material)	resist
   толщина (thickness)	1 <um>
   тип травления (etchtype)	strip

7. - Сохранение промежуточных результатов моделирования в файл типа .tdr. Используйте команду save из колонки Generic, задайте имя сохраняемого файла: vert_npn5.

11. Сохраните полученный файл.

12. Преобразование формата файла для создания кода, выполняемого с помощью sprocess. Перед проведением трансляции кода необходимо открыть файл, созданный в Layout Editor, с описанием масок, которые используются при моделировании структуры биполярного транзистора. Для этого в Главном меню выберите File>Open Layout. Для проведения трансляции нажмите иконку Translate the current flow на панели инструментов.

13. Проверьте синтаксис программы. Нажмите иконку Check simulator syntax.

14. Сохраните программный код. Из Главного меню выберите File>Save translated flow as. Наберите имя файла в диалоговом окне.

15. Запустите модуль sprocess в окне Терминал и выполните расчет модели.

16. В модуле Tecplot продемонстрируйте двумерное распределение примесей: бора, фосфора, мышьяка и сурьмы, а также постройте в модуле Inspect двухкоординатные профили распределения этих примесей в сечениях с координатами х = 5 мкм и х = 23 мкм.

Контрольные вопросы:

1. Какую функцию выполняет заглубленный легированный слой на границе подложки и эпитаксиального слоя? Какими свойствами должна обладать примесь, используемая для создания этого слоя?

2. На какие параметры транзистора влияет площадь пассивной области базы и расстояние между электродами базы и эмиттера?

3. Какие модели используются для вычисления профилей распределения примеси при двустадийной диффузии? Чем определяется выбор модели?