0. - Травление оксида. Добавьте процесс etch и задайте следующие значения аргументов:

   Аргумент	Значение	Комментарий
   материал (material)	Oxide
   толщина (thickness)	0.03 <um>
   тип травления (etchtype)	anisotropic	травление по направлению нормали к поверхности подложки

0. Формирование эпитаксиального слоя.

   0. - Нанесение слоя. Добавьте процесс deposit, задайте аргументы в соответствии с таблицей:

      Аргумент	Значение	Комментарий
      материал (material)	Silicon	осаждаемый материал
      тип процесса (type)	isotropic
      легирующая примесь (dopant)	Arsenic
      концентрация (concentration)	1e15<cm-3>	концентрация легирующей примеси
      толщина (thickness)	4.0 <um>	толщина осаждаемого слоя

   1. - Высокотемпературный отжиг. Добавьте процесс anneal, задайте аргументы в соответствии с таблицей:

Аргумент	Значение
температура (temperature)	1100<C>
время (time)	60<min>

- Сохранение промежуточных результатов моделирования в файлах типа .tdr и .plx. Используйте команду save из колонки Generic, задайте имя сохраняемого файла: vert_npn1. Для сохранения графиков в формате .plx используйте команду insert (см. пункт 7), в текстовом редакторе задания значений аргументов которого наберите или вставьте следующий текст:

SetPlxList {BTotal SbTotal AsTotal PTotal}

WritePlx Buried.plx y=5.0

для записи профилей распределения примесей в сечении с координатой y=5.0 в файл формата plx.

0. Формирование контакта к заглубленному слою.

   0. - Осаждение оксида. Добавьте процесс deposit, задайте аргументы в соответствии с таблицей:

      Аргумент	Значение	Комментарий
      материал (material)	Oxide	осаждаемый материал
      толщина (thickness)	0.025 <um>	толщина осаждаемого слоя

   1. - Формирование маски. Добавьте процесс pattern и задайте значения аргументов в соответствии с таблицей:

      Аргумент	Значение	Комментарий
      слой (layer)	SINKER
      полярность (polarity)	light_field	Светлые области соответствуют позитивному фоторезисту
      толщина (sickness)	1 <um>

   2. - Имплантация фосфора. Добавьте процесс implant и задайте следующие значения аргументов:

      Аргумент	Значение
      примесь (species)	Phosphorus
      доза (dose)	5e15<cm-2>
      энергия (energy)	200<keV>
      наклон (tilt)	0
      разворот (rotation)	0

   3. - Травление фоторезиста. Добавьте процесс etch и задайте следующие значения аргументов:

      Аргумент	Значение
      материал (material)	resist
      толщина (thickness)	1 <um>
      тип травления (etchtype)	strip

   4. - Высокотемпературный отжиг. Добавьте процесс anneal, задайте аргументы в соответствии с таблицей:

      Аргумент	Значение
      температура (temperature)	1100<C>
      время (time)	5<hr>

   5. - Перестроение сетки. Используйте команду insert, как описано в пункте 7. В окне String Editor наберите текст:

grid remesh

и нажмите ОК.