- •Московский государственный технический университет им.Н.Э.Баумана
- •Калуга,
- •Практическая часть
- •Все изменения номиналов компонентов производить только при выключенном стенде 87л-01!
- •2.1 Модели полупроводниковых диодов
- •Практическая часть
- •Все изменения номиналов компонентов производить только при выключенном стенде 87л-01!
- •Внимательно устанавливать электролитические (полярные) конденсаторы в электрические цепи (следить за полярностью их подключения)!
- •Практическая часть
- •Все изменения номиналов компонентов производить только при выключенном стенде 87л-01!
- •Внимательно устанавливать электролитические (полярные) конденсаторы в электрические цепи (следить за полярностью их подключения)!
Все изменения номиналов компонентов производить только при выключенном стенде 87л-01!
Внимательно устанавливать электролитические (полярные) конденсаторы в электрические цепи (следить за полярностью их подключения)!
Контрольные вопросы
Какие основные полупроводниковые диоды вы знаете?
Каковы маркировка и условные графические обозначения полупроводникового диода?
Что такое вольтамперная характеристика полупроводникового диода?
Поясните ВАХ выпрямительного диода.
Для чего применяются выпрямители?
Какие схемы выпрямителей вы знаете?
Назначение сглаживающего фильтра?
Что такое нагрузочная характеристика выпрямителя?
Какие бывают сглаживающие фильтры?
Как определить коэффициент пульсаций?
Приложение
Параметры выпрямительных диодов малой мощности даны в таблице 1.
Свойства полупроводниковых материалов при Т = 300К представлены в таблице 2.
Таблица 1
№пп |
Тип диода |
Материал структуры |
Uобр. макс, В |
Iвыпр. макс., А |
1 |
КД103А |
Кремний |
50 |
0.1 |
2 |
Д9Б |
Германий |
10 |
0.04 |
3 |
Д9В |
Германий |
20 |
0.02 |
Таблица 2
N пп |
Полупроводник |
Eg, эВ приТ=300К (*77К) |
n, см2/В*c при 300К (*77К)
|
p, см2/В*c при 300К (*77К)
|
|
|
|
B*104300К/ (*77K)эВ/град |
1 |
Si |
1.12 |
1350 |
480 |
0.56 |
1.08 |
11.7 |
+4.0 |
2 |
Ge |
0.66 |
3900 |
1900 |
0.33 |
0.66 |
16.3 |
+4.2 |
4 |
AlSb |
1.6 |
400 |
50 |
0.11 |
0.39 |
11 |
+3.5 |
5 |
GaN |
3.5 |
150 |
100? |
0.2 |
1.0? |
10? |
+4.0? |
6 |
GaP |
2.25 |
120 |
120 |
0.13 |
0.8 |
10? |
+5.4 |
7 |
GaAs |
1.43 |
8600 |
400 |
0.07 |
0.45 |
12 |
+4.9 |
8 |
GaSb |
0.69 |
4000 |
650 |
0.045 |
0.39 |
15 |
+3.5 |
9 |
InP |
1.28 |
4000 |
650 |
0.07 |
0.40 |
12.1 |
+4.6 |
Работа №1б. Исследование мостовой схемы выпрямителя и RC- фильтра
Цель работы: изучение принципа работы мостовой схемы выпрямителя.
Общие вопросы мостового выпрямления
В схеме однофазного мостового выпрямителя (рис. 1, а), временные диаграммы которого показаны на рис.6, б – е, вторичная обмотка трансформатора рассчитана на то же напряжение U2, что и половина вторичной обмотки трансформатора в схеме двухполупериодного выпрямления. В первый полупериод в точке 1 трансформатора Т действует положительное по отношению к точке 2 напряжение U2 и ток I1 протекает по цепи: точка 1, диод VD1, резистор RН, диод VD4, точка 2. На нагрузке RН образуется падение напряжения URн, знаки которого указаны на рисунке 1, а без скобок. В течение этого полупериода диоды VD2 и VD3 тока не проводят, так как закрыты поступающим на них через открытые диоды VD1 и VD4 напряжением U2, максимальное значение которого равно его амплитуде U2m. Таким образом, в однофазной мостовой схеме максимальное напряжение на закрытом диоде вдвое меньше, чем в двухполупериодной. В следующий полупериод при изменении напряжения на вторичной обмотке трансформатора Т на противофазное (на рис. 1, а полярность указана в скобках) ток нагрузки I2 протекает по цепи: точка 2, диод VD3, резистор RН, точка 1, т.е. в том же направлении, что и в первый полупериод. Частота пульсаций выпрямленного напряжения в мостовой
Рис. 6 Схема однофазного мостового выпрямления (а) и ее временные диаграммы (б-е).
схеме, как и в двухполупериодной, равна удвоенной частоте сети.
Фотография сменной панели для монтажной платы №1для построения исследования свойств одно и двухполупериодных выпрямителей представлена на рис. 7.
