Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
МУ к ЛР для Природообустройство.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
1.56 Mб
Скачать

5.3 Порядок выполнения работы

Схемы лабораторной установки для снятия ВАХ приведены на лицевой панели лабораторной установки. Там же указаны номиналы резисторов, необходимые для расчета протекающих по ним токов.

Требуется:

- Снять семейство выходных ВАХ биполярного транзистора, изобразить их в виде графиков Iк = f(Uкэ)\Iбi=const . и по ним определить величины

β ≈ ΔIк/(Iбi+1 Iбi)|Uкэ=constдля разных участков ВАХ:

- Uкэ = 3 В, Iбi = Iб1 ;

- Uкэ = 10 В, Iбi = Iб1 ;

- Uкэ = 3 В, Iбi = Iб3 ;

- Uкэ = 10 В, Iбi = Iб3.

Примечание 1. Измерение токов Iк и Iбi производить косвенным методом – измеряя падения напряжения на соответствующих резисторах и вычисляя токи по закону Ома (I = UR/R). Сопротивления резисторов указаны на лицевой панели лабораторной установки.

Примечание 2. При вычислении токов Iбi принять Uбэ ≈ 0,6 В.

- Снять переходную (сток-затворную) ВАХ полевого транзистора, изобразить ее в виде графика Iс = f(Uзи)|Uси=const . и по ней определить величины:

S ≈ ΔIcUзиtдля линейного участка ВАХ и Uотс.

Примечание 3. Измерение тока Iс производить косвенным методом – измеряя падения напряжения на соответствующем резисторе. Сопротивление резистора указано на лицевой панели лабораторной установки.

5.4 Требования к отчету

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

- цель работы;

- принципиальные схемы установок для снятия ВАХ исследуемых транзисторов;

- формулы, используемые для обработки экспериментальных данных;

- полученные экспериментальные данные в виде таблиц;

- графики ВАХ исследуемых биполярного и полевого транзисторов;

- полученные по графикам ВАХ основные параметры исследуемых транзисторов.

5.5 Контрольные вопросы

- По каким схемам включены транзисторы на рисунках? В чем заключаются различия данных схем и к чему они приводят?

а) б)

- Как называются семейства ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ, приведенные на рисунках и что отражают эти названия?

а) б)

- Каковы типичные значения величин β, для современных маломощных транзисторов?

- Как расшифровываются условные обозначения ОЭ, ОБ, ОК (для БТ) и ОИ, ОЗ, ОС (для ПТ)? Какой смысл несет в них слово «общий»?

- Какие параметры являются управляющими и управляемыми у БТ и ПТ?

- Каковы размерности параметров β (для БТ) и S (для ПТ) и в чем физический смысл данных величин?

Библиографический список

  1. Электротехника и электроника: учебное пособие для вузов / В.В.Кононенко, В.И. Мишкович, В.В.Муханов, В.Ф.Планидин, П.М.Чеголин; под ред. В.В.Кононенко. – 5-е изд. – Ростов н/Д.: Феникс, 2008. – 778 с.: ил.

  1. Рекус, Г.Г. Основы электротехники и промэлектроники в примерах и задачах с решениями [Текст] : учебн. пособие для студентов вузов, обучающихся по неэлектротехническим спец. направ. подготовки дипл. спец. в области техники и технологии: допущен М-вом образования и науки РФ / Г.Г. Рекус. – М.: Высш.шк., 2008. – 343 с.: ил.

34