
- •Направление подготовки
- •Оглавление
- •Лабораторная работа №1 Изучение законов Кирхгофа в применении к многоконтурной электрической цепи
- •1.2 Теоретические сведения
- •1.3 Экспериментальная часть
- •1.4 Порядок проведения работы
- •1.5 Контрольные вопросы
- •2.3 Экспериментальная часть
- •2.4 Порядок проведения работы
- •2.5 Контрольные вопросы
- •4.3 Экспериментальная часть
- •3.4 Порядок проведения работы
- •3.5 Контрольные вопросы
- •4.3 Порядок проведения работы
- •4.4 Контрольные вопросы
- •5.3 Порядок выполнения работы
- •5.4 Требования к отчету
- •5.5 Контрольные вопросы
- •Библиографический список
5.3 Порядок выполнения работы
Схемы лабораторной установки для снятия ВАХ приведены на лицевой панели лабораторной установки. Там же указаны номиналы резисторов, необходимые для расчета протекающих по ним токов.
Требуется:
- Снять семейство выходных ВАХ биполярного транзистора, изобразить их в виде графиков Iк = f(Uкэ)\Iбi=const . и по ним определить величины
β ≈ ΔIк/(Iбi+1 – Iбi)|Uкэ=const – для разных участков ВАХ:
- Uкэ = 3 В, Iбi = Iб1 ;
- Uкэ = 10 В, Iбi = Iб1 ;
- Uкэ = 3 В, Iбi = Iб3 ;
- Uкэ = 10 В, Iбi = Iб3.
Примечание 1. Измерение токов Iк и Iбi производить косвенным методом – измеряя падения напряжения на соответствующих резисторах и вычисляя токи по закону Ома (I = UR/R). Сопротивления резисторов указаны на лицевой панели лабораторной установки.
Примечание 2. При вычислении токов Iбi принять Uбэ ≈ 0,6 В.
- Снять переходную (сток-затворную) ВАХ полевого транзистора, изобразить ее в виде графика Iс = f(Uзи)|Uси=const . и по ней определить величины:
S ≈ ΔIc/ΔUзиt – для линейного участка ВАХ и Uотс.
Примечание 3. Измерение тока Iс производить косвенным методом – измеряя падения напряжения на соответствующем резисторе. Сопротивление резистора указано на лицевой панели лабораторной установки.
5.4 Требования к отчету
Отчет по лабораторной работе должен содержать:
- цель работы;
- принципиальные схемы установок для снятия ВАХ исследуемых транзисторов;
- формулы, используемые для обработки экспериментальных данных;
- полученные экспериментальные данные в виде таблиц;
- графики ВАХ исследуемых биполярного и полевого транзисторов;
- полученные по графикам ВАХ основные параметры исследуемых транзисторов.
5.5 Контрольные вопросы
- По каким схемам включены транзисторы на рисунках? В чем заключаются различия данных схем и к чему они приводят?
а) б)
- Как называются семейства ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ, приведенные на рисунках и что отражают эти названия?
а) б)
- Каковы типичные значения величин β, для современных маломощных транзисторов?
- Как расшифровываются условные обозначения ОЭ, ОБ, ОК (для БТ) и ОИ, ОЗ, ОС (для ПТ)? Какой смысл несет в них слово «общий»?
- Какие параметры являются управляющими и управляемыми у БТ и ПТ?
- Каковы размерности параметров β (для БТ) и S (для ПТ) и в чем физический смысл данных величин?
Библиографический список
Электротехника и электроника: учебное пособие для вузов / В.В.Кононенко, В.И. Мишкович, В.В.Муханов, В.Ф.Планидин, П.М.Чеголин; под ред. В.В.Кононенко. – 5-е изд. – Ростов н/Д.: Феникс, 2008. – 778 с.: ил.
Рекус, Г.Г. Основы электротехники и промэлектроники в примерах и задачах с решениями [Текст] : учебн. пособие для студентов вузов, обучающихся по неэлектротехническим спец. направ. подготовки дипл. спец. в области техники и технологии: допущен М-вом образования и науки РФ / Г.Г. Рекус. – М.: Высш.шк., 2008. – 343 с.: ил.