64 Бит, или 16 четырехразрядных слов.

10. Организация зу –

произведение числа хранимых слов на их разрядность. Видно, что

это произведение дает информационную емкость ЗУ в битах,

однако при одной и той же информационной емкости организация ЗУ может быть различной, так что

организация ЗУ – это самостоятельный важный параметр.

Варианты организации памяти с информационной емкостью 16 бит:

16 = 16×1 = 8×2 = 4×4 = 2×8 = 1×16

Контрольная работа № 1а. Варианты 1а-1, 1а-2, …, 1а-5

- Нарисуйте УГО микросхемы памяти с информационной емкостью 16 бит и заданным вариантом организации.

- Изобразите заданную микросхему памяти в виде таблицы.

- Нарисуйте формат адреса и данных.

Вариант	1а-1	1а-2	1а-3	1а-4	1а-5
Организация микросхемы памяти	16×1	8×2	4×4	2×8	1×16

Варианты организации памяти с информационной емкостью 64 бит:

64 = 64×1 = 32×2 = 16×4 = 8×8 = 4×16 = 2×32 = 1×64

Контрольная работа № 1б. Варианты 1б-1, 1б-2, …, 1б-6

- Нарисуйте УГО микросхемы памяти с информационной емкостью 64 бит с заданным вариантом организации.

- Изобразите заданную микросхему памяти в виде таблицы.

- Нарисуйте формат адреса и данных.

Вариант	1б-1	1б-2	-	1б-3	1б-4	1б-5	1б-6
Организация микросхемы памяти	64×1	32×2	16×4	8×8	4×16	2×32	1×64

11. Типы запоминающих элементов (зэ) озу, или элементов памяти

Синонимы:

- элементы ЗУ,

- запоминающие элементы (ЗЭ),

- элементы памяти (ЭП).

1. Обычные триггеры и регистры.

При этом используются обычные схемотехнические решения. Стоимость 1 бита получается высокой (до стоимости 20 логических схем серии ТТЛ).

2) Специальные экономичные триггерные зэ. Сколько радиоэлементов содержит обычный триггер? Задание для портфолио № 2 – три схемы триггера (на базе ттл)

Постройте триггер (триггерное кольцо) из двух стандартных элементов ТТЛ.

- Нарисуйте три варианта схемы: а) используя обозначение триггера, б) используя УГО элемента ТТЛ, в) используя принципиальную схему элемента, то есть, с точностью до радиоэлементов.

- Покажите управляющие сигналы и выходы триггера на трех схемах.

- Подсчитайте количество радиоэлементов в таком триггере.

Рис. Стандартный элемент ТТЛ

(для упрощения рисунка диоды VD1-VD4 можно не показывать)

12. Классификация полупроводниковых зу

ОЗУ – оперативное ЗУ (RAM – Random Access Memory)

ПЗУ, ПЗУМ – постоянное ЗУ, ПЗУ масочное

(ROM, ROM (M) – Read Only Memory)

ППЗУ – ПЗУ с однократным электрическим программированием (PROM – Programmable ROM)

РПЗУ – репрограммируемое ПЗУ, ПЗУ с многократным перепрограммированием (EPROM – Erasable PROM; EEPROM, E²ROM – Electrically Erasable PROM)

АЗУ – ассоциативное ЗУ (CAM – Contents Addressable Memory или Clue Addressable Memory)

EEPROM (Electrically erasable programmable read only memory). Программируемое постоянное запоминающее устройство с электрическим стиранием (ЭСППЗУ) – постоянное запоминающее устройство (ПЗУ), которое можно стирать с помощью электрического сигнала и перепрограммировать.

Режимы ОЗУ – запись и чтение (считывание)

Единственный режим ПЗУ – чтение.

Рабочий режим ППЗУ и РПЗУ – чтение.