
- •**!!№ Стр Задания для портфолио (файл необходимо распечатать)
- •1. Приведите в портфолио к155ру2 как пример микросхемы памяти (микросхемы зу)
- •Обозначения
- •Формат данных (формат слова) памяти для микросхемы к155ру2 Разряды слова
- •6. Зарисуйте и поясните работу схем, приведенных ниже.
- •(В двух вариантах обозначений)
- •6.5. Выходы с открытым коллектором или с открытым стоком
- •6.6. Выход с программированием тс-ос
- •Примеры в серии к155
- •Дополнение. Регистровые файлы
6.5. Выходы с открытым коллектором или с открытым стоком
В английской терминологии выход с открытым стоком обозначается как OD (Open Drain).
Рис. Схема выходной цепи цифрового элемента с открытым коллектором (а), открытым стоком (б) и реализация монтажной логики (в). В обозначениях элементов с ОК или ОС после символа функции ставится ромб с черточкой снизу
Транзистор управляется от предыдущей части схемы элемента так, что может находиться в насыщенном (для МОП-транзистора просто открытом) или запертом состоянии. Насыщенное (открытое) состояние трактуется как отображение логического нуля, запертое – единицы.
Несколько выходов типа ОК можно соединять параллельно, подключая их к обшей для всех выходов цепочке UCC–R (рис. 1.8, в). При этом можно получить режим поочередной работы элементов на общую линию, как и для элементов типа ТС, если активным будет лишь один элемент, а выходы всех остальных окажутся запертыми. Если же разрешить активную работу элементов, выходы которых соединены, то можно получить дополнительную логическую операцию, называемую операцией монтажной логики.
Положительной чертой элементов с ОК или ОС при работе в магистрально-модульных системах является их защищенность от повреждений из-за ошибок управления, приводящих к одновременной выдаче на общую шину нескольких слов, а также возможность реализации дополнительных операций монтажной логики. Недостатком таких элементов является большая задержка переключения из 0 в 1. При этом переключении выходная емкость заряжается сравнительно малым током резистора R.
6.6. Выход с программированием тс-ос
Во многих современных микросхемах используются выходные каскады с возможностью их программирования (настройки) на один из двух вариантов: либо как каскада с открытым выходным электродом (коллектором или стоком) либо как каскада с третьим состоянием. Такие возможности часто полезны, поскольку каждый из типов выходов имеет свои особенности.
На рис. приведена схема каскада с программированием ТС–ОС.
Рис. Выходной каскад, программируемый на варианты ТС и ОС
Примеры в серии к155
К155ЛП8 – 4 буферных элемента с ТС и общей шиной,
К155ЛП9 – 6 буферных формирователей с ОК и повышенным выходным напряжением.
7. Постройте мультиплексор для регистрового ОЗУ с организацией 8х4 (карточка 2.3; регистры имеют обычные логические выходы) с использованием микросхемы К155КП7. См. ниже копию карточки 2.3 со схемой Э1 ОЗУ.
8. Постройте схему регистрового ОЗУ п.7 (с организацией 8х4) для регистров ТТЛ с тремя состояниями (ТС, или z) выходного сигнала
9. Зарисуйте УГО, таблицу функционирования и функциональную схему регистрового файла (регистрового ОЗУ) типа ИР26 (К555ИР26, КР1533ИР26), (См. ниже раздел “Дополнение. Регистровые файлы”).
10. Постройте запоминающий массив (ЗМ) с организацией 1Кх1 из микросхем К155РУ5. Приведите расчёт организации ЗМ, количества микросхем, разрядности адреса микросхемы и ЗМ. Приведите таблицу условий выборки микросхем в зависимости от старших бит адреса ЗМ.
11. Для ОЗУ 8Кх8 из микросхем К155РУ7 (см. ниже копию карточки 4.19 “Построение ЗМ организации 8Кх8”) определите, в какой микросхеме окажется “единица”, присутствующая в заданном байте данных, при записи по заданному адресу.
Вариант |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
Данные (h) |
20 |
10 |
40 |
4 |
8 |
2 |
80 |
1 |
Адрес (h) |
1C79 |
4CB |
18CD |
39B |
124A |
7A3 |
D5E |
B1F |
12. Постройте запоминающий массив (ЗМ) с организацией 64Кх8 из микросхем К565РУ6 (см. лекции, тема 06). Приведите расчёты и формат адреса. Нарисуйте временную диаграмму считывания данных из 5 подряд расположенных ячеек, начиная с адреса 5D7E. Проставьте на временной диаграмме коды адреса. передаваемые по внутренней шине адреса (ВнША), и адреса, передаваемые по внешней шине адреса (ША).
13. Постройте контроллер динамического ОЗУ для микросхемы К565РУ5Д. Посчитайте типы и количество счетчиков в каскаде, реализующем задержку на время периода регенерации TРЕГ. Приведите временные диаграммы функционирования отдельных узлов контроллера (см. лекции, тема 06).
14. Подсчитайте среднее время наработки на отказ полупроводникового диска на базе флэш-памяти емкостью C при условии, что каждые t минут создается и записывается файл среднего для Вас объема. Сравните с аналогичным показателем НЖМД.
Вариант |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
C, ГБ |
1 |
4 |
16 |
2 |
32 |
8 |
4 |
t, мин |
10 |
5 |
20 |
10 |
4 |
5 |
15 |