2. Вэз и эп: методика наблюдений и обработка результатов.

В ЭЗ - способ (эл) просвечивания слоистой толщи Земли, основ на изучении эл-го поля при последовательном увел-и глубины проник-я тока- послед увел-е разносов. С увел-м разноса возрастает объем г.п., пронизанных электр-м током. Установка ВЭЗ состоит из пит и измерит линии. Рассмотрим схему зондирования на рис. Согласно этому рис с увеличением разносов послед-но получают инф-ю о верхнем слое, о суммарной толще 1 и 2 слоя и о сумме толщи всех трех слоев. Прим симм 4х эл или 3х эл градиентную установки.

Техника: на пов-ти З. собирают установку состоящую из 2-х питающих эл-дов А и В и 2-х приемных M и N, расположенных симметрично отн-но центра. Через А и В от генератора в З. поступает ток I, а между M и N с помощью прибора измеряют разность потенциалов ∆U. После первого замера разнос АВ увел-т примерно на 20% и опять измеряют I и ∆U. На кажд. ПК делают 20-25 таких изм-й при постоянном увел-и разносов пит линии. Величину наибольшего разноса опр-т в зависимости от заданной глубины исследования, ее приближенно находят по ф-ле:

Zэф max,≈ 0,1АВmax (1/3, для многосл 1/10-1 АВ).

По рез-там измер-й на каждом разносе вычисл. ρк

ρк=К∆U/I., где К – коэф-т уст-ки. Его подбирают так, чтобы при измерении на пов-ти однородной среды вычисленное зн-е ρк равнялось ист зн-ю УЭС. К=π*АМ*AN/MN.

Рез-ты изм-й и обраб-ки записывают в журнал и изобр-т графически в виде кривой ρк в зав-ти от разноса R=АВ/2. График строят в логар. масштабе на спец. бланках.

Кривая ВЭЗ качественно отражает стр-ру разреза, послед-сть залегания слоев с различным электр сопр-ем. В большинстве случаев по типу и конфигурации ВЭЗ можно опр-ть кол-во слоев в разрезе и послед-ть их залегания. Кривые ВЭЗ интерпр-т с помощью компьют-х программ методом подбора моделей разреза- наблюденную кривую ВЭЗ сравнивают с теоритически расчитанной модельной кривой. В процессе инт-и перебирается неск-ко моделей. При профильных набл-х строят геоэлектрический разрез такого же типа что на рис. При площадных наблюдениях строят карты глубины залегания опорных гор-тов, также качественные карты и разрезы. Метод ВЭЗ применяют гл. о. для решения струк-х задач при изучении ВЧР, также при поисках и разведки всех п.и, инженерно-геолог-х и экол-х изысканиях.

ПРИМЕНЕНИЕ: опр-е мощ-ти и уэс отд гор-ов при гориз или слабо накл границах с углами не более 15-20°. Геол картирование, поиски и разведка рудных мест-й, нефт геофизика, поиски и разведка подз вод, инж и эколог изыскания и др.

ЭП – изучение геол. разреза вдоль профиля при фиксированной глубине проникн-я эл.т. Сущ-ть: в З. с помощью пит. эл-дов А и В возб-ют пост. или НЧ перем. поле и на пов-ти З. измеряют разность потенциалов м/у приемными эл-дами М и N.Выч-ют ρк по ф-ле ρк=К∆U/I, где К – коэф-т установки. Затем всю установку смещают на один шаг и измер-я повторяют в той же последов-ти. Шаг профил-я = длине приемной линии MN, т.е. 10, 20 или 50м. расстояние м/у профилями задают исходя из масштаба съемки т.о., чтобы искомое тело пересекалось не менее чем двумя профилями. Рез-ты инте-т качественно, то есть выделяют аномальные участки, кот мб связаны с искомыми объектами.

ВП-ЭП – м-д ВП., комбинир способ измерений , ∆U измеряют дважды: во время пропускания тока (∆U) и после его выключения (∆U_ВП). Вычисл ηк=∆UВП/∆U.

Виды ЭП: СЭП, по схеме СГ, КЭП – комбинир-ое, ДЭП – дипольное, дивергентное и др. Название опр-тся типом установки.

СЭП: установки АМNB или AA´MNB´B. АВ=глубине объекта, A´B´выделение особенностей ВЧР. АВ=(5-10)Z_ЭФ, где Z_ЭФ-эффективная глубина исслед-я.

П о рез-там измерений вычисляют ρк и ρ´к, ηк и η´к, строят совмещенные графики ЭП в арифм. масштабе. Точку записи относят к середине уст-ки. Совместное рассмотрение графиков позволяет отличить глубинные ан-и от поверх-х и сделать однозначное закл-е. Схемы установок для ЭП

а — симметричная с двумя разносами; б — по схеме срединного градиента; в — дипольная осевая; г — комбинированного профилирования с изм-м двух составляющих д — дивергентная. Г — генератор; П — приемник; пунктиром показано продолжение профилей

КЭП: измерения с 2-мя встречными установками AMN и MNB. MN – общая, имеется питающий эл-д С, отнесенный в “бескон-ть” (ОС≥10АО). Фактически уст-ка состоит из АО и ОВ, и ОС, соединяющий центр уст-ки с удаленным заземлителем. На каждой точке делают два изм-я разности потенциалов и тока, подключая поочередно то левое , то правое крыло к удаленному электроду С. Наряду с суммарным полем ∆U измеряют поле ВП- ∆UВП. По рез-м измерений выч-ют 2 зн-я ρКAMN и ρКMNB и 2 знач-я ηК. На графиках ρК и ηК КЭП хорошо выд-ся контакты, жилы, изомерные объекты.

ПРИМЕНЕНИЕ: получ-е инф-и об эл-магн св-х среды на одинаковой глубине. Выявление неоднородности в гориз напр-и. Широко прим при геол, инж-геол, мерзлотно- гляциологическом, эклог картировании, поиске тв п.и.