3.2. Исследование схемы с общим эмиттером

3.2.1. Ознакомьтесь с экспериментальной установкой. Уточните, как будут изменяться и измеряться напряжения U_бэ, U_кб и другие параметры.

По разрешению преподавателя включите установку.

3.2.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме оэ

Задачей является исследование серии входных характеристик, аналогичных представленным на рис. 3, а, 6, а. Обратим внимание, что исследуются характеристики I_б(U_бэ) при различных значениях U_кэ.

Первоначально установите значение напряжения между коллектором и эмиттером равным U_кб = 0. Изменяя напряжение U_бэ между базой и эмиттером от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_б(U_бэ)|_{Uкэ = 0} (таблица 6).

Таблица 6

Uкэ, В	Uбэ, В	Iэ, мА	Iк, мА	Iб, мА
Uкэ = ?	0	?	?	?
	?	?	?	?
	…	…	…	…
	?	?	?	?

3.2.3. Установите значение напряжения между коллектором и эмиттером равным U_кэ = 10 В. Изменяя напряжение U_бэ между базой и эмиттером от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_б(U_бэ)|_{Uкэ = 10} (таблица 6).

3.2.4. Установите значение напряжения между коллектором и эмиттером равным U_кэ = 15 В. Изменяя напряжение U_бэ между базой и эмиттером от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_б(U_бэ)|_{Uкэ = 15} (табл. 6).

3.2.5. Постройте и объясните серию входных I_б(U_бэ)|_Uкэ характеристик (на одном графике).

3.2.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме оэ

Задачей является исследование серии выходных характеристик, аналогичных представленным на рис. 3, б, 6, б. Обратим внимание, что исследуются характеристики I_к(U_кэ) при различных фиксированных значениях тока базы I_б.

3.2.7. Первоначально установите значение напряжения между эмиттером и базой равным U_бэ = 0, так что I_б = 0. Изменяя напряжение между коллектором и эмиттером U_кэ от нулевого значения до (примерно) 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_к(U_кэ)|_{Iб = 0} (табл. 7). По мере изменения U_кэ значение I_б должно оставаться постоянным, и если оно изменяется, то регулируйте U_бэ.

Таблица 7

Iб, мА	Uкэ, В	Iк, мА	Iб, мА
Iб = ?	0	?	?
	?	?	?
	…	…	…
	?	?	?

3.2.8. Установите произвольное значение тока I_э базы. Изменяя напряжение между коллектором и эмиттером U_кэ от нулевого значения до (примерно) 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_к(U_кэ)|_Iб (табл. 5). По мере изменения U_кэ значение I_б должно оставаться постоянным, и если оно изменяется, то регулируйте U_бэ.

3.2.9. Установите следующее значение тока I_э базы. Изменяя напряжение между коллектором и эмиттером U_кэ от нулевого значения до (примерно) 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_к(U_кэ)|_Iб (табл. 7). По мере изменения U_кэ значение I_б должно оставаться постоянным, и если оно изменяется, то регулируйте U_бэ.

3.2.10. Постройте серию выходных характеристик I_к(U_кэ)|_Iб при различных токах базы.