
- •4.10. Лабораторная работа ″Исследование статических характеристик биполярного транзистора″
- •1. Общие сведения
- •1.1. Схема с общей базой
- •1,2. Схема с общим эмиттером
- •2. Описание установки
- •2. Подготовка к работе
- •3. Измерения и обработка результатов
- •3.1. Исследование схемы с общей базой
- •3.1.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме об
- •3.1.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме об
- •3.1.12*. Исследование характеристики обратной связи транзистора в схеме об
- •3.1.14. Исследование характеристик передачи тока в схеме об
- •3.2. Исследование схемы с общим эмиттером
- •3.2.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме оэ
- •3.2.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме оэ
- •3.2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме оэ
- •3.1.13. Исследование характеристики передачи тока в схеме оэ
- •4. Отчетные материалы
3.1.6. Исследование выходных характеристик транзистора в схеме об
Задачей является исследование серии выходных характеристик, аналогичных представленным на рис. 2, б. Обратим внимание, что исследуются характеристики Iк(Uкб) при различных фиксированных значениях тока эмиттера Iэ.
3.1.7. Первоначально установите значение напряжения между эмиттером и базой равным Uэб = 0, так что Iэ = 0. Изменяя напряжение между коллектором и базой Uкб от нулевого значения до (примерно) 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов Iк(Uкб)|Iэ = 0 (табл. 3). По мере изменения Uкб значение Iэ должно оставаться постоянным, и если оно изменяется, то регулируйте Uэб.
Таблица 3
Iэ, мА |
Uкб, В |
Iк, мА |
Iб, мА |
Iэ = ? |
0 |
? |
? |
? |
? |
? |
|
… |
… |
… |
|
? |
? |
? |
3.1.8. Установите значение тока эмиттера, например, Iэ = 5…10 мА. Изменяя напряжение между коллектором и базой Uкб от нулевого значения до (примерно) 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов Iк(Uкб)|Iэ (табл. 3). По мере изменения Uкб значение Iэ должно оставаться постоянным, и, если оно изменяется, то регулируйте Uэб.
3.1.9. Установите значение тока эмиттера, например, Iэ = 10…15 мА. Изменяя напряжение между коллектором и базой Uкб от нулевого значения до (примерно) 20 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов Iк(Uкб)|Iэ (табл. 3). По мере изменения Uкб значение Iэ должно оставаться постоянным, и если оно изменяется, то регулируйте Uэб.
3.1.10*. Обратите внимание на данные, получаемые при "отрицательном" значении напряжения Uкб коллекторе. Эта область характеризует режим насыщения (рис. 4.4, б; вторая четверть). Снимите данные в области режима насыщения.
3.1.11. Постройте серию выходных характеристик при различных токах эмиттера.
3.1.12*. Исследование характеристики обратной связи транзистора в схеме об
Характеристика обратной связи Uэб(Uкб) в схеме ОБ, представленная на рис. 2, в, показывает, как необходимо изменять напряжение Uэб при возрастании напряжения Uкб, чтобы ток Iэ оставался постоянным: видно, что значение Uэб должно незначительно уменьшаться.
Для исследования зависимости Uэб(Uкб) установите фиксированное значение Iэ, например, 10…15 мА, и, удерживая его постоянным по мере возрастания Uкб от 0 до 20…25 В, снимите значения Uбэ (табл. 4).
Таблица 4
Параметры |
Iэ = ? мА |
||
Uкб, В |
? |
8-10 точек |
? |
Uэб, В |
? |
? |
? |
Коэффициент обратной связи кэ|ОБ |
? |
3.1.13. Постройте характеристики обратной связи Uэб(Uкб) в схеме ОБ и рассчитайте значение коэффициента обратной связи кэ|ОБ.
3.1.14. Исследование характеристик передачи тока в схеме об
3.1.15. Для построения серии статических характеристик передачи тока Iк(Iэ)|Uкб в схеме ОБ первоначально установите фиксированное значение Uкб = 0 В и, изменяя ток Iэ, измеряйте значения тока Iк (табл. 5).
Таблица 5
|
Uкб = ? В |
|||
Iэ, мА |
? |
8-10 точек |
? |
? |
Iк, мА |
? |
? |
? |
? |
сред |
? |
3.1.16. Рассчитайте значения коэффициента передачи тока сред.
3.1.17*. Установите значение Uкб = 10 В, повторите испытания п.п. 3.1.15-3.1.16.
3.1.17*. Установите значение Uкб = 15 В, повторите испытания п.п. 3.1.15-3.1.6
3.1.18*. Постройте и объясните зависимость (Uкб).
3.1.19. Выключите установку.