2. Описание установки

В работе исследуются схемы с общей базой ОБ (Рис. 4) или эмиттером ОЭ (рис. 4) на биполярном транзисторе КТ808А n-p-n-типа. Внешний вид конкретной исследуемой схемы (мнемосхема) представлен на панели исследуемой установки ЭС 4А (ряд переключателей на стенде в работе не используются).

а) б)

Рис. 4. Стенд ЭС-4А со схемой ОБ (а) и вид транзистора КТ808А

Рис. 5. Стенд ЭС-4А со схемой ОЭ

Наиболее важные статические параметры транзистора приведены в таблице 1. С дополнительными сведениями о статических параметрах и характеристиках транзистора следует ознакомиться в справочниках.

Таблица 1

Параметр	Значение
Обратный ток эмиттера при Uэ = 4В	4 мА
Обратный ток коллектора при Uк= 120 В при 25 оС	3 мА
h21э	50
Iкмакс	10 А
Uкэмакс	120 В

Входные и выходные характеристики транзистора КТ808А (при больших токах) в схеме ОЭ приведены на рис. 6.

Рис. 6. ВАХ транзистора КТ808А в схеме ОЭ

2. Подготовка к работе

Лабораторная работа относится к теме: ″Биполярные транзисторы″. Предварительно необходимо выполнить задания контрольной работы (РГЗ).

В "заготовке" к работе следует описать:

– схемы включения транзистора и испытаний;

– входные и выходные характеристики схем ОБ и ОЭ;

– используя справочники, опишите маркировку; форму приборов; параметры реальных транзисторов;

–реальные входные и выходные характеристики исследуемого транзистора;

–таблицы для испытаний.

3. Измерения и обработка результатов

3.1. Исследование схемы с общей базой

3.1.1. Ознакомьтесь с экспериментальной установкой. Уточните, как будут изменяться и измеряться напряжения U_эб, U_кб, какие потенциалы подаются на эмиттер, базу, коллектор и другие параметры.

По разрешению преподавателя включите установку.

3.1.2. Исследование входных характеристик транзистора в схеме об

Задачей является исследование серии входных характеристик, аналогичных представленным на рис. 2, а. Обратим внимание, что исследуются характеристики I_э(U_эб) при различных значениях U_кб.

Первоначально установите значение напряжения между коллектором и базой равным U_кб = 0. Изменяя напряжение U_эб между эмиттером и базой от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_э(U_эб)|_{Uкб = 0} (таблица 2).

Таблица 2

Uкб, В	Uэб, В	Iэ, мА	Iк, мА	Iб, мА
Uкб = ?	0	?	?	?
	?	?	?	?
	…	…	…	…
	?	?	?	?

3.1.3. Установите значение напряжения между коллектором и базой равным U_кб = 10 В. Изменяя напряжение между эмиттером и базой U_эб от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_э(U_эб)|_{Uкб = 10} (табл. 2).

3.1.4. Установите значение напряжения между коллектором и базой равным U_кб = 15 В. Изменяя напряжение между эмиттером и базой U_эб от нулевого значения до (примерно) 1 В (не менее 8–10 точек), измеряйте значения токов I_э(U_эб)|_{Uкб = 15} (табл. 1).

3.1.5. Постройте и объясните серию входных I_э(U_эб)|_Uкб характеристик (на одном графике).