СОДЕРЖАНИЕ

ВВедение 2

1 Технические данные микросхемы памяти К1500РУ474 3

2 разработка структурной схемы устройства 6

3 разработка функциональной схемы устройства 7

4 разработка принципиальной схемы устройства 10

5 построение временных диаграмм работы устройства 12

заключение 13

список использованных источников 14

ВВедение

Запоминающее устройство (ЗУ) – блок ЭВМ или самостоятельное устройство, предназначенное для записи, хранения и воспроизведения информации. Основными показателями ЗУ, определяющими их эффективность, являются емкость и быстродействие.

Микросхемы памяти по функциональному назначению разделяют на микросхемы оперативных ЗУ (ОЗУ) и постоянных ЗУ (ПЗУ).

По принципу схемотехнического построения элемента памяти микросхемы можно разделить на статические и динамические. В микросхемах статических ОЗУ информация в режиме хранения неподвижна, находится в статическом состоянии. В микросхемах динамических ОЗУ записанная в накопитель информация в режиме хранения периодически перезаписывается с целью регенерации.

В данной работе рассматривается процесс разработки блока статического ОЗУ. Модуль ОЗУ составляется из необходимого количества микросхем памяти в соответствии с техническим заданием. Блок ОЗУ должен содержать контроллер ОЗУ и, при необходимости, средства сопряжения с магистралью на основе интерфейсных микросхем, а также микросхем преобразования уровней для сопряжения между собой микросхем, выполненных по различным технологиям.

Разработка блока ОЗУ состоит из следующих этапов:

1. Выбор типа микросхем памяти в соответствии с техническим заданием (емкость и разрядность слова).

2. Разработка структурной схемы устройства.

3. Разработка функциональной схемы устройства.

4. Разработка принципиальной схемы устройства.

5. Разработка временных диаграмм работы устройства.

Задание на проектирование:

Емкость ОЗУ, слов	Разрядность слова	Тип микросхемы памяти, технология изготовления, время выборки адреса	Информационная емкость микросхемы, слов Х разряд
2k	12	К1500РУ474, ЭСЛ, 15 нс	1k Х 4

1. Технические данные микросхемы памяти к1500ру474

Микросхема К1500РУ474 (зарубежные аналоги – 100474) является быстродействующей биполярной микросхемой статического ОЗУ. Емкость – 1Кх4 бит (4 килобит). Режим доступа к накопителю асинхронный. Микросхема изготовлена по технологии ЭСЛ, схема выхода – ОЭ. Корпус типа 4114.24 - 3. На рис. 1, 2, 3 изображены структурная и функциональная схемы, а также условное графическое обозначение и расположение выводов микросхемы. Назначение выводов и таблица истинности микросхемы представлены в таблицах 1 и 2. Статические и динамические параметры приведены в таблицах 3 и 4.

Рис. 1 Структурная схема К1500РУ474

Рис. 2 Функциональная электрическая схема К1500РУ474

Рис. 3 Условное графическое обозначение и расположение выводов К1500РУ474

Таблица 1

Назначение выводов микросхемы К1500РУ474

Номер вывода	Назначение вывода
6, 7	Общий,
4, 5, 8, 9	Выходы информационные, разряды 0 – 3,
10 – 15, 17, 19, 20, 21	Входы адресные,
18	Питание,
22	Вход разрешения записи,
23	Вход выборки кристалла,
24, 1 – 3	Входы информационные, разряды 0 – 3,
16	Свободный,

Таблица 2

Таблица истинности микросхемы К1500РУ474

Входы			Выходы		Режим работы
X	H	X		L		Хранение
L	L	L		L		Запись «0»
L	L	H		L		Запись «1»
H	L	X				Считывание

Таблица 3

Статические параметры микросхемы К1500РУ474

Обозначение	Название параметра	Единица измерения	Значение
	Напряжение питания	В
	Ток потребления	мА
	Входное напряжение низкого уровня	В
	Входное напряжение высокого уровня	В
	Выходное напряжение низкого уровня	В
	Выходное напряжение высокого уровня	В
	Входной ток низкого уровня по входу CS	мкА
	Входной ток низкого уровня по остальным входам	мкА
	Входной ток высокого уровня по входу CS	мкА
	Входной ток низкого уровня по остальным входам	мкА
	Потребляемая мощность	Вт

Таблица 4

Динамические параметры микросхемы К1500РУ474

Обозначение	Название параметра	Единица измерения	Значение
	Время выборки адреса	нс
	Время выбора микросхемы	нс
	Время выборки считывания	нс
	Время установления	нс
	Длительность сигнала записи	нс
	Время сохранения	нс
	Входная емкость	пФ
	Выходная емкость	пФ
	Емкость нагрузки	пФ

Рекомендации по применению:

1. В режиме записи сигналы можно подавать как импульсом, так и уровнем.

2. В режиме считывания сигналы можно подавать как импульсом, так и уровнем. Если сигнал подается уровнем, то данные на выходе микросхемы появятся при смене адреса через .