
Часть 1. Для заданного полупроводникового диода.
-
На одном листе построить графики ВАХ заданного диода и ВАХ идеального р-n-перехода при комнатной температуре в виде
-
С помощью ПК построить несколько графиков для m=1.5 – 5 и на них дать график ВАХ заданного диода. Записать значение коэффициента m и формулу для экспоненциальной модели диода в виде
-
Рассчитать и построить график сопротивления базы диода rБ от тока через диод. Построить уточненный график ВАХ диода с учетом этого сопротивления, используя соотношение
Сравнить функции (1-3) с графиком ВАХ реального заданного диода. Выбрать модель, наиболее хорошо приближающуюся к реальной ВАХ. диода
-
Построить графики зависимостей статического и дифференциального сопротивлений от тока, и дифференциальной проводимости прямой ветви ВАХ диода от напряжения, используя выбранную выше модель и графические построения на самой ВАХ. Сделать выводы по выбранной модели.
-
Определить параметры кусочно-линейной модели диода для больших прямых и обратных значений напряжения. Определить область и параметры данной модели диода. Построить осциллограммы тока и напряжения на диоде при подключении к нему гармонического напряжения с амплитудой N В.
-
Определить область и параметры квадратичной модели диода. Определить область и параметры квадратичной модели диода, предварительно построив по ВАХ диода график крутизны от напряжения. Построить график квадратичной ВАХ по полученной модели. Уточнить область применимости квадратичной модели диода.
Построить
осциллограммы тока и напряжения на
диоде при подключении к нему напряжения
вида
,
где величины постоянного напряжение и
амплитуды гармонического сигнала
выбрать в области применения модели.
-
Задача.
Построить внешнюю ВАХ в виде I(U), если диод описывается моделью с кусочно-линейной ВАХ. Е1=N В, Е2=(-1)N .N.2 В ,R1=N.100 Oь, R2=(2.R1.N) Ом.
Справочные параметры.
Диод: КД102А.
Таблица 1.1
|
Тип прибора |
Предельные режимы |
Характеристика |
||||||||
Uобр.max (Uобр.и.max) |
Iпр.ср.max |
Uпр. (Uпр.ср.) |
При Iпр. (Iпр.ср.) |
Iобр. (Iобр.ср.) при Uобр.max |
Iпр.и.max |
При τU |
fmax |
|
|||
В |
мА |
В |
мА |
мкА |
мкА |
мкс |
кГц |
Рис. |
|||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
10 |
11 |
12 |
13 |
|
9 |
КД102А |
250 |
(100) |
1 |
50 |
0,1 |
500 |
10 |
4 |
1,2 |
Буква или цифра исходного полупроводникового материала: К или 2 – кремний или его соединения;
Буква - подкласс приборов: Д – диоды выпрямительные и импульсные;
Число – порядковый номер разработки. Обычно используются двузначные числа от 01 до 99; если порядковый номер превышает число 99, то применяют трехзначное число от 101 до 999, 101…200 – точечные кремниевые диоды: 102;
Буква – классификация по параметрам (квалификационная литера). Применяют буквы русского алфавита, кроме букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э: А.
Т.е. диод КД102А – кремниевый выпрямительный диод, номер разработки 102, группа А.
Справочные ВАХ диода:
Рисунок 1.1 Справочные ВАХ диода.