Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
4.10_БИП_31.01.13.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
1.31 Mб
Скачать

3.2.11*. Исследование характеристики обратной связи транзистора в схеме оэ

Характеристика обратной связи Uбэ(Uкэ) в схеме ОЭ показывает, как необходимо изменять напряжение Uбэ при возрастании напряжения Uкэ, чтобы ток Iб оставался постоянным.

Для исследования зависимости Uбэ(Uкэ) установите фиксированное значение Iб, и, удерживая его постоянным по мере возрастания Uкэ от 0 до 20…25 В, снимите значения Uбэ (таблица 6).

Таблица 6

Параметры

Iб = ? мА

Uкэ, В

8-10 точек

Uбэ, В

Коэффициент обратной связи кб|ОЭ

3.1.12. Постройте характеристику обратной связи Uбэ(Uкэ) в схеме ОЭ и рассчитайте значение коэффициента обратной связи кб|ОЭ.

3.1.13. Исследование статической характеристики передачи тока в схеме оэ

3.1.14. Для построения серии статических характеристик передачи тока Iк(Iб)|Uкэ в схеме ОЭ первоначально установите произвольное фиксированное значение Uкэ = 10…15 В и, изменяя ток Iб, измеряйте значения тока Iк (таблица 4).

Таблица 7

Uкэ = ? В

Iб, мА

8-10 точек

Iк, мА

сред

3.1.14. Рассчитайте значения коэффициента передачи тока сред.

3.1.15. Выключите установку.

4. Материалы, представляемые к отчету

4.1. Схемы установки с объяснением назначения элементов.

4.2. Параметры исследуемого транзистора.

4.3. Таблицы с расчетными значениями параметров.

4.4. Входные и выходные характеристики транзистора в различных схемах включения.

4.5. Зависимости обратной связи в различных схемах.

4.6. Значения и зависимости коэффициента передачи тока  и в разных схемах.

4.7. Анализ полученных результатов и зависимостей.

Контрольные вопросы по теме

транзисторы″

Задача 1

На рисунке приведена схема включения транзистора с общим (ей)

А: эмиттером; Б; базой; В: коллектором; Г: землей.

Задача 2

Какому из приведенных приборов соответствуют представленные характеристики?

Задача 3.

Какая из схем характеризуется приведенными характеристиками?

А: схема БТ с общим эмитером; Б: схема БТ с общей базой; В: схема БТ с общим коллектором; Г: схема ПТ с общим истоком.

Задача 4

Какому из приведенных приборов соответствуют представленные характеристики?

Задача 5

Какому из приведенных приборов соответствуют представленные характеристики?

Задача 6

Какая из приведенных структур соответствует прибору, условное изображение которого представлено на рисунке?

Задача 7

Какого типа проводимости является база биполярного транзистора, если в активном режиме на коллектор необходимо подавать . А: n; Б: р; В: p-n; Г: ni

Задача 8

Какого типа проводимости является база биполярного транзистора, если в активном режиме на коллектор необходимо подавать +. А: n; Б: р; В: p-n; Г: ni

Задача 9

Какого типа проводимости является канал полевого транзистора, если в активном режиме на его сток необходимо подавать . А: n; Б: р; В: p-n; Г: ni

Задача 10

Какого типа проводимости является канал полевого транзистора, если в активном режиме на его сток необходимо подавать +. А: n; Б: р; В: p-n; Г: ni

Задача 11

Какого типа проводимости является индуцированный канал полевого транзистора, если для его образования на затвор необходимо подавать . А: n; Б: р; В: p-n; Г: ni

Задача 12

На рисунке приведена схема включения транзистора с общим (ей) …

А: базой; Б: эмиттером; В: землей; Г: коллектором .

Задача 13

На рисунке приведена схема включения транзистора с общим (ей) …

А: базой; Б: эмиттером; В: землей; Г: коллектором .

Задача 14

На рисунке приведена схема включения транзистора с общим (ей) …

А: базой; Б: эмиттером; В: землей; Г: коллектором .

Задача 15

Транзистор включен в схему с ОЭ. Входные характеристики представлены на рисунке. В области рабочей точки П параметр h11э равен…

А: 1,2103 См; Б: 0,83 Ом; В: 250 Ом ; Г:  830 Ом

Задача 16

Транзистор включен в схему с ОЭ. Входные характеристики представлены на рисунке. В области рабочей точки П при токе Iб=300 мкА параметр h12э равен…

А: 1,2103 См; Б: 0,83 Ом; В: 250 Ом ; Г:  6103

Задача 17

Транзистор включен в схему с ОЭ. Выходные характеристики представлены на рисунке. В области рабочей точки П при токе Iб=300 мкА параметр h22э равен…

А: 1,2103 Ом; Б: 0,85 103 См; В: 10103 Ом; Г:  0,1103 См

Задача 18

Транзистор включен в схему с ОЭ. Выходные характеристики представлены на рисунке. В области рабочей точки П параметр h21э равен…

А: 15; Б: 0,85 103 См; В: 10103 Ом; Г:  0,1103 См

Задача 19

Транзистор включен в схему с ОЭ. Выходные характеристики представлены на рисунке; рабочая точка П; напряжение питания 14 В. Линия нагрузки по постоянному току:

А: ТН; Б: ЕМ; В: ДС; Г: ГВ

Задача 20

Транзистор включен в схему с ОЭ. Выходные характеристики представлены на рисунке; рабочая точка П; напряжение питания Е = 14 В. Если напряжение питания станет равным Е =10 В, то коллекторный ток IК покоя станет равным…

А: 12 мА; Б:  5 мА; В: 6 мА; Г: 20 мА

Задача 21

Транзистор имеет характеристику, представленную на рисунке. Следовательно, он имеет канал с типом проводимости …

А: p-n-p; Б: n-p-n; В: p; Г: n

Задача 22

Транзистор имеет характеристику, представленную на рисунке. Следовательно, он имеет канал с типом проводимости …

А: встроенный p; Б: встроенный n; В: индуцированный n; Г. индуцированный p

Задача 23

В транзисторе марки КТ315, включенном по схеме с общим эмиттером, ток базы изменился на 0,1 мА. Как при этом изменится ток эмиттера, если коэффициент усиления  = 0,975? А: на 4 мА; Б: на 0,4 мА; В: на 40 мА; Г: на 0,1 мА

Задача 24

Для прибора, характеристики которого представлены на рисунках, крутизна S примерно равна…

А: 2000 Ом; Б: 2104 Ом1м1; В. 20 В; Г: 3,8 мА/В.