60. Измерение h-параметров транзисторов.

Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисторами используется так называемые h-параметры транзистора, включение по схеме с ОЭ.

Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисторами используется так называемые h-параметры транзистора, включение по схеме с ОЭ.

Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме с ОЭ, характеризуется четырьмя величинами: Iб, Uбэ, Iк, Uкэ. Две из них можно считать независимыми, а две могут быть выражены через них. Из практических соображений в качестве независимых удобно выбрать величины Iб и Uкэ. Тогда

Uбэ=F1(Iб,Uкэ) (1.18)

Iк=F2(Iб,Uкэ) (1.19)

В усилительных устройствах входными сигналами являются приращения входных напряжений и токов. В пределах линейной части характеристик для приращения DUбэ и DIк справедливы равенства:

где hikэ (i=1,2; k=1,2) – соответствующие частные производные, которые определяются по входной и выходной характеристикам транзистора (рис. 1.10 и 1.12), включенного по схеме с ОЭ:

при Uкэ = const (∆Uкэ = 0)

при Iб = const (∆Iб = 0)

при Uкэ = const (∆Uкэ = 0)

при Iб = const (∆Iб = 0).

Параметр h11э имеет размерность сопротивления, он представляет собой входное сопротивление биполярного транзистора;

параметр h12э – безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по напряжению. Его значения лежат в пределах 0,002-0,0002. Как показывает анализ устройств на транзисторах, в большинстве практических расчетов им можно пренебречь;

параметр h21э – безразмерный коэффициент передачи тока, характеризующий усилительные (по току) свойства транзистора при постоянном напряжении на коллекторе;

параметр h22э имеет размерность проводимости и характеризует входную проводимость транзистора при постоянном токе базы.

Кроме h-параметров, определяемых при включении транзистора по схеме с ОЭ, существуют аналогичные для схем с ОБ и ОК.

Между h-параметрами для различных схем включения существует однозначное соответствие.

Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме с ОЭ, характеризуется четырьмя величинами: Iб, Uбэ, Iк, Uкэ. Две из них можно считать независимыми, а две могут быть выражены через них. Из практических соображений в качестве независимых удобно выбрать величины Iб и Uкэ. Тогда

Uбэ=F1(Iб,Uкэ)

Iк=F2(Iб,Uкэ)

В усилительных устройствах входными сигналами являются приращения входных напряжений и токов. В пределах линейной части характеристик для приращения DUбэ и DIк справедливы равенства:

где hikэ (i=1,2; k=1,2) – соответствующие частные производные, которые определяются по входной и выходной характеристикам транзистора (рис. 1.10 и 1.12), включенного по схеме с ОЭ:

при Uкэ = const (∆Uкэ = 0)

при Iб = const (∆Iб = 0)

при Uкэ = const (∆Uкэ = 0)

при Iб = const (∆Iб = 0).

Параметр h11э имеет размерность сопротивления, он представляет собой входное сопротивление биполярного транзистора;

параметр h12э – безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по напряжению. Его значения лежат в пределах 0,002-0,0002. Как показывает анализ устройств на транзисторах, в большинстве практических расчетов им можно пренебречь;

параметр h21э – безразмерный коэффициент передачи тока, характеризующий усилительные (по току) свойства транзистора при постоянном напряжении на коллекторе;

параметр h22э имеет размерность проводимости и характеризует входную проводимость транзистора при постоянном токе базы.