Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
стр.8-27.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
1.09 Mб
Скачать

3.2 Принцип формирования чм-сигналов и принципиальная схема частотного модулятора.

Ч М-колебания , как правило, получают в схеме частотно управляемого генератора (см рис. 3)

Рисунок 3

Часть схемы, лежащая слева от пунктирной линии, образу­ет LC - генератор синусоидальных колебаний; правая часть схе­мы - это собственно частотный модулятор на варикапе.

В арикапом называется плоскостный полупроводниковый диод, используемый в качестве нелинейной ёмкости. Варикап работает при обратном (запирающем) напряжении на pn - переходе. Экви­валентная ёмкость варикапа С подключена параллельно ёмкос­ти Ск колебательного контура генератора; частота генерируемых колебаний практически совпадает с резонансной частотой контура:

Ёмкость Свар зависит от напряжения на варикапе и изменяется с изменением этого напряжения; как следствие, изменяется частота генерируемых колебаний.

Напряжение EQ определяет рабочую точку на характеристике варикапа.

Элементы C1, R1. в схеме на рис.3 играют вспомогательную роль и предназначены для развязки коллекторной цепи и цепи смещения варикапа. Величины этих элементов выбираются из условия:

C1>>max CВАР, R1>>ZK

3.2.1. Модуляционная характеристика частотного модулятора

По определению, модуляционной характеристикой для схе­мы на рис.3 называется зависимость , где Е - уп­равляющее напряжение на варикапе.

Метод её построения ясен из определения. Именно.

(40)

Понимая под С вар(Е) приводимою в справочниках "малосигнальную" характеристику ёмкости, можно по (40) непосредственно рассчитать и построить . Индуктивность Lk нуж­но найти из условия:

Необходимо отчётливо понимать, что сказанное выше нес­колько упрощает существо процессов в схеме на рис.3. Для строгого расчёта, модуляционной характеристики следовало бы использовать Свар(Е) - зависимость средней ёмкости варикапа.

М одуляционная характеристика частотного модулятора и способ её использования для построения графиков мгновенной частоты и мгновенной фазы ЧМ-сигнала

Рисунок 4

от напряжения смещения на нём. В свою очередь, средняя ёмкость определяется амплитудой высокочастотного напряжения. Изложенный способ расчёта модуляционной характеристики даёт резуль­таты, согласующиеся с действительностью, лишь при малых уров­нях колебаний в схеме генератора.

По найденной и построенной зависимости и задан­ной в условиях задачи девиации частоты в окрестности точ­ки E0 определяется размах ∆ Е управляющего напряжения (см. рис.4).

Для построения спектра ЧМ-колебания при гармоническом законе модуляции определяется индекс ЧМ и затем используется выражение (36).

3.2.2. Построение графиков мгновенной частоты и мгновенной фазы ЧМ-сигнала

Способ построения графика при заданном законе модуляции х(t) непосредственно ясен из рис.4.

Чтобы построить график мгновенной фазы Q(t)нужно проинтегрировать мгновенную частоту:

Таким образом, ордината Q(t)графика Q(t)есть площадь под графиком , лежащая слева от точки t

Сказанное поясняется на рис.4.

При выполнении этого пункта задачи 2 можно ограничить­ся лишь качественным решением, причём график Q(t)нужно строить без соблюдения масштаба оси ординат (иначе он теряет наглядность).

ЛИТЕРАТУРА

  1. Устройства генерирования и формирования радиосигналов/Л.А.Белов, В.М.Богачёв, М.В.Благовещенский и др.; Под.ред. Г.М.Уткина, В.Н.Кулешова и М.В.Благовещенского.- М.: Ра­дио и связь, 1994.

  2. Пиленко В.И., Малахов Б.М. Радиопередающие устройства - М.: Радио и связь, 1991.

  3. Анри Анго. Математика для электро и радиоинженеров,- М.:Наука, 1964.

  4. Хилеко В И, Малахов Б М, Радиопередающие устройства-М.: Ра­дио и связь 1991.

  5. Проектирование радиопередающих устройств с применением ЭВМ./Алексеев О В, Голованов А А, Дмитриев А Я и др. Под ред. Алексеева О В-М.: Радио и связь,1987

  6. Шумилин М С,Козырев В Б,Власов В А. Проектирование транзисторных каскадов передатчиков-М.: Радио и связь,1987.

  7. Бронштейн Н.Н., Семендяев К.А. Справочник по математике: Издание стереотипное.- М. : ГИМФ-МЛ,1962.

  8. Канцельсон Б.В., Ларионов А С Отечественные оптоусилетельные лампы и их зарубежные аналоги.

  9. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/ Под ред Горюнова Н Н- М.:Энергия, 1976

22