- •Электроника
- •Силовая электроника
- •Предисловие
- •Тема 1. Элементная база силовой электроники 25
- •Тема 2. Управление силовыми полупроводниковыми
- •Тема 3. Методы и схемы защиты полупроводниковых
- •Тема 4. Применение мощных полупроводниковых
- •Предисловие
- •Развитие полупроводниковых ключей
- •Тема 1. Элементная база силовой электроники
- •1.1 Транзисторы
- •1.1.1 Основные виды силовых электронных ключей
- •1.1.2. Силовые биполярные транзисторы
- •1.1.3. Мощные мдп-транзисторы
- •1.1.4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt)
- •1.1.5. Статические индукционные транзисторы
- •1.2. Тиристоры
- •1.2.1. Однооперационные тиристоры
- •1.2.2. Запираемые тиристоры
- •1.2.3. Индукционные тиристоры
- •1.2.4. Полевые тиристоры
- •1.2.5. Модули силовых электронных ключей.
- •1.2.6 Элементная база и типовые узлы систем управления
- •1.2.7. Формирователи импульсов управления
- •1.2.8. Микропроцессоры в системах управления
- •Тема 2. Управление силовыми полупроводниковыми
- •2.1. Функции и структура систем управления преобразователями
- •2.2. Основные типы формирователей импульсов управления
- •2.3. Формирователи импульсов управления с совместной передачей энергии и формы управляющего сигнала
- •2.3.1. Трансформаторные фиу биполярных транзисторов
- •2.3.2. Трансформаторные фиу для ключей с изолированным затвором
- •2.3.3. Трансформаторные фиу тиристоров
- •2.4. Формирователи импульсов управления с раздельной передачей питания и информационного сигнала
- •2.4.1. Потенциальная развязка информационного сигнала
- •2.4.2. Драйверы силовых транзисторов
- •2.4.3. Подключение драйверов к входным цепям силовых транзисторов
- •2.4.4. Драйверы тиристоров
- •2.5. Источники питания драйверов
- •Тема 3. Методы и схемы защиты полупроводниковых ключей
- •3.1. Основные виды перегрузок по напряжению и току
- •3.2. Методы защиты от помех
- •3.3. Защитные цепи силовых ключей
- •3.3.1. Цепи формирования траектории рабочей точки транзисторов
- •3.3.2. Защитные цепи тиристорных ключей
- •3.3.3. Защитные цепи силовых модулей
- •3.4. Защита силовых ключей от режимов короткого замыкания
- •3.5. Силовые ключи с интегрированной системой защиты
- •Тема 4. Приминение мощных полупроводниковых ключей в силовых схемах
- •4.1. Основные области применения ключевых приборов
- •4.2. Типовые схемы транзисторных ключей
- •4.2.1. Ключ на биполярном транзисторе
- •4.2.2. Ключ на мощном мдп-транзисторе
- •4.2.3. Ключ на биполярном транзисторе с изолированным затвором
- •4.2.4. Ключ на статическом индукционном транзисторе
- •4.3. Тиристорные ключи
- •4.3.1. Ключ на тиристоре с электростатическим управлением
- •4.3.2. Ключи на тиристорах с регенеративным включением
- •4.3.3. Особенности запирания тиристорных ключей
- •4.4. Применение ключевых транзисторов в схемах электронных балластов
- •4.5. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •4.6. Применение мощных ключей в схемах управления электродвигателями переменного тока
- •4.6.1. Основные режимы работы силовых ключей в шим-инверторах для асинхронных электродвигателей
- •4.6.2. Особенности применения igbt в схемах с индуктивной нагрузкой
- •4.6.3. Переключение полевых тиристоров мст в мостовых схемах
- •Заключение
- •Литература
- •Учебное пособие
- •Силовая электроника
4.3. Тиристорные ключи
4.3.1. Ключ на тиристоре с электростатическим управлением
Рис.4.24 |
При этом очевидно, что источник, поставивший в базовую область ключа неосновные носители, не играет принципиальной роли: был ли это прямой ток по цепи затвора СИТ) или инжектирующий ток анодного р-n-пеpехода (индукционный тиристор).
Перезарядка емкостей управляющего электpода, влияющая на задержку включения и выключения, определяется постоянной времени, равной произведению барьерной входной емкости на сопротивление цепи управляющего генератора. Дополнительная задержка после размыкания (или смыкания при выключении) ОПЗ затворов определяется временем пролета носителей от потенциального барьера до области анодного перехода. Таким образом, времена задержек и фронт включения являются относительно малыми и не превосходят нескольких десятков наносекунд (15...60 нс). Более сложной является картина физических процессов выключения, связанная с рассасыванием накопленного избыточного заряда. В индукционном тиристоре (см. раздел 2.2.4) при прямом смещении анодного перехода и обратном управляющего возникает паразитный биполярный p-n-p-транзистор (с эмиттером в виде анода и коллектором—затвором). Процесс отсекания базового вывода (истоковой области тиристора) потенциальным барьером, как уже упоминалось, происходит достаточно быстро. Дальнейшее запирание тиристора происходит аналогично запиранию p-n-p-транзистора с оборванной базой с постоянной времени, равной времени жизни накопленных дырок. В цепи управляющего электрода при этом протекает значительный по амплитуде импульс обратного тока (рис. 4.25), связанный с процессом экстракции носителей обратносмещенным переходом. Поскольку амплитуда обратного тока примерно равна величине тока нагрузки, в мощных ключах на основе индукционных тиристоров следует учитывать влияние сопротивления в цепи генератора RIN, которое в данном случае должно быть значительно уменьшено. Вытекающий обратный ток затвора создает на р+-областях управляющего электрода, имеющих конечное сопротивление, дополнительное падение напряжения, которое совместно с внутренним сопротивлением цепи генератора RIN уменьшает запирающее смещение:
(4.53)
где RG — сопротивление тиристора по цепи управления.
а б
Рис. 4.25
B случае большого значения RIN снижение напряжения VDS может привести к отпиранию потенциального барьера и переводу индукционного тиристора в критический режим, аналогичный вторичному пробою, так как дополнительный ток носителей со стороны истока воспринимается паразитным р-n-р-транзистором как управляющий базовый ток. Таким образом, процесс выключения индукционного тиристора необходимо проводить от источника управления с емкостным характером и минимальным внешним сопротивлением (доли ома).
