3. Измерения и обработка результатов

3.1. Ознакомьтесь со стендом (рис. 3.18). По разрешению преподавателя включите установку.

3.2. Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона при комнатной температуре

Изменяя величину напряжения на входе U_вх (0….20 В), измерьте величину полного тока I_вх, напряжение на стабилитроне U_приб, ток стабилитрона I_приб, напряжение на выходе U_вых (без нагрузки) при комнатной температуре t₀ (табл. 2).

Особо тщательно проведите измерения в области напряжений стабилизации.

Таблица 2

Таблица для результатов исследования при комнатной температуре

	Марка стабилитрона ?; t0 = ? oC
	Результаты испытаний					Расчет
Uвх	Iвх	Uб	Uприб	Iприб	Uвых	Rcт	rd	d	Uст
0	?	?	?	?	?	?	?	?
…	?	?	?	?	?	?	?	?
10-12	?	?	?	?	?	?	?	?
точек	?	?	?	?	?	?	?	?
…	?	?	?	?	?	?	?	?
20	?	?	?	?	?	?	?	?

3.3. Постройте переходную характеристику U_вых(U_вх) при комнатной температуре t₀.

3.4. Постройте вольт-амперную характеристику стабилитрона I_пр(U_пр) (в третьей четверти) при комнатной температуре t₀ и, в дальнейшем, при повышенных температурах t_35-40 и t_55-60 (по данным пп.3.6).

3.5. Для температуры t₀ постройте зависимости (разные оси) статического сопротивления R_приб, дифференциальных сопротивления r_d и проводимости _d прибора (стабилитрона) от напряжения (на одном графике в третьей четверти).

3.6. Исследование влияния температуры на напряжение Uст

Включите термостат. Нагревайте стабилитрон до температуры 55–60 ^оС. При достижении температур 35-40 ^оС, 55–60 ^оС повторите задания, указанные в п. 3.2. Заполните таблицы t_35-40 и t_55-60 аналогично таблице 2.

3.7. Выключите установку.

3.8. Рассчитайте значение ТКН для данного стабилитрона в области стабилизации. Сравните полученное ТКН с табличным значением (табл. 1).

3.9. По результатам испытаний сделайте вывод относительно механизма пробоя в данном стабилитроне.

4. Отчетные материалы

Лабораторная работа относится к теме: P-n-переход, ″Реальные диоды ″, ″Стабилитроны″.

В лабораторной тетради представляются:

– заполненные таблицы испытаний стабилитрона для исследуемых диапазонов температур;

– экспериментальные зависимости ВАХ для исследуемого стабилитрона при разных температурах (на одном графике в третьей четверти);

– переходная характеристика U_вых(U_вх) при комнатной температуре t₀.

– расчетные зависимости дифференциального сопротивления r(U) и g(U) (обратная ветвь в третьей четверти) на одном графике при комнатной температуре;

– расчет ТКН и вывод относительно механизма пробоя;

– ответы на контрольные вопросы, представленные в приложении.

К защите прилагается РГЗ с задачами по темам: ″P-n-переход, ″Реальные диоды ″, ″Стабилитроны″.