Московский государственный институт электроники и математики

(технический университет)

Кафедра электронно-вычислительной аппаратуры

Курсовая работа по теме «Генератор импульсов с уровнями КМДП»

Исполнитель:

Студент группы С-64

Морозов Е. Е.

«__» ________ 2008 г.

Проверил:

Преподаватель каф. ЭВА

Сафонов С.Н.

«__» ________ 2008г.

Москва – 2007

Аннотация

В данной курсовой работе разработан генератор импульсов с учетом заданных параметров. Разработана принципиальная схема, выбрана элементная база, произведен расчет.

Содержание

Аннотация 2

Содержание 3

Задание на курсовую работу 4

Анализ технического задания 5

Разработка функциональной схемы и принцип действия 5

Назначение 5

Состав 5

Разработка принципиальной схемы 6

Расчет параметров схемы 6

Принципиальная схема 8

3

Задание на курсовую работу

Наименование разрабатываемого устройства

Генератор импульсов с уровнями КМДП.

Параметры устройства

Диапазон частот входных импульсов, кГц 1…100

Число диапазонов 2

Диапазон длительностей выходных импульсов, мкс 0.1…1

Нестабильность частот, %, не более 5

Анализ технического задания

Разрабатываемое устройство - преобразователь температура-напряжение на основе терморезистора. Устройство должно реагировать на незначительные изменения температуры и менять в зависимости от этого выходное напряжение. Устройством, реагирующим на изменения температуры, является терморезистор, который и будет обеспечивать зависимость температуры и напряжения на выходе схемы.

Разработка функциональной схемы и принцип действия

Назначение

В курсовой работе спроектировано устройство, предназначенное для генерации импульсом уровня КМДП.

Состав

Устройство состоит из одновибратора, триггера Шмита, конденсаторов и подстроечных резисторов.

5

Разработка принципиальной схемы

Расчет параметров схемы

Расчет генератора импульсов.

f = 0.7/RC [1]

f = 0.7 / (R₂ + R₃)/C_2,3

Положим R3 = 100 Ом, C2 = 0.143 мкФ.

Для верхнего порога f = 10 кГц:

R_{2 max} = (0.7 – fC₂R₃) / f C₂ = 900 Ом

Для нижнего порога f = 1 кГц:

R_{2 min} = 0

Аналогично для C₃ = 1.43 нФ, f₂ = 100 кГц.

Расчет длительностей импульсов.

T = 0.7 RC [1]

T₁ = 0.1 мкс

С₁ = 143 нФ

R_{1 min} = T₁ / 0.7C₁ = 0.1 МОм

Т₂ = 1 мкс

C₁ = 1.43 пФ

R_{1 max} = T₂ / 0.7C₂ = 1 МОм

Список использованной литературы

1. Применение интегральных микросхем в электронной вычислительной технике: Справочник под редакцией Б. Н. Файзулаева, Б. В. Тарабрина. — Москва: Радио и связь, 1986.

2. Популярные цифровые микросхемы: справочник. 2-е изд., испр. — Челябинск: Металлургия, Челябинское отд., 1989. — 352 с.: ил. — (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1111).

3. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах: справочник. Москва: Радио и связь – 1990 г., 304 стр.

Принципиальная схема

Наименование микросхемы	Напряжение
	+5 В	0 В
К155ТЛ1	14	7
К555АГ3	16	8