Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
1 МУ к лаб раб по Электронике от Рыжкова АП.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
531.97 Кб
Скачать
    1. Предварительная подготовка к работе

Перед выполнением лабораторной работы студент должен познакомиться с основными положениями теории по изучаемому вопросу и ответить на контрольные вопросы. Выяснить и усвоить физический смысл параметров транзисторов приведенных в таблице 3.1.

Таблица 3.1- Предельно допустимые параметры некоторых транзисторов

Тип транзистора

Наибольший ток коллектора

Iк, А

Наибольшее напряжение между коллектором и базой U бк mах ,В

Наибольшее напряжение между коллектором и эмиттером

U кэ max ,В

Наибольшее обратное напряжение между эмиттером и базой

U бэ max обр , В

КТ315Г 14)

0,1

6

35

6

КТ 361

0,1

6

25

6

КТ858АМ

7

400

400

400

    1. Выполнение работы

      1. Снятие входных характеристик и характеристики передачи тока транзистора:

        1. И спользуя панель собрать схему лабораторной установки по рисунку 3. 2;

        2. У

          Рисунок 3.2 – Схема для получения характеристик биполярного транзистора

          становить приборы в следующие режимы P1 (V; x1), P2 (mA; x10). V – вольтметр с пределом 25(50) В;

        3. Определите цену деления каждого прибора;

        4. Установить Uб-э = 0 с помощью регулятора «ИПН1», Uк-э = 3В с помощью регулятора «ИПН2»;

        5. Снять зависимость Iб = f (Uбэ), изменяя Uб-э так, чтобы IБ принимал значения от 0 до 100мкА с шагом 10мкА;

        6. Результаты измерений и вычислений занести в таблицу 3.2;

        7. Повторить измерения при Uкэ = 8В;

        8. Снять характеристику передачи тока ─ Iк = f (IБ), задавая те же самые значения IБ;

        9. Результаты измерений и вычислений занести в таблицу 3.3;

      2. Снятие выходных характеристик транзистора:

        1. Снять зависимость Iк = f(Uкэ) изменяя Uкэ от 1 до 10В при IБ =20мкА ─ const, повторить при Iб = 40мкА, IБ = 80мкА;

        2. Результаты измерений занести в таблицу 3.4;

Таблица 3.2 ─ Зависимость IБ = f(Uбэ)

№ опыта

UКЭ = 3В

UКЭ = 8В

UБЭ(В)

IБ(мкА)

UБЭ(В)

IБ(мкА)

1

0

0

2

10

10

3

20

20

4

30

30

5

40

40

6

50

50

7

60

60

8

70

70

9

80

80

10

90

90

Таблица 3.3 ─ Зависимость Iк = f (IБ); Iк = f (UБЭ)

№ опыта

UКЭ = 6В – const

UБЭ(В)

IБ(мкА)

IК(мА)

1

0

2

10

3

20

4

30

5

40

6

50

7

60

8

70

9

80

10

90

Таблица 3.4 ─ Зависимость IК = f(UКЭ)

№ опыта

Iб = 20мкА

Iб = 40мкА

Iб = 80 мкА

Uкэ

Uкэ

Uкэ

В

мА

В

мА

В

мА

1

1

1

2

2

2

3

3

3

4

4

4

5

5

5

6

6

6

7

7

7

8

8

8

9

9

9

10

10

10