
- •Электронная техника Методические указания к лабораторным работам
- •Содержание
- •Введение
- •1Лабораторная работа №1. Изучение лабораторного стенда
- •Теоретическое введение
- •Выполнение работы
- •2 Лабораторная работа №2. Исследование полупроводниковых диодов
- •Теоретическое введение
- •Предварительная подготовка к работе
- •Описание схемы измерения Снятие вольтамперной характеристики диодов производится по схемам приведенным на рисунке 2.1.
- •Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •3 Лабораторная работа №3. Исследование биполярного транзистора
- •Теоретическое введение
- •Предварительная подготовка к работе
- •Выполнение работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета:
- •Лабораторная работа №4. Исследование полевых транзисторов
- •4.1Теоретическое введение
- •Устройство полевого транзистора на основе мдп-структуры показано на рисунке 4.1
- •4.2 Предварительная подготовка к работе
- •Выполнение работы
- •Содержание отчета:
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №5 Исследование тиристоров
- •Теоретическое введение
- •Предварительная подготовка к работе
- •Выполнение работы
- •Контрольные вопросы:
- •Содержание отчета
- •Список использованных источников
Предварительная подготовка к работе
Перед выполнением лабораторной работы студент должен познакомиться с основными положениями теории по изучаемому вопросу и ответить на контрольные вопросы. Выяснить и усвоить физический смысл параметров транзисторов приведенных в таблице 3.1.
Таблица 3.1- Предельно допустимые параметры некоторых транзисторов
Тип транзистора |
Наибольший ток коллектора Iк, А |
Наибольшее напряжение между коллектором и базой U бк mах ,В |
Наибольшее напряжение между коллектором и эмиттером U кэ max ,В |
Наибольшее обратное напряжение между эмиттером и базой U бэ max обр , В |
КТ315Г 14) |
0,1 |
6 |
35 |
6 |
КТ 361 |
0,1 |
6 |
25 |
6 |
КТ858АМ |
7 |
400 |
400 |
400 |
Выполнение работы
Снятие входных характеристик и характеристики передачи тока транзистора:
И
спользуя панель собрать схему лабораторной установки по рисунку 3. 2;
У
Рисунок 3.2 – Схема для получения характеристик биполярного транзистора
становить приборы в следующие режимы P1 (V; x1), P2 (mA; x10). V – вольтметр с пределом 25(50) В;Определите цену деления каждого прибора;
Установить Uб-э = 0 с помощью регулятора «ИПН1», Uк-э = 3В с помощью регулятора «ИПН2»;
Снять зависимость Iб = f (Uбэ), изменяя Uб-э так, чтобы IБ принимал значения от 0 до 100мкА с шагом 10мкА;
Результаты измерений и вычислений занести в таблицу 3.2;
Повторить измерения при Uкэ = 8В;
Снять характеристику передачи тока ─ Iк = f (IБ), задавая те же самые значения IБ;
Результаты измерений и вычислений занести в таблицу 3.3;
Снятие выходных характеристик транзистора:
Снять зависимость Iк = f(Uкэ) изменяя Uкэ от 1 до 10В при IБ =20мкА ─ const, повторить при Iб = 40мкА, IБ = 80мкА;
Результаты измерений занести в таблицу 3.4;
Таблица 3.2 ─ Зависимость IБ = f(Uбэ)
|
Таблица 3.3 ─ Зависимость Iк = f (IБ); Iк = f (UБЭ)
|
Таблица 3.4 ─ Зависимость IК = f(UКЭ)
-
№ опыта
Iб = 20мкА
Iб = 40мкА
Iб = 80 мкА
Uкэ
Iк
Uкэ
Iк
Uкэ
Iк
В
мА
В
мА
В
мА
1
1
1
2
2
2
3
3
3
4
4
4
5
5
5
6
6
6
7
7
7
8
8
8
9
9
9
10
10
10