
- •20. Свойства диэлектриков в электростатическом поле.
- •21. Условия существования электрического тока. Законы Ома, Кирхгофа, Джоуля-Ленца.
- •22. Сопротивление проводников, причины его изменения.
- •23. Электрический ток в жидкостях. Методы повышения проводимости жидкости.
- •24. Электрический ток в газах при различных напряжённостях электрического поля
- •25. Электрический ток в вакууме. Методы регулирования.
- •26. Термоэлектрические явления на спаях проводников. Термопара и её работа.
- •27. Понятие полупроводников и механизмов их проводимости
- •28. Дырочно-электронный переход в полупроводниках
- •29. Понятие магнитного поля. Сила Лоренца и сила Ампера
- •30. Движение заряженной частицы в электрическом и магнитном полях.
- •31. Закон Био-Савара-Лапласа для расчёта магнитных полей токов.
- •32. Явления электромагнитной индукции. Правило Ленца.
- •33. Взаимная индукция соленоидов. Работа трансформатора.
- •34. Причины существования ферромагнетиков, парамагнетиков, диамагнетиков.
- •35. Формирование электромагнитных колебаний в колебательном контуре.
- •36. Понятие электромагнитных волн, волновое уравнение для световой волны.
- •37. Связь параметров электрических и магнитных процессов в теории Максвелла
- •38. Законы отражения и преломления света
- •39. Понятия геометрической оптики. Тонкие линзы, их фокусное расстояние, оптическая сила.
27. Понятие полупроводников и механизмов их проводимости
Полупроводник - вещество, обладающее электронной и дырочной проводимостью и по значению удельного электросопротивления занимающие промежуточное положение между проводниками (металлами) и изоляторами (диэлектриками). Электрические свойства полупроводников очень чувствительны к внешним воздействиям (нагреванию, облучению, освещению и др.).
Качественное отличие полупроводников от металлов проявляется прежде всего в зависимости удельного сопротивления от температуры. С понижением температуры сопротивление металлов падает
Зависимость удельного сопротивления ρ от абсолютной температуры T при низких температурах: a – нормальный металл; b – сверхпроводник.
У полупроводников, напротив, с понижением температуры сопротивление возрастает и вблизи абсолютного нуля они практически становятся изоляторами (рис. 2).
Зависимость удельного сопротивления ρ чистого полупроводника от абсолютной температуры T.
Такой ход зависимости ρ(T) показывает, что у полупроводников концентрация носителей свободного заряда не остается постоянной, а увеличивается с ростом температуры. Механизм электрического тока в полупроводниках нельзя объяснить в рамках модели газа свободных электронов
28. Дырочно-электронный переход в полупроводниках
p-n-Переходили электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
В полупроводнике p-типа концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов. В полупроводнике n-типа концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок. Если между двумя такими полупроводниками установить контакт, то возникнет диффузионный ток — носители заряда, хаотично двигаясь, перетекают из той области, где их больше, в ту область, где их меньше. При такой диффузии электроны и дырки переносят с собой заряд. Как следствие, область на границе станет заряженной, и область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе раздела, получит дополнительный отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получит положительный заряд, приносимый дырками. Таким образом, граница раздела будет окружена двумя областями пространственного заряда противоположного знака.
Электрическое поле, возникающее вследствие образования областей пространственного заряда, вызывает дрейфовый ток в направлении, противоположном диффузионному току. В конце концов, между диффузионным и дрейфовым токами устанавливается динамическое равновесие и перетекание зарядов прекращается
29. Понятие магнитного поля. Сила Лоренца и сила Ампера
Магни́тноепо́ле — силовое поле, действующее на движущиеся электрические заряды и на тела, обладающие магнитным моментом, независимо от состояния их движения магнитная составляющая электромагнитного поля
Магнитное поле может создаваться током заряженных частиц и/или магнитными моментами электронов в атомах (и магнитными моментами других частиц, хотя в заметно меньшей степени) (постоянные магниты).
Кроме этого, оно появляется при наличии изменяющегося во времени электрического поля.
Основной силовой характеристикой магнитного поля является вектор магнитной индукции (вектор индукции магнитного поля) С математической точки зрения — векторное поле, определяющее и конкретизирующее физическое понятие магнитного поля. Нередко вектор магнитной индукции называется для краткости просто магнитным полем
Сила Лоренца
Так как электрический ток представляет собой упорядоченное движение зарядов, то действие магнитного поля на проводник с током есть результат его действия на отдельные движущиеся заряды.
Силу, действующую со стороны магнитного поля на движущиеся в нем заряды, называют силой Лоренца.
Сила Лоренца определяется соотношением:
Fл = q·V·B·sina
где q - величина движущегося заряда;
V - модуль его скорости;
B - модуль вектора индукции магнитного поля;
a - угол между вектором скорости заряда и вектором магнитной индукции.
сила Лоренца перпендикулярна скорости и поэтому она не совершает работы, не изменяет модуль скорости заряда и его кинетической энергии. Но направление скорости изменяется непрерывно
Сила Лоренца зависит от модулей скорости частицы и индукции магнитного поля. Эта сила перпендикулярна скорости и, следовательно, определяет центростремительное ускорение частицы. Частица равномерно движется по окружности радиуса r.
сила Ампера это та сила, с которой магнитное поле действует на проводник, с током помещённый в это поле. Величину этой силы можно определить с помощью закона Ампера. В этом законе определяется бесконечно малая сила для бесконечно малого участка проводника. Что дает возможность применять этот закон для проводников различной формы.
F=B.I.ℓ. sin a
Закон Ампера
B индукция магнитного поля, в котором находится проводник с током
I -сила тока в проводнике
dl-бесконечно малый элемент длинны проводника с током
альфа -угол между индукцией внешнего магнитного поля и направлением тока в проводнике
Направление силы Ампера находится по правилу левой руки. Формулировка этого правела, звучит так. Когда левая рука расположена таким образом, что лини магнитной индукции внешнего поля входят в ладонь, а четыре вытянутых пальца указывают направление движения тока в проводнике, при этом отогнутый под прямым углом большой палец будет указывать направление силы, которая действует на элемент проводника.