Требования к отчету

Отчет содержит:

1. Титульный лист.

2. Цель работы.

3. Последовательность основных операций ( см. п. 3 ) изготовления КМДП структуры и эскиз сечения комплементарной пары МДП транзисторов.

4. Заполненные формы табл. 3 и 4 по результатам эксперимента и эскизы элементов.

Контрольные вопросы

1. Назовите последовательность основных технологических операций изготовления КМДП структур с алюминиевыми затворами.

2. Нарисуйте сечение комплементарной пары МДП транзисторов с алюминиевым затвором и изоляцией p-n переходом и укажите области истока, стока, затвора и канала, изолирущего перехода.

3. Назовите последовательность основных технологических операций изготовления КМДП структур с поликремниевыми затворами.

4. Нарисуйте сечение комплементарной пары МДП транзисторов с диэлектрической изоляцией и поликремниевыми затворами и укажите области стока, истока, затвора и канала, диэлектрической LOCOS изоляции

5. Сравните структуры КМДП и КМДП по следующим параметрам: степени интеграции, быстродействию, потребляемой мощности.

6. Расскажите методику определения операции, с которой снят образец при визуальном осмотре.

7. Как произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП структур?

8. Рассчитать толщину подзатворного диэлектрика ( окиси кремния ) для получения напряжения пробоя не менее 50 В, если напряженность поля пробоя окисла равна 5 10⁶ В/см.

9. С какой технологической операции снята данная пластина?

10. Как выращивается тонкий подзатворный окисел?

11. Для чего в МДП структурах нужен толстый окисел? Как его выращивают?

12. Почему для межслойной изоляции и пассивации используют фосфоросиликатное стекло?

13. Зачем при изготовлении МДП транзисторов p-типа две структуры углубленного канала ?

14. Какие материалы используют для получения затворов МДП транзисторов? Особенности поликремниевых затворов.

15. Почему в КМДП структур выполняют операции подгонки пороговых напряжений?

16. Зачем делают p-охрану под полевой окисел с LOCOS процессе ?

17. Объясните, является ли изученная технология КМДП структур с поликремниевыми затворами самосовмещенной?

18. Почему производят легирование поликремниевых затворов?

19. Количество и назначение операций окисления ( влажного и сухого ) при производстве КМДП структур с алюминиевыми затворами.

20. Количество и назначение операций окисления ( влажного и сухого ) при производстве КМДП структур с поликремниевыми затворами.

21. Количество и назначение операций ионного легирования и диффузии при производстве КМДП структур с алюминиевыми затворами.

22. Количество и назначение операций ионного легирования и диффузии при производстве КМДП структур с поликремниевыми затворами.

23. Количество и назначения операций фотолитографии при производстве КМДП структур с алюминиевыми затворами.

24. Количество и назначение операций ионного легирования и диффузии при производстве КМДП структур с поликремниевыми затворами.

25. ^* Назовите последовательность основных технологических операций производства р - канальных МДП структур с алюминиевыми затворами. Нарисуйте эскиз сечения структуры.

26. ^* Назовите последовательность основных операций технологического LOCOS процесса в КМДП технологии с поликремниевыми затворами и диэлектрической изоляцией. Нарисуйте эскиз сечения структур в LOCOS процессе.

27. ^* Назначение и принцип работы элементов изоляции активных МДП структур в КМДП технологии с алюминиевыми затворами ( охранное кольцо, защитный диод, ограничительный резистор ).

28. ^* Назначение и принцип работы элементов изоляции активных МДП структур в КМДП технологии с поликремниевыми затворами ( охранное кольцо, защитный диод, ограничительный резистор, полевой окисел, Р-охранные области ).

^* Вопросы повышенной сложности.