6.4.5. Імпульсний модулятор з індуктивним накопичувачем.

В вигляді накопичувального елемента в цих схемах використовуєть­ся соленоїд значної величини індуктивності (десяті долі-одиниці ген­рі). Перевагою таких схем з індуктивним накопичувачем є те,що в них (на відміну від схем з ємнісним накопичувачем) використовується низьковольтне джерело живлення.

По способу ввімкнення накопичувальної Індуктивності відносно високочастотного генератора відрізняють послідовну і паралельну схему

Мал. 6.46. Спрощені схеми імпульсних модуляторів з індуктивним накопичувачем.

Фізичні процеси накопичення енергії і одержання високовольтної напруги для живлення високочастотного генератора в схемі з індуктивним накопичувачем полягає в тому, що при повільному заряді індуктив­ності струмом нею накопичується електрична енергія. Раптове ввімкнен­ня електронного ключа ЕК і різка зміна струму індуктивності приво­дить до появи електрорушійної сили самоіндукції яка протилежна по знаку основному джерелу живлення Е і може досяга­ти значень одиниць-десятків кіловольт.

В схемі з послідовним ввімкненням накопичувальної індуктивності Lнак (мал 6.46а) при закритому електронному ключі ЕK вона заряд­жається струмом через обмежуючий резистор R_обм при розімкненні ключа ЕК струм через L_нак різко змінюється, появляється ЕРС само­індукції е_L , яка ввімкнена послідовно з напругою основного джере­ла живлення Е і використовується для живлення високочастотного гене­ратора. Очевидні недоліки такої схеми: електронний ключ ввімкнений більший проміжок часу для проведення заряду L_нак тому лампа ЕK перебуває в тяжкому тепловому режимі ; для живлення генератора тре­ба приймати додаткові міри електробезпеки основного джерела живлення Е, оскільки воно в момент появи е_L ввімкнено безпосередньо з високовольтною напругою. Крім того, при використанні магнетрона в такій схемі його анод не може бути заземлений. Тому в практичних схемах використовується паралельне ввімкнення L_нак (мал.6.46б), для якої докладно розглянемо фізичні процеси в ній і практичну схему. При відсутності тактового імпульсу і закритому електронному ключі ЕК L_нак через R_обм заряджається струмом до визначеної величини (мал. б.47а).

Мал. 6.47. Форми струму і напруги в схемі з паралельним ввімкненням накопичувальної індуктивності і прак­тична схема.

Оскільки напруга на L_нак є різницею між джерелом живлення і напругою на обмежуючому резисторі, тобто, то її форма при постійній напрузі Е і збільшуваному представляє собою зменшувану напругу. Все це відбувається при від­сутності тактового імпульсу.

При приході позитивного тактового імпульсу і замиканні лампи електронного ключа різко змінюється струм заряду L_нак появляється ЕРС самоіндукції BL , яка має значну величину і протилежна по знаку. Вона і використовується для живлення магнетрона, який генерує радіоімпульс (мал. 6.47б). Зарядний діод Д захищає основне дже­рело живлення S від пробою з момент дії тактового імпульсу, Перева­гою цієї схеми є те, що магнетрон М має заземлений анод.