2.1. Особливості статичних характеристик активних елементів, які використовуються в радіопередавачах.

При використанні транзисторів і електронних ламп в каскадах радіопередавачів необхідно враховувати особливості їх статичних характеристик.

Біполярні транзистори (БТ) дуже широко використовуються в радіопередавачах. Оскільки структура БТ фактично складається з двох переходів: база - емітер, як відкритого переходу, зображеного напівпровідниковим діодом для БТ типу n-р-n і закритого переходу база - колектор, зображеного діодом в зворотньому ввімкненні (рис. 2.2а), то його еквівалентна схема якраз і може бути представлена послідовним з'єднанням двох діодів.

В довідковій літературі найбільш часто приводяться вхідні і вихідні характеристики БТ І_б = ƒ(U_бе) і І_к = ƒ (U_ке), зображені на малюнку 2.2б,в. Особливістю вхідних характеристик є те, що фактично тут найбільш часто приводиться дві характеристики при напрузі на колекторі |U_к|>0 (для підсилювального режиму) і при напрузі на колекторі U_к = 0 (для імпульсного режиму). Вихідні характеристики приводяться при різних величинах базового струму І_б. Область лінійного режиму та область насичення її розділена умовною лінією, яка

Рис. 2.2. Статичні характеристики біполярного транзистора.

широко використовується в радіопередавачах, називається лінією критичного режиму ЛКР, і може бути продовжена при подачі на колектор від'ємної напруги — U_ке, оскільки в цьому випадку за умови позитивної напруги на базі (рис 2.2а) перехід база-колектор може бути відкритий і через нього протікає - зворотній струм колектора. Перехідна характеристика БТ І_к = ƒ(U_бе) може бути легко побудована при використанні вхідної і вихідної характеристик і має нелінійну ділянку при U_бе ≈ 0,2 ... 0,8 В і ділянку насичення при значних U_бе.

Для польових транзисторів (ПТ), як правило, приводяться перехідна і вихідна характеристики І_с = ƒ(U_зв) і І_с = ƒ(U_св), які зображені на 2.3а,б,в.

Ці характеристики приведені для ПТ n-типу, де для перехідної характеристики лінійна ділянка знаходиться при негативних величинах U_зв, а на вихідних характеристиках, які відкладені при різних величинах U_зв, є також лінійна область і область насичення, яких розділяє лінія критичного режиму.

Рис. 2.3. Статичні характеристики польових транзисторів.

Для двозатворних ПТ (КП306, КП350) іноді приводиться залежність стокового струму і від напруги на другому затворі U_з2 І_с = ƒ(U_з2), яка зображена на рис. 2.3в і фактично є також перехідною характеристикою по другому затвору, оскільки в таких ПТ другий затвор фактично також є сигнальним.

Для електронних ламп (ЕЛ) найчастіше приводяться перехідна І_а = ƒ(U_ск) характеристика (рис. 2.4а) і вихідна І_а = ƒ(U_ак) характеристика (мал. 2.4б), де зображено сімейство характеристик анодного струму І_а від напруги на першій сітці відносно катоду U_ск і від напруги між анодом і катодом U_ак.

На перехідній характеристиці лінійна ділянка залежності анодного струму лежить при від'ємних значеннях напруги U_ск, а струм сітки І_с появляється лише при позитивних значеннях U_ск. На вихідних характеристиках лінійна область і область

Рис. 2.4. Статичні характеристики електронних ламп.

насичення також розділені лінією критичного режиму ЛКР. Для пентодів іноді приводиться залежність анодного струму І_а від напруги на екранній сітці U_е І_а = ƒ(U_е), зображеній на рис. 2.4в, а також залежність анодного струму І_а від напруги на третій (антидинатронній) сітці U_сз І_а = ƒ(U_сз), зображеній на рис. 2.4в.