2.8.3. Схема живлення ділянки другого затвору (екранної сітки).

При використанні схеми ГЗЗ на двозатворному польовому транзисторі чи пентоді виникає необхідність правильної побудови схеми живлення ділянки другого затвору чи екранної сітки, де ці електроди фактично виконують однакову функцію.

Рис. 2.21. Схеми живлення ділянки другого затвору і екранної сітки.

Живлення другого затвору в схемі ГЗЗ на польовому затворі 2.21а) здійснюється при допомозі резистивного дільника R₁,R₂. Необхідна напруга на другому затворі U_зе ≈ (0,5 … 0,9) Е_с, тому при виборі струму резистивного дільника десяті долі … одиниці міліампер (струм другого затвору фактично близький до нуля), одержують U_з2, як падіння напруги на R₂. Ємність C_бл, яка завжди вмикається, паралельно R₂, повинна закоротити зміну складову струму, яка може проникнути з виходу на другий затвор через прохідну ємність C_пр (показана пунктиром), на корпус.

Живлення екранної сітки лампових ГЗЗ може здійснюватись від окремого джерела живлення (рис. 2.21б), якщо споживана екранною сіткою потужність значна (характерно для кінцевих каскадів передавача), або при допомозі R_е, С_е, де необхідна напруга U_екр ≈ (0,5 … 1) Е_а одержується при проходженні екранного струму (сумірного по величині з анодним) через R_е (рис. 2.21в). Оскільки U_екр = Е_а – І_екрR_е, то видно, що необхідна величина опору R_е визначається струмом екранної сітки І_екр і напругою живлення схеми Е_а. Ємність С_е призначена для закорочення змінної складової напруги, яка виникає на екранній сітці, і усуває появу негативного зворотнього зв'язку, який може виникати при відсутності С_е, що показано на рис. 2.21г. Наявність в колі екранної сітки, який можна розглядати як активний опір навантаження, приводить до виникнення протифазної напруги на екранній сітці при появі синусоїдальної U_вх на першій сітці. Як видно, при цьому амплітуда змінної складової анодного струму (а, очевидно, і вихідної змінної напруги на контурі) зменшується, оскільки поява позитивного напівперіоду U_вх приводить до зменшення U_екр, зменшення густини електронного потоку, зменшення амплітуди І_а (показано пунктиром). Аналогічно, зменшується амплітуда І_а при негативному напівперіоді U_вх. Тому ємність закорочує змінну складову напруги U_екр і усуває негативний зворотній зв'язок, який іноді називають внутрішнім. Звичайно, ніякого зворотнього зв'язку не буде існувати в схемі ГЗЗ на двозатворному ПТ, тому що струм другого затвору (на відміну від екранного струму) фактично дорівнює нулю.

2.8.4. Схема живлення антидинатронної сітки.

В лампових ГЗЗ на пентодах побудова схеми живлення антидинатронної сітки здійснюється достатньо просто. Як видно з характеристики лампи І_а = ƒ(U_сз), тобто, залежності анодного струму І_а від напруги на третій (антидинатронній) сітці U_сз відносно катоду, можна зробити висновок, що вибір робочої точки здійснюється на лінійній ділянці в точці 1, де необхідно забезпечити негативну напругу U_сз на антидинатронній сітці відносно катоду або величині цієї напруги, рівної нулю (робоча точка 2), що зображено на рис. 2.22а. Реалізація схеми живлення може бути здійснена використанням

Рис. 2.22. Схеми живлення антидинатронної сітки.

стороннього джерела живлення Е_сз (рис. 2.22б), заземленням антинатронної сітки (рис. 2.22в), в результаті чого на цій сітці відносно катоду (при наявності схеми автоматичного зміщення в катоді) забезпечується негативна напруга. При необхідності одержання нульової напруги зміщення (робоча точка 2) закорочують третю сітку з катодом всередині лампи чи зовні (рис. 2.22г).