
8.4. Варикапы
Варикап – это полупроводниковый диод, который используется в качестве электрически управляемой емкости. В варикапах используется свойство барьерной емкости обратно-включенного р-п-перехода изменять свою величину в зависимости от приложенного к нему напряжения.
Барьерная емкость р-п-перехода
,
(8.3)
где ε – относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; ε0 – диэлектрическая постоянная; Sp-n – площадь р-п-перехода; dр-п – ширина р-п-перехода.
С увеличением обратного напряжения Uобр, приложенного к р-п-переходу, увеличивается dр-п и уменьшается Сб (рис. 8.7).
Рис. 8.7. Зависимость емкости варикапа
от обратного напряжения
Основными параметрами варикапов являются: номинальная (начальная) емкость Сном; добротность Qв; коэффициент перекрытия; температурный коэффициент емкости αС.
Номинальная емкость Сном – барьерная емкость р-п-перехода при заданном напряжении смещения (от долей пФ до сотен пФ).
Коэффициент перекрытия КС – отношение емкостей варикапа при двух заданных значениях обратных напряжений:
.
(8.4)
Характерные значения КС составляют 2 – 20.
Добротность Qв – отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения. Как правило, варикапы работают в диапазоне высоких и сверхвысоких частот (f > 1 МГц), для которых
,
(8.5)
где f – частота; С – емкость варикапа; r – последовательное (по отношению к С) активное сопротивление диода.
В настоящее время достигнуты значения Qв > 500 при f = 50 МГц и С = 70 пФ.
Температурный коэффициент емкости αС – отношение относительного изменения емкости к вызывающему его изменению температуры:
.
(8.6)
Варикапы изготавливают на основе кремния, германия, арсенида галлия. Для кремниевых варикапов с резким р-п-переходом αС имеет значение 5·10–4 град–1 при |u| = 4 В. С усилением зависимости С от U, а также при понижении Uмин αС возрастает и при U = 1 В может достигать 5·10–3 град–1.
В радиоэлектронных устройствах свойство нелинейного изменения емкости варикапа используют для получения параметрического усиления, умножения частоты и т.д., а возможность электрического управления емкостью – для дистанционной и безынерционной перестройки резонансной частоты колебательных контуров.
8.5. Лавинно-пролетные диоды
Лавинно-пролетные диоды – это полупроводниковые диоды, работающие в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении р-п-перехода и предназначенные для генерации СВЧ-колебаний.
В качестве примера рассмотрим процессы, происходящие в структуре р+ ‑ п – п+ при обратном напряжении, имеющем постоянную и переменную составляющие. Когда суммарное напряжение превышает пробивное, начинается ударная ионизация – лавинный пробой. Пары электрон – дырка, генерируемые в узкой части р-п-перехода, где напряженность электрического поля достаточна для ударной ионизации, разделяются полем (рис. 8.8).
Рис. 8.8. Структура лавинно-пролетного диода (а),
распределение напряженности электрического поля (б);
вольт-амперная характеристика с рабочей точкой А (в)
Ток, вызванный движением новых носителей заряда, проходит до тех пор, пока носители не выйдут из р-п-пе-рехода. За время пролета носителей заряда через переход (в нашем примере – электронов) напряжение на диоде может успеть уменьшиться, если частота переменной составляющей будет большой. Таким образом, из-за конечного времени пролета носителей и инерционности процесса развития лавины появляется фазовый сдвиг между проходящим через диод током и приложенным к диоду переменным напряжением высокой частоты. При сдвиге фаз, равном 180º, нарастание напряжения все время будет сопровождаться уменьшением тока и наоборот. Это свидетельствует о том, что для данной частоты переменного напряжения в течение всего периода колебаний выполняется условие отрицательного дифференциального сопротивления. Лавинно-пролетные диоды обладают отрицательным дифференциальным сопротивлением только для СВЧ-колебаний.
Всякий прибор с отрицательным дифференциальным сопротивлением может быть использован для генерации и усиления электромагнитных колебаний. Лавинно-пролетные диоды используют для генерации СВЧ-колебаний большой мощности с частотой порядка нескольких сотен гигагерц.
Лавинно-пролетные диоды имеют высокий уровень шума, присущий ударной ионизации, так как небольшие отклонения тока (дробовóй шум) через р-п-переход усиливаются при ударной ионизации. Поэтому лавинно-пролетные диоды применяют только для генерации СВЧ-колебаний и не используют для усиления слабых сигналов.