
- •Схемотехника
- •Содержание
- •1. Общие сведения об электронных приборах
- •1.1 Полупроводниковые приборы.
- •1.2 Контакты металл-полупроводник
- •1.3 Полупроводниковые диоды.
- •1.4 Биполярные транзисторы.
- •1.5 Усиление с помощью транзистора
- •2 Схемотехника аналоговых устройств
- •2.1 Дифференциальный усилитель
- •2.1.1 Режимы работы дифференциального усилителя
- •2.1.2 Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока
- •2.1.3 Разновидности схем дифференциальных усилителей
- •2.1.4 Дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой
- •2.2 Выходные каскады усилителей
- •2.2.1 Простейшая двухтактная схема
- •2.2.2 Усилитель мощности с раздельным начальным смещением
- •2.3 Операционный усилитель
- •2.3.1 Назначение и основные параметры операционных усилителей
- •2.3.2 Двухкаскадный операционный усилитель
- •2.3.3 Внешние цепи
- •2.3.4 Инвертирующий усилитель
- •2.3.5 Неинвертирующий усилитель
- •3.2 Логические интегральные схемы
- •3.2.1Основные параметры логических интегральных микросхем
- •3.2.2 Схема дтл – диодно-транзисторной логики
- •3.2.3 Схемы ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики
- •3.2.3.1 Схема ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики с простым инвертором
- •3 .2.3.2 Схема ттл со сложным инвертором
- •3.2.4 Схемы эсл ‑ эмиттерно-связанной логики
- •3.2.4.1 Особенности схем эсл
- •3.2.4.2 Переключатель тока
- •3.2.4.3 Принцип действия базовой схемы эсл
- •3.2.5 Логические элементы на полевых транзисторах
- •3 .2.5.1 Логические элементы на мдп
- •3.3 Комбинационные логические схемы
- •3.3.1 Синтез комбинационной логической схемы
- •3.3.2 Дешифратор
- •3.3.2.2 Синтез матричного дешифратора
- •3.3.3 Шифратор
- •3.3.4 Мультиплексор
- •.3.5 Демультиплексор
- •3.4 Последовательностные логические схемы
- •3.4.1 Триггеры
- •3.4.2 Регистры
- •3.4.2.3 Регистры сдвига
- •3.4.3 Счетчики
- •3.5 Цифровые запоминающие устройства
- •4. Аналогово-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи
- •4.1. Параллельные ацп
- •4.2. Последовательные ацп
- •4.3. Последовательно-параллельные ацп
- •4.4 Цифро-аналоговые преобразователи
- •Список литературы
- •Схемотехника
- •050013, Алматы, ул. Байтурсынова, 126
2.1.3 Разновидности схем дифференциальных усилителей
Основными задачами разработки разновидностей схем ДУ являются увеличение коэффициента усиления усилителя и увеличение входного сопротивления.
Используются следующие разновидности схем ДУ:
а) на входах ДУ ставятся составные транзисторы (пара Дарлингтона), у которых гораздо выше входное сопротивление и коэффициент передачи тока равен произведению коэффициентов передачи тока обоих транзисторов;
б) на входах ДУ ставятся эмиттерные повторители, у которых входное сопротивление сотни килоомов;
в) ДУ с полевыми транзисторами на входах;
г) ДУ с динамической нагрузкой.
2.1.4 Дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой
Для
увеличения коэффициента усиления
усилителя Ku необходимо
увеличить коллекторную нагрузку
Rк,
но тогда потребуется увеличить напряжение
источника питания Ек.
В интегральных схемах увеличение
Rк ведет
к увеличению площади и габаритов
микросхемы. Поэтому в ИС
используется динамическая нагрузка,
т.е. вместо резисторов
Rк1 и
Rк2
ставятся
транзисторы VТ3
и VТ4,
которые имеют низкое сопротивление по
постоянному току и высокое – по
переменному. Транзисторы VТ3
и VТ4
имеют полярность, противоположную к
основным (см. рисунок 2.4).
Транзисторы VT1 и VT2 (n-p-n-типа) – основные, транзисторы VТ3 и VТ4 (p-n-p-типа) – коллекторная нагрузка. Эти транзисторы соединены коллекторами. Транзистор VТ3 используется в диодном включении. В эмиттерной цепи ставится генератор стабильного тока (ГСТ) для уменьшения влияния синфазного сигнала на схему.
Вход ДУ – дифференциальный, выход ‑ однотактный.
Транзисторы VТ3 и VТ4 включены по схеме токового зеркала – отражателя токов. Ток Iк1, протекая через VТ3, создает одинаковое смещение на базах транзисторов VТ3 и VТ4 Uбэ3=Uбэ4. Поэтому Iк4= Iк3, а Iк3 является током Iк1.
С
ледовательно
Iк4=Iк1.
VТ4
повторяет изменения токов VT1,
т.е. VТ4
полностью повторяет Iк1,
поэтому пара VТ3
и VТ4
называется токовым зеркалом.
Н
айдем
,
Uвых
и Кu.
Допустим,
на вход подан сигнал ec.
Приращение токов базы
и
.
Тогда токи коллекторов
и
.
Так как
,
то
.
Ток на выходе ДУ равен
.
Видно, что ток на выходе ДУ
усилился в
раз и удвоился.
Выходное
напряжение ДУ
,
где
- входное сопротивление последующего
каскада.
Коэффициент
усиления ДУ
.
При
.
Сопротивление может быть обеспечено в несколько сотен килоом, следовательно, коэффициент усиления ДУ по напряжению может достигать нескольких сотен и тысяч.
Таким образом, отражатель токов позволяет получить высокий коэффициент усиления по напряжению и удвоить сигнал на однотактном выходе.
2.2 Выходные каскады усилителей
Выходные каскады – это усилители мощности. Они служат для получения максимальной мощности в нагрузке при максимально возможном КПД и минимальных нелинейных искажениях.
В микроэлектронике класс А обычно используется редко из-за низкого КПД. Более популярны двухтактные усилители класса В и АВ.
2.2.1 Простейшая двухтактная схема
Рассмотрим простейшую двухтактную схему усилителя класса В на комплементарных транзисторах (см. рисунок 2.5).
Т
ранзистор
VT1
– n-p-n,
VT2
– p-n-p
–типа.
Н
агрузка
Rн
включена в эмиттерной цепи, т.е. транзистор
включен по схеме с общим коллектором,
следовательно, этот эмиттерный повторитель
дает большое усиление по мощности,
обусловленное высоким коэффициентом
усиления тока.
В режиме покоя оба транзистора закрыты, т.к. Uэб = 0 (класс В).
При подаче на вход положительной полуволны переменного напряжения VT1 – открывается, VT2 – закрывается. Течет ток от +Е1 ‑ КЭ1 ‑ Rн ‑ – Е1.
При
подаче отрицательной полуволны
переменного напряжения VT1
– закрывается, VT2
– открывается. Течет ток от +Е2
‑ Rн
‑ЭК2
‑ – Е2.
Таким образом, схема работает в два
такта: в первом такте открыт VT1,
во втором ‑ VT2,
т.е. на выходе усилителя имеет место
двуполярный сигнал. Коэффициент усиления
по мощности
.
Н
о
недостаток схемы в том, что она имеет
высокий коэффициент нелинейных искажений.
На рисунке 2.6 приведена совмещенная
передаточная характеристика
.
Длительность положительной и отрицательной
полуволн на выходе меньше полупериода
сигнала (часть синусоиды не усиливается).
Выходной ток Iэ
носит импульсный характер, т.е. имеет
большое число высших гармоник в своем
спектре. Это особенно существенно при
малых Uвх,
соизмеримых с U*.