
- •Схемотехника
- •Содержание
- •1. Общие сведения об электронных приборах
- •1.1 Полупроводниковые приборы.
- •1.2 Контакты металл-полупроводник
- •1.3 Полупроводниковые диоды.
- •1.4 Биполярные транзисторы.
- •1.5 Усиление с помощью транзистора
- •2 Схемотехника аналоговых устройств
- •2.1 Дифференциальный усилитель
- •2.1.1 Режимы работы дифференциального усилителя
- •2.1.2 Дифференциальный усилитель с генератором стабильного тока
- •2.1.3 Разновидности схем дифференциальных усилителей
- •2.1.4 Дифференциальный усилитель с динамической нагрузкой
- •2.2 Выходные каскады усилителей
- •2.2.1 Простейшая двухтактная схема
- •2.2.2 Усилитель мощности с раздельным начальным смещением
- •2.3 Операционный усилитель
- •2.3.1 Назначение и основные параметры операционных усилителей
- •2.3.2 Двухкаскадный операционный усилитель
- •2.3.3 Внешние цепи
- •2.3.4 Инвертирующий усилитель
- •2.3.5 Неинвертирующий усилитель
- •3.2 Логические интегральные схемы
- •3.2.1Основные параметры логических интегральных микросхем
- •3.2.2 Схема дтл – диодно-транзисторной логики
- •3.2.3 Схемы ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики
- •3.2.3.1 Схема ттл ‑ транзисторно-транзисторной логики с простым инвертором
- •3 .2.3.2 Схема ттл со сложным инвертором
- •3.2.4 Схемы эсл ‑ эмиттерно-связанной логики
- •3.2.4.1 Особенности схем эсл
- •3.2.4.2 Переключатель тока
- •3.2.4.3 Принцип действия базовой схемы эсл
- •3.2.5 Логические элементы на полевых транзисторах
- •3 .2.5.1 Логические элементы на мдп
- •3.3 Комбинационные логические схемы
- •3.3.1 Синтез комбинационной логической схемы
- •3.3.2 Дешифратор
- •3.3.2.2 Синтез матричного дешифратора
- •3.3.3 Шифратор
- •3.3.4 Мультиплексор
- •.3.5 Демультиплексор
- •3.4 Последовательностные логические схемы
- •3.4.1 Триггеры
- •3.4.2 Регистры
- •3.4.2.3 Регистры сдвига
- •3.4.3 Счетчики
- •3.5 Цифровые запоминающие устройства
- •4. Аналогово-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи
- •4.1. Параллельные ацп
- •4.2. Последовательные ацп
- •4.3. Последовательно-параллельные ацп
- •4.4 Цифро-аналоговые преобразователи
- •Список литературы
- •Схемотехника
- •050013, Алматы, ул. Байтурсынова, 126
3.2.4 Схемы эсл ‑ эмиттерно-связанной логики
3.2.4.1 Особенности схем эсл
Цифровые микросхемы эмиттерно-связанной логики имеют более высокое быстродействие, чем схемы ТТЛ (даже ценой большей рассеиваемой мощности), достигшее в настоящее время субнаносекундного диапазона, так как:
а) исключается насыщение транзисторов (время рассасывания избыточных носителей заряда t рас = 0);
б) в схеме применяются эмиттерные повторители (ЭП), ускоряющие процесс заряда емкости нагрузки, так как выходное сопротивление эмиттерного повторителя Rвых мало, ток выходной большой;
в)
меньше логический перепад
.
Наличие парафазного выхода дает возможность снимать прямые и инверсные значения, что позволяет уменьшить число используемых микросхем.
В отличие от простых схем ТТЛ, можно объединять выходы нескольких элементов ЭСЛ для расширения логических возможностей.
3.2.4.2 Переключатель тока
Особенность ЭСЛ заключается в том, что схема логического элемента строится на основе интегрального дифференциального усилителя (ДУ) в ключевом режиме (токовый ключ), выполненный на двух транзисторах (см. рисунок 3.14), которые могут переключать ток и при этом никогда не входят в режим насыщения. Дифференциальным усилителем называют усилитель, предназначенный для усиления разности двух входных сигналов. При этом полученное выходное напряжение не должно зависеть от абсолютного значения входных сигналов, а также от температуры окружающей среды и других факторов
где Ку — коэффициент усиления усилителя.
Н
а
базу одного из транзисторов, например,
VTоп,
подано некоторое постоянное опорное
напряжение Uоп.
.
Изменение напряжения, подаваемого на
вход UВХ
ниже или выше Uоп
приводит к перераспределению постоянного
тока эмиттера Iэ,
заданного токостабилизирующим резистором
Rэ,
между транзис-торами VT1
и VTоп.
При этом транзисторы не входят в режим насыщения, и, следовательно, в ключе принципиально отсутствует интервал времени рассасывания их неосновных носителей.
Существенный недостаток данной схемы — выходное сопротивление выходов велико, что не позволяет обеспечить высокое быстро-действие схемы. Для снижения выходного сопротивления к коллекторным выходам подключают эмиттерные повторители. Для получения нескольких логических входов используют один пороговый транзистор и несколько параллельно включенных входных транзисторов.
3.2.4.3 Принцип действия базовой схемы эсл
Функционально схема ЭСЛ состоит из трех узлов (см. рисунок 3.15):
а)
токового переключателя на транзисторах
VT1
VT4
и резисторах R1R3.
Содержит две ветви: входную ‑ на
транзисторах VТ1
VТ3
(максимально может быть до 9
входов) и резисторе R1
и опорную на VТ4
и резисторе R2.
Транзисторы работают в ключевом режиме,
а именно: открыт – активный режим, не
входит в насыщенный, и заперт. Ветви
имеют общее сопротивление R3.
Источник питания En
и резистор
R3
образуют генератор тока, причем R3
>> R1,
R2.
Это дает постоянство эмиттерного тока
;
б) источника опорного напряжения, включающего параметрический стабилизатор на элементах R5, VD1, VD2, R6 и эмиттерный повторитель на VT5 и R 4. VD1, VD2 – обеспечивают температурную компенсацию Uоп;
в)
выходных эмиттерных повторителей на
транзисторах VT6
и VT7.
Цепь нагрузок транзисторов VT6
и VT7
вынесена из ИС
ЭСЛ, что
способствует снижению рассеиваемой в
ней мощности и расширению функциональных
возможностей. Эмиттерные повторители
на VT6
и VT7
также являются сдвигателями уровней,
повторяют Uвх,
но сдвигают его на 0,7
В для
обеспечения входа и выхода низкого
и высокого
уровней.
Таким образом, эмиттерные повторители на VT6 и VT7 обеспечивают:
формирование выходных сигналов;
развязку между переключателями тока и нагрузкой;
высокую нагрузочную способность;
быстрый перезаряд емкости нагрузки за счет малого выходного сопротивления.
В схеме общей шиной является шина +Еп, в результате чего потенциалы точек схемы отрицательны относительно общей шины. Однако в схеме ЭСЛ так же, как и в схемах ТТЛ, реализован принцип положительной логики, при которой большему выходному напряжению соответствует сигнал логической единицы, а меньшему – сигнал логического нуля.
Быстродействие токового переключателя высокое, так как транзисторы не входят в насыщение и, кроме того, мал логический перепад напряжений между значениями логического нуля и логической единицы. Это обеспечивается выбором малых значений сопротивлений резисторов R1 и R2 схемы, что крайне полезно с точки зрения уменьшения постоянной времени перезаряда выходной емкости транзистора.
Нетрудно заметить, что рассмотренная схема реализует по выходу y1 операцию ИЛИ-НЕ, а по выходу у2 – операцию ИЛИ
;
.
Р
езисторы
RБ,
включенные между базами транзисторов
VТ1
VТ3
и – En,
обеспечивают запертое состояние этих
транзисторов при отсутствии входного
сигнала. Это позволяет не беспокоиться
о подключении неиспользуемых входов
ИС
к выводам источника питания.
Условное обозначение ЭСЛ имеет вид