Висновки

При виконанні поставленого технічного завдання, були закріпленні знання, отримані при вивченні курсу і виконанні лабораторного практикуму, а також вивчення питань моделювання напівпровідникових приладів і ідентифікації параметрів їх моделі.

За отриманими розрахунками при розрахунку РГЗ№1, була побудована енергетична діаграма p-n-переходу (рис. 1.3.).

Також у ході роботи були отримані практичні навички розрахунку параметрів і побудови характеристик н/п випростовуючи діодів. Дослідження залежності параметрів від температури, які показали, що при збільшенні температури Т₀ активний опір R_a, диференційний опір R_д і коефіцієнт випростовування К_в діода зменшується за рахунок збільшення струму, а коефіцієнт електричного навантаження К_е збільшується.

При порівнянні побудованих ВАХ p-n-переходу при (рис. 2.1.), а при (рис. 2.2.) було встановлено, що при параметри ВАХ діода мають більші числові значення, тобто діод є більш потужним при , бо його пряма гілка ближча до вертикальної осі, а зворотня – до горизонтальної.

РГЗ виконано з дотриманням правил оформлення СТП15-96.