Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України

Запорізький національний технічний університет

Кафедра:ІТЕЗ

РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНЕ ЗАВДАННЯ №1,2

З дисципліни «Електронні прилади»

РГЗ №1 – «Розрахунок параметрів комплексної фізико-технічної моделі напівпровідникового діоду».

РГЗ №2 – «Розрахунок параметрів діода в заданій робочій точці»

Варіант № 40

Розробив ст. гр. РТ-111 Павленко Р.І.

Перевірив ас. Пономаренко О.С.

2012 р.

Реферат

ПЗ

Об’єкт дослідження – напівпровідниковий кремнієвий діод.

Метод дослідження – аналітичний, аналітично-графічний, графічний, розрахунковий, метод моделювання.

Мета роботи – закріплення знань, отриманих при вивченні курсу і виконанні лабораторного практикуму, а також вивчення питань моделювання напівпровідникових приладів і ідентифікації параметрів їх моделі.

Напівпровідниковий діод – це напівпровідниковий прилад з одним випростовуючим електричним переходом і двома зовнішніми виводами.

Випростовуючим електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник. Випростовуючий перехід, окрім дефекту випростовування, має й інші властивості, що використовуються для різних видів напівпровідникових діодів: випростовувальних діодів, помножувачів, модуляторів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших.

При автоматизованому проектуванні мікроелектричної апаратури (МЕА) широко використовуються моделі елементної бази, зокрема, моделі напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем (ІМС). Найбільш поширеними є топологічні моделі, наведені у вигляді еквівалентної заступної схеми або не спрямованого графа, вітки яких відбивають шляхи розповсюдження фізичного процесу у приладі.

Н/П ДІОД, ПАРАМЕТРИ, ВАХ, ТЕМПЕРАТУРНА ЗАЛЕЖНІСТЬ, ЕНЕРГЕТИНА ДІАГРАМА.

ЗМІСТ

Завдання до проекту

Реферат

Вступ

1. Розрахунок параметрів комплексної фізико-топологічної моделі (КФТМ) парівпровідникового діода. побудування енергетичної діаграми

1. Вихідні дані

   1. Характеристики та параметри вихідного матеріалу

   2. Аналіз домішок

1.1.3 Конструктивно-технологічна характеристика p-n переходу

2. Комплексна фізико-топологічна модель напівпровідникового діода

3. Ідентифікація первинних параметрів моделі діода

   1. Розрахунок фізичних параметрів структури

   2. Розрахунок первинних параметрів КФТМ діода

4. Побудова енергетичної діаграми p-n переходу діода

1. Розрахунок параметрів діода в заданій РОБОЧІЙ ТОЧЦІ (U_a). ПОБУДУВАННЯ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ.

   1. Вихідні дані

   2. Побудування ВАХ p-n переходу діода

   3. Розрахунок параметрів діода у заданій робочій точці (U_a).

Висновки

Перелік дітератури

ВСТУП

Мета роботи – закріплення знань, отриманих при вивченні курсу і виконанні лабораторного практикуму, а також вивчення питань моделювання напівпровідникових приладів і ідентифікації параметрів їх моделі.

Напівпровідниковий діод – це напівпровідниковий прилад з одним випростовуючим електронним переходом і двома зовнішніми виводами.

Випростовуючим електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник. Випростовуючий перехід, окрім дефекту випростовування, має й інші властивості, що використовуються для різних видів напівпровідникових діодів: випростовувальних діодів, помножувачів, модуляторів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших.

Випрямні діоди – найбільша велика, але не вичерпуюча всі можливості випрямних діодів область їх застосування. Випрямні діоди використовуються для розв’язку в електричних ланцюгах, у ланцюгах керування й комутації й інше.

Напівпровідникові випрямні діоди володіють рядом істотних переваг. Мають високий к.к.д.; не вимагають витрат потужності для підігріву катода й тому постійно готові до дії; виділяють при роботі меньшу кількість тепла; великий термін служби й надійності. Крім того, напівпровідникові діоди мають малі габарити й велику стійкість до механічних впливів, що є одним з істотних факторів, що визначають вибір радіоелементів при конструюванні сучасних радіоелектронних апаратур.