- •4.Решетки Бравэ
- •5. Упругие волны в кубических кристаллах.
- •3. Точечная группа симметрии
- •6. Рентгеновские харак-кие спектры и испускания.
- •10. Уравнение Лауэ. Уравнение Вульфа-Брегга.
- •17. Общий алгоритм анализа спектров.
- •16. Роль структурного фактора в определении интенсивности рентгеновских спектров
- •1 1. Основные схемы рассеивания CuKγ (гамма) – излучения, энергии, длины волн.
- •2. Матрицы симметричных преобразований.
1 1. Основные схемы рассеивания CuKγ (гамма) – излучения, энергии, длины волн.
Рис. демонстрирует возникновение CuKγ рентген-овского излучения. 2р переходит на незанятую 1s оболочку. Освободившаяся при этом энергия испускается в виде рентгеновских лучей. Переход с 2р к 1s сопровождается с α-излучением с длиной волны 1,5418Ᾰ. 3р на 1s создается Кβ с длиной волны 1,3922Ᾰ.
15.Задачи решаемые в ходе РСА кристаллов.Возникают 3 задачи:1)найти размеры и форму элемент.ячеек решетки кристалла и количество атома,приходящ.на элементарн.ячейку.2)определить закон симметрии,по которому атомы должны размещаться в ячейке,т.е пространственную группу симметрии кристаллов.3)найти конкретное положение(координаты)каждого симметрически независимого атома ячейки.
М-поток
падающих излучений,N-поток
рассеивающих излучений.а-одномерная
цепочка.Сдвиг фаз для элементарной
ячейки:
.Сдвиг
фаз для двухатомов в элемент.ячейке:
Услдовие Лауэ для дифракции рентген.лучей
на цепочке одномерного кристалла:
.Поскольку
не превосходит 1,то
,только
в этом случае происх.рассеивание
рентгеновск.лучей.В случае 3-мерного
кристалла:
.
a,b,c-периоды
повторяемости вдоль осей x,y,z.По
физич.смыслу целые числа p,q,r
равен разностям хода лучей(выраженные
в длинах волн)рассеиваемых в
дифракц.направлении с соседними
атомами,расположенными на осях
x,y,z.Вместе
3 числа p,q,r
характеризует одно из направлений и
наз-ся индексами дифракц.луча.Каждый
луч харак-ся своим индексом p,q,r.
13.
Структурная амплитуда –
это амплитуда волны, рассеянной в данном
направлении всеми атомами элементарной
ячейки. Она обычно выражается в
электронных единицах, т.е. по отношению
к интенсивности рассеяния одним
электроном.
На
структурном факторе (амплитуде) сильно
сказываются кристаллографические
особенности кристаллической структуры:
ее элементы симметрии, тип решетки.
Структурный фактор (амплитуда) есть
безразмерная величина, характеризующая
только кристаллическую структуру.
Структурный фактор ОЦК решетки.
Базис ОЦК решетки состоит из двух
одинаковых атомов. Их координаты в
обычной элементарной кубической ячейке
равны 000 и
т. е. для одного из атомов
,
а для другого
.
Структурный
фактор ГЦК решетки.
Базис ГЦК решетки
состоит
из четырех одинаковых атомов. Их
координаты в обычной элеменатрной
кубической ячейке: 000;
;
;
.
12. Межплоскостное расстояние dhkl по определению равно длине перпендикуляра, опущенного из начала координат на плоскость, пересекающую оси x, у, z. в точках a/h ; .b/k ; c/l.
Рентгеновский структурный анализ с 1916 г. начал применяться для определения межплоскостных расстояний и параметров ЭЯ моно- и поликристаллических в-в. В 50-х гг. XX в. начали бурно развиваться методы этого анализа с использованием ЭВМ в технике эксперимента и при обработке рентгеновских дифракционных картин. Результаты исследований практически для всех кристаллических в-в, а также кристаллических полимеров, аморфных тел и жидкостей широко представлены как в государственных, так и в международных стандартных справочных источниках.
