23.Коэффициент напряжённости.

Для анализа режима усилителя важное значение имеет величина амплитуды колебательного анодного напряжения, которую удобно нормировать к постоянному напряжению анодного питания.

Величину Пси называют коэффициентом использования анодного напряжения или коэффициентом напряжённости режима. Значение этого коэффициента в критическом режиме обозначается как Пси кр или Пси гр. Сопоставляя рабочее значение коэффициента с граничным можно охарактеризовать напряжённость режима следующим образом:

Если Пси меньше Пси кр, то режим недонапряжённый.

Если оно больше, то перенапряжённый.

Если оно лежит в пределе от Пси кр до 1, то режим слабо перенапряжённый.

Если Пси больше 1, то режим сильно перенапряжённый.

Изменить напряжённость режима можно различными способами:

Увеличивая сопротивление нагрузки

Напряжение питания управляющей сетки

Напряжение возбуждения

Уменьшая напряжение питания анодной цепи

24.Коэффициенты Берга.

Для анализов тока, протекающего в виде периодической последовательности косинусоидальных импульсов пользуются теоремой Фурье, которая гласит, что периодическую последовательность косинусоидальных импульсов можно представить в виде суммы ряда гармонических составляющих и постоянной составляющей.

Iвых=iа=Ia0+Ia1(cosωt)+Ia2(cosωt)+…

Постоянная составляющая и амплитуды гармоник зависят от угла отсечки и амплитуды импульса.

Ia0=Альфа0Iм

Ia1=Альфа1Iм

Ian=АльфаnIм

Где Альфа0, Альфа1 и т.д. – коэффициенты разложения. Они показывают какую часть амплитуды импульса тока составляет каждая гармоника.

+++

Коэффициенты Берка достигают максимальной величины при угле отсечки 120градусов/n, где n – номер гармоники. Отрицательное значение коэффициентов разложения Альфа3, Альфа4 и т.д. означает сдвиг по фазе на 180 градусов, соответствующий гармоники анодного тока, по отношению к фазе первой гармоники.

На практике при расчёте генератора ищут оптимальное соотношение между КПД генератора и амплитудой первой гармоники тока. Чаще всего генераторы работают при угле отсечки 80-90 градусов.

25.Кпд антенного контура.

Целесообразность использования той или иной схемы определяется максимально достижимым КПД антенного контура, под которым понимают отношение мощности, затрачиваемой в антенне, ко всей мощности, развиваемой в антенном контуре 1/(1+((rн+rсв)/rа). Из последней формулы видно, что КПД повышается относительно увеличения активной составляющей входного сопротивления антенны по сравнению с сопротивлением потерь в органах связи и настройки. Эти потери в основном сосредоточены в катушках индуктивности так как добротность конденсаторов, как правило весьма высока. Поэтому КПД контура будет выше в той схеме, где индуктивность органов связи и настройки будут меньше.

Очевидно, что наиболее высокими показателями КПД будет обладать схема, приведённая на рисунке 2(а), которая может использоваться в случае, когда реактивная составляющая входного сопротивления антенны во всём рабочем диапазоне имеет индуктивный характер. Тогда органы связи и настройки будут представлять собой конденсаторы, сопротивление потерь которых весьма мало.

В том случае, когда входное сопротивление антенны имеет реактивную составляющую ёмкостного характера во всём рабочем диапазоне, целесообразно использовать схему 2(б). Если в этом случае в качестве органа связи или настройки использовать конденсатор, то результирующая ёмкость последовательно соединённого конденсатора и входной ёмкости антенны будет меньше каждой из этих ёмкостей и для получения резонанса в антенном контуре придётся взять катушку с большей индуктивностью, чем та, которая необходима для получения резонанса в контуре без конденсатора.

Таким образом для получения высокого КПД всегда целесообразно выбирать орган связи, имеющий реактивное сопротивление обратного характера по отношению к реактивной составляющей входного сопротивления антенны, при этом орган связи частично выполняет роль и органа настройки. Однако, когда знак реактивной составляющей входного сопротивления антенны изменяется по диапазону, приходится использовать схему, у которой органы связи и настройки имеют разный характер реактивности.

Существенным недостатком простой схемы является увеличение мощности потерь на аноде при расстройке или обрыве антенны. Другой недостаток, это трудность согласования лампы с антенной в рабочем диапазоне частот, особенно при работе с антенной с высоким сопротивлением.

Простые схемы выхода, несмотря на указанные недостатки и плохую фильтрацию гармоник находят применение в некоторых маломощных передатчиках, работающих при низких анодных напряжениях.

26.Линия критического режима. Уравнение линии критического режима. Характеристики транзисторов.

Анодная характеристика для нулевого сеточного напряжения , начинается в точке соответствующей анодному напряжению приведения , область малых анодных напряжений где реальные характеристики постепенно сливаясь , сходятся в одной точки ,на идеализированной характеристики представлено прямой ,выходящий из начала координат под углом альфа , эту линию называют линией критического режима , называют критической крутизной на проходной характеристики линией критического режима является прямая исходящий из точки соотвествушей сеточного напряжения приведения. Она разграничивает область где анодный ток зависит от напряжения на управляющей сетки и область где анодный ток не зависит от сеточного напряжения

Уравнение вида

Позволяет выразить ток анода через напряжение на сетке , анодное напряжение и параметры лампы в тетродах кроме управляющей сетки имеется ещё экранирующая сетка , положительное напряжение на которой , приводит к сдвигу проходной характеристики в лево , а выходной характеристики в верх . на линии критического режима выполняется равенство

В то же время остаётся верное равенство 1 . Приравнивая эти 2 выражения получим

Выражение в скобках обозначим буквой к уравнение 2 определяет соотношение между напряжениями на сетке и на аноде соответствующие границы не до напряженной и перенапряженной областей. Это уравнение называется уравнением линией критического режима ,идеализированные характеристики транзистора выглядят следующим образом

рис 1.4

Пунктирной линией на рисунке 1 .4 (Б) показана реальная проходная характеристика транзистора , крутизна статической характеристики и проницаемость транзистора

Как видно проходные характеристики коллекторного тока , могут быть идеализированные семейством прямых выходящих из точки Еб0 они аналогичны анодно сеточных характеристики ламы но в отличии от последних они существуют только при отрицательным напряжении базы для p-n-p транзисторов или только при положительном напряжении для транзисторов n-p-n структуры