
- •Основи електроніки та мікропроцесорної техніки
- •Основні дати відкриттів і винаходів в електроніці
- •Як вивчати електроніку
- •Розділ 1. Фізичні основи електронної теорії
- •1.1 Основи електронної теорії
- •1.1.1 Електрон та його властивості
- •1.1.2 Робота виходу електронів. Електронна емісія
- •Таким чином, для відриву від поверхні провідника електрони повинні затратити роботу проелектричних сил, які повертають їх назад:
- •1.1.3 Рух електронів в електричних та магнітних полях
- •1.1.4 Електричний струм в газі
- •Контрольні питання і вправи
- •1.2. Електрофізичні властивості напівпровідників
- •1.2.1 Фізичні властивості напівпровідників
- •1.2.2 Власна провідність напівпровідників
- •1.2.3 Домішкова провідність
- •Дрейфовий і дифузний струми в напівпровіднику
- •1.2.4 Електронно-дірковий перехід
- •1.2.5 Властивості р-n переходу
- •Контрольні питання і вправи
- •2. Електронні прилади
- •2.1. Пасивні елементи електроніки
- •2.1.1. Резистори
- •2.1.2 Конденсатори
- •2.1.3 Котушки індуктивності. Трансформатори
- •2.1.4 Коливальні контури
- •2.1.5 Напівпровідникові резистори
- •Терморезистори
- •Фоторезистори
- •Варистори
- •Контрольні питання і вправи
- •2.2 Напівпровідникові діоди
- •2.2.1 Випрямні діоди
- •2.2.2. Високочастотні та імпульсні діоди
- •2.2.3 Стабілітрони
- •2.2.4 Варикапи
- •2.2.5. Тунельні діоди
- •2.2.6 Фотодіоди
- •2.2.7 Світлодіоди
- •2.2.8 Маркування діодів
- •Контрольні питаня і вправи
- •2.3 Транзистори. Тиристори
- •2.3.1 Класифікація транзисторів
- •2.3.2 Будова та принцип роботи біполярних транзисторів
- •2.3.3 Схеми ввімкнення транзистора
- •Еквівалентна схема заміщення, h – параметри транзистора
- •Статичні характеристики транзистора та визначення за ними h - параметрів
- •Температурні і частотні властивості транзистора
- •Транзистор у режимі ключа
- •Польові транзистори
- •Одноперехідні (двобазові) транзистори
- •Фототранзистори
- •Тиристори
- •Контрольні питаня і вправи
- •2.4 Електровакуумні та іонні прилади
- •Електронні лампи
- •Електровакуумний діод
- •Маркування електровакуумних приладів
- •Іонні прилади тліючого розряду
- •Неонова лампа
- •Тиратрон
- •2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
- •2.5.1 Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем
- •2.5.2 Пасивні елементи
- •2.5.3 Активні елементи – безкорпусні напівпровідникові прилади
- •Контрольні питання і вправи
- •2.6 Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
- •2.6.1 Принцип виготовлення напівпровідникових імс
- •2.6.2 Великі імс
- •Контрольні питання і вправи
- •2.7 Оптоелектронні прилади
- •2.7.1 Елементна база мікроелектроніки – світловипромінювачі, фотоприймачі
- •2.7.2 Оптрони
- •Контрольні питання та вправи
- •Прилади відображення інформації
- •2.8.1 Електронно-променеві трубки
- •2.8.2 Буквенно-цифрові індикатори
- •Контрольні питання і вправи
- •3 Основи аналогової електронної схемотехніки
- •3.1 Підсилювачі
- •3.1.1 Призначення і характеристика підсилювачів
- •3.1.2 Основні показники роботи підсилювача
- •3.1.3 Підсилювачі низької частоти. Попередні каскади підсилення
- •3.1.4 Міжкаскадні зв’язки
- •3.1.5 Підсилювачі потужності
- •3.1.6 Зворотні зв’язки у підсилювачах
- •3.1.7 Фазоінвертори
- •3.1.8 Підсилювачі постійного струму Підсилювачі постійного струму прямого підсилення
- •Балансні та диференційні підсилювачі
- •3.1.9 Операційні підсилювачі
- •Масштабні інвертуючи підсилювачі
- •Масштабні неінвертуючи підсилювачі
- •Інтегратори
- •Компаратори
- •Контрольні питання та вправи
- •3.2 Генератори синусоїдних коливань
- •3.2.1 Класифікація генераторів
- •3.2.2 Автогенератори lc-типу
- •3.2.3 Стабілізація частоти lс - генераторів
- •3.2.4. Автогенератори типу rc
- •3.2.4. Автогенератор на тунельному діоді
- •3.2.5. Генератори на інтегральних мікросхемах
- •Контрольні питання та вправи
- •3.3 Випрямлячі. Стабілізатори
- •3.3.1 Класифікація випрямлячів
- •3.3.2 Однофазні випрямлячі
- •3.3.3. Випрямлячі з помноженням напруги
- •3.3.4. Трифазні випрямлячі
- •3.3.5. Згладжуючі фільтри
- •Стабілізатори постійної напруги
- •Стабілізатори струму
- •3.3.8 Стабілізатори постійної напруги на імс
- •3.3.9 Стабілізатори змінної напруги
- •3.3.10 Інвертори струму та напруги
- •Контрольні питання та вправи
- •Розділ 4. Основи цифрової електронної схемотехніки
- •4.1 Імпульсні пристрої
- •4.1.1 Загальні характеристики сигналів
- •Основні характеристики електричних сигналів імпульсного типу
- •4.1.2. Ключі як генератори імпульсів
- •4.1.3. Мультивібратори
- •4.1.4. Блокінг-генератор
- •4.1.5. Тригер на дискретних елементах
- •Контрольні питаня і вправи
- •4.2. Логічні елементи
- •4.2.1. Основні логічні операції (функції)
- •4.2.2. Найпростіші логічні схеми
- •4.2.3. Логічні інтегральні мікросхеми (класифікація)
- •4.2.4. Характеристики і параметри логічних мікросхем
- •4.2.5. Логічні імс типу дтл, ттл, на мдн (мон) транзисторах
- •4.2.6. Коротка характеристика деяких серій логічних імс
- •Контрольні питання та вправи
- •4.3. Цифрові пристрої
- •4.3.1. Цифрові способи зображення (передавання) інформації. Системи числення
- •4.3.2 Тригери на логічних елементах
- •4 Б .3.3. Двійковий лічильник та дільник частоти
- •4.3.4. Регістри
- •4.3.5. Комбінаційні цифрові інтегральні пристрої (комбінаційні цифрові мікросхеми)
4.1.4. Блокінг-генератор
Б
локінг-генератор
– це електронний
пристрій , який складається із
транзисторного ключа з трансформатором
в колі зворотного зв’язку і служить
для отримання імпульсів високої
сквапності (Q>10);
застосовується в пристроях імпульсної
техніки.
В
Рис. 4.10. Схема (а)
і потенціальні діаграми (б)
блокінг-генератора
На рис. 4.10. а приведена схема блокінг-генератора, який працює в автоколивальному режимі. Розглянемо принцип дії схеми, починаючи з моменту, коли конденсатор С зарядився до свого максимального значення Um, яке закриває транзистор. Через опір резистора RБ проходить перезарядка конденсатора С. Швидкість перезарядки відносно тривалості робочого імпульсу мала і визначається постійною часу RБС. при досягненні на ємності потенціалу, що дорівнює +ЕБ, на базі буде нульовий потенціал відносно емітера. Час перезарядки є паузою між робочими імпульсами. Як тільки напруга на базі стане дорівнювати нулю, через транзистор потече малий струм. Збільшення колекторного струму викликає появу ЕРС самоіндукції в колекторній обмотці. Зростає магнітний потік і осерді, і в базовій обмотці з’являється ЕРС взаємоіндукції. Полярність ЕРС в базовій обмотці така, що до бази транзистора прикладається «мінус», а до емітера «плюс». Розвивається лавинний процес. В ході цього процесу формується фронт робочого імпульсу. Цей процес називається прямим блокінг-процесом. Звідси і пішла назва генератора. Закінчується лавинний процес повним відкриванням транзистора і переходом його в насичений стан, який характеризується зупинкою зростання струму колектора. Зупинка зростання струму колектора обумовлює закінчення лавинного процесу. Іде формування вершини плоскої частини робочого імпульсу (рис. 4.10, б). На цьому етапі відбувається розсовування неосновних носіїв, накопичених на базі. Час розсовування неосновних носіїв визначає тривалість плоскої частини робочого імпульсу. Неосновних носії мірі розсовування в базі стає менше, і транзистор виходить із насичення, отримуючи підсилюючі властивості. Зменшення струму колектора викликає появу на базі транзистора ЕРС позитивної полярності, що призводить до ще більшого зниження струму бази і струму колектора. Знову розвивається лавинний процес, який називається зворотним блокінг-процесом. За цей час напруга на конденсаторі С і магнітна енергія осердя не встигають змінитися. Після закривання транзистора від’ємна напруга продовжує зростати. Отримується характерний для блокінг-генератора викид напруги, який пояснюється розсіюванням енергії, накопиченої в осерді трансформатора за час формування вершини робочого імпульсу. Цей викид, додаючись до напруги на колекторі, може досягнути значення напруги UK ≤ 2EK, більшої максимально допустимої для даного транзистора. Після викиду можуть настати затухаючі коливання, які своїми тривалими півперіодами можуть виробляти неправдиві спрацювання блокінг-генератора, перетворюючи його в звичайний LC-генератор. Для виключення неправдивих спрацювань в навантажувальну обмотку ставлять діод, який зрізає від’ємний півперіод.
Блокінг-генератор, як і мультивібратор, може працювати в режимі зовнішнього збудження. Для цього необхідно змінити полярність напруги на базі від джерела ЕБ, а пускові відпираючи імпульси подавати через розділяючий конденсатор на базу. Блокінг-генератор, який працює із самозбудженням, має нестабільність частоти такого ж порядку, що і мультивібратор (± 10%). Для підвищення стабільності частоти блокінг-сигнал синхронізації від більш стабільного джерела.