
- •Основи електроніки та мікропроцесорної техніки
- •Основні дати відкриттів і винаходів в електроніці
- •Як вивчати електроніку
- •Розділ 1. Фізичні основи електронної теорії
- •1.1 Основи електронної теорії
- •1.1.1 Електрон та його властивості
- •1.1.2 Робота виходу електронів. Електронна емісія
- •Таким чином, для відриву від поверхні провідника електрони повинні затратити роботу проелектричних сил, які повертають їх назад:
- •1.1.3 Рух електронів в електричних та магнітних полях
- •1.1.4 Електричний струм в газі
- •Контрольні питання і вправи
- •1.2. Електрофізичні властивості напівпровідників
- •1.2.1 Фізичні властивості напівпровідників
- •1.2.2 Власна провідність напівпровідників
- •1.2.3 Домішкова провідність
- •Дрейфовий і дифузний струми в напівпровіднику
- •1.2.4 Електронно-дірковий перехід
- •1.2.5 Властивості р-n переходу
- •Контрольні питання і вправи
- •2. Електронні прилади
- •2.1. Пасивні елементи електроніки
- •2.1.1. Резистори
- •2.1.2 Конденсатори
- •2.1.3 Котушки індуктивності. Трансформатори
- •2.1.4 Коливальні контури
- •2.1.5 Напівпровідникові резистори
- •Терморезистори
- •Фоторезистори
- •Варистори
- •Контрольні питання і вправи
- •2.2 Напівпровідникові діоди
- •2.2.1 Випрямні діоди
- •2.2.2. Високочастотні та імпульсні діоди
- •2.2.3 Стабілітрони
- •2.2.4 Варикапи
- •2.2.5. Тунельні діоди
- •2.2.6 Фотодіоди
- •2.2.7 Світлодіоди
- •2.2.8 Маркування діодів
- •Контрольні питаня і вправи
- •2.3 Транзистори. Тиристори
- •2.3.1 Класифікація транзисторів
- •2.3.2 Будова та принцип роботи біполярних транзисторів
- •2.3.3 Схеми ввімкнення транзистора
- •Еквівалентна схема заміщення, h – параметри транзистора
- •Статичні характеристики транзистора та визначення за ними h - параметрів
- •Температурні і частотні властивості транзистора
- •Транзистор у режимі ключа
- •Польові транзистори
- •Одноперехідні (двобазові) транзистори
- •Фототранзистори
- •Тиристори
- •Контрольні питаня і вправи
- •2.4 Електровакуумні та іонні прилади
- •Електронні лампи
- •Електровакуумний діод
- •Маркування електровакуумних приладів
- •Іонні прилади тліючого розряду
- •Неонова лампа
- •Тиратрон
- •2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
- •2.5.1 Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем
- •2.5.2 Пасивні елементи
- •2.5.3 Активні елементи – безкорпусні напівпровідникові прилади
- •Контрольні питання і вправи
- •2.6 Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
- •2.6.1 Принцип виготовлення напівпровідникових імс
- •2.6.2 Великі імс
- •Контрольні питання і вправи
- •2.7 Оптоелектронні прилади
- •2.7.1 Елементна база мікроелектроніки – світловипромінювачі, фотоприймачі
- •2.7.2 Оптрони
- •Контрольні питання та вправи
- •Прилади відображення інформації
- •2.8.1 Електронно-променеві трубки
- •2.8.2 Буквенно-цифрові індикатори
- •Контрольні питання і вправи
- •3 Основи аналогової електронної схемотехніки
- •3.1 Підсилювачі
- •3.1.1 Призначення і характеристика підсилювачів
- •3.1.2 Основні показники роботи підсилювача
- •3.1.3 Підсилювачі низької частоти. Попередні каскади підсилення
- •3.1.4 Міжкаскадні зв’язки
- •3.1.5 Підсилювачі потужності
- •3.1.6 Зворотні зв’язки у підсилювачах
- •3.1.7 Фазоінвертори
- •3.1.8 Підсилювачі постійного струму Підсилювачі постійного струму прямого підсилення
- •Балансні та диференційні підсилювачі
- •3.1.9 Операційні підсилювачі
- •Масштабні інвертуючи підсилювачі
- •Масштабні неінвертуючи підсилювачі
- •Інтегратори
- •Компаратори
- •Контрольні питання та вправи
- •3.2 Генератори синусоїдних коливань
- •3.2.1 Класифікація генераторів
- •3.2.2 Автогенератори lc-типу
- •3.2.3 Стабілізація частоти lс - генераторів
- •3.2.4. Автогенератори типу rc
- •3.2.4. Автогенератор на тунельному діоді
- •3.2.5. Генератори на інтегральних мікросхемах
- •Контрольні питання та вправи
- •3.3 Випрямлячі. Стабілізатори
- •3.3.1 Класифікація випрямлячів
- •3.3.2 Однофазні випрямлячі
- •3.3.3. Випрямлячі з помноженням напруги
- •3.3.4. Трифазні випрямлячі
- •3.3.5. Згладжуючі фільтри
- •Стабілізатори постійної напруги
- •Стабілізатори струму
- •3.3.8 Стабілізатори постійної напруги на імс
- •3.3.9 Стабілізатори змінної напруги
- •3.3.10 Інвертори струму та напруги
- •Контрольні питання та вправи
- •Розділ 4. Основи цифрової електронної схемотехніки
- •4.1 Імпульсні пристрої
- •4.1.1 Загальні характеристики сигналів
- •Основні характеристики електричних сигналів імпульсного типу
- •4.1.2. Ключі як генератори імпульсів
- •4.1.3. Мультивібратори
- •4.1.4. Блокінг-генератор
- •4.1.5. Тригер на дискретних елементах
- •Контрольні питаня і вправи
- •4.2. Логічні елементи
- •4.2.1. Основні логічні операції (функції)
- •4.2.2. Найпростіші логічні схеми
- •4.2.3. Логічні інтегральні мікросхеми (класифікація)
- •4.2.4. Характеристики і параметри логічних мікросхем
- •4.2.5. Логічні імс типу дтл, ттл, на мдн (мон) транзисторах
- •4.2.6. Коротка характеристика деяких серій логічних імс
- •Контрольні питання та вправи
- •4.3. Цифрові пристрої
- •4.3.1. Цифрові способи зображення (передавання) інформації. Системи числення
- •4.3.2 Тригери на логічних елементах
- •4 Б .3.3. Двійковий лічильник та дільник частоти
- •4.3.4. Регістри
- •4.3.5. Комбінаційні цифрові інтегральні пристрої (комбінаційні цифрові мікросхеми)
3.2.4. Автогенератор на тунельному діоді
Тунельний діод, дякуючи широкому частотному діапазону, малій споживаній потужності і високій температурній стабільності є найбільш перспективним приладом для побудови мініатюрних, високо стабільних, широкодіапазонних автогенераторів. Недоліком генераторів на тунельних діодах є мала вихідна потужність, а також певні нестабільності роботи із-за розкиду параметрів сучасних тунельних діодів.
Н
айбільш
повно переваги тунельного діода вдається
використати в генераторах діапазону
ЗВЧ, особливо на частотах вище 1 ГГц.
Застосування тунельного діода в схемах генераторів пояснюється тим, що за допомогою від’ємного опору тунельного діода можна компенсувати втрати в коливальному контурі і отримати в ньому незатухаючі коливання. Тому робочою ділянкою вольт-амперної характеристики тунельного діода є її спадаюча ділянка, ширина якої зазвичай не перевищує декількох десятків мілівольт. Тому амплітуда генеруємих коливань в автогенераторі на тунельному діоді є невеликою.
Для прикладу розглянемо схему LC-генератора на тунельному діоді (рис.3.2.8.).
R1 Lp VD
+
R2 Cбл L C
E Uвх Uвих
-
Рис. 3.2.8. Автогенератор на тунельному діоді
За рахунок дільника напруги R1/R2 робоча точка спокою А встановлюються на середині падаючої ділянки вольт-амперної характеристики (рис.3.2.9). Для того, щоб тунельний діод за високою частотою був відімкнений паралельно коливальному контуру, між його анодом і „землею” вмикається блокувальний конденсатор великої ємності Сбл, опір якого на резонансній частоті близький до нуля. Розділяючий дросель Lp розділяє постійні і змінні струми.
І
A
U
Uвих Uвх Рис.3.2.9. Характеристика, яка пояснює роботу
автогенератора на тунельному діоді
3.2.5. Генератори на інтегральних мікросхемах
Для побудови генераторів в мікро виконанні використовуються аналогові (лінійні) підсилювальні інтегральні мікросхеми (ІМС), охоплені глибоким додатнім зворотним зв’язком. Тому створення схеми генератора – типу C чи RC, по суті, зводиться до вибору відповідної аналогової ІМС і відімкненню до неї дискретних елементів – LC-контуру, RC-ланцюжків, мостів і т.п. при цьому принципі побудови схем генераторів, розглянуті в попередніх параграфах, умови самозбудження, способи стабілізації частоти фактично залишаються незмінними.
На рис.3.2.10 приведена схема генератора синусоїдних коливань з трансформаторним зворотним зв’язком, основою якої є диференційний каскад (ДП). Коливальний контур ввімкнений між колекторами транзисторів VT1 I VT2. позитивний зворотний зв’язок забезпечується за допомогою додаткової обмотки L, напруга з якої подається на вхід диференційного каскаду. Вихідні напруги, які знімаються з колекторів транзисторів VT1 I VT2 (несиметричні виходи), змінюються в протифазі. Це дозволяє у випадку необхідності знімати два гармонічних сигнали, зсунутих за фазою на 180º. При відімкненні зовнішнього навантаження мі колекторами транзисторів VT1 I VT2 (симетричний вихід) амплітуда вихідної напруги збільшується в два рази порівняно з амплітудою напруги схеми з несиметричним виходом. З метою зменшення впливу зовнішнього навантаження на стабільність генеруємих коливань вихідна напруга знімається через емітерний повторював, зібраний на транзисторі VT4.
Рис.3.2.10.
Генератор типу LC
на база ІМС диференційного підсилювача
В якості базових
елементів (диференційних підсилювачів)
можуть бути використані аналогові ІМС
різних серій (наприклад, К1УТ181А -
К1УТ181В; 1УТ221 (А, Б, В);
К1УТ771 (А, Б) та ін.).
R1 Ck R2
VT4
Lk
L Uвих
VT1 VT2
R3 R4 R8
VT3
R5 R6 R7
VD
-Uдж