
- •Основи електроніки та мікропроцесорної техніки
- •Основні дати відкриттів і винаходів в електроніці
- •Як вивчати електроніку
- •Розділ 1. Фізичні основи електронної теорії
- •1.1 Основи електронної теорії
- •1.1.1 Електрон та його властивості
- •1.1.2 Робота виходу електронів. Електронна емісія
- •Таким чином, для відриву від поверхні провідника електрони повинні затратити роботу проелектричних сил, які повертають їх назад:
- •1.1.3 Рух електронів в електричних та магнітних полях
- •1.1.4 Електричний струм в газі
- •Контрольні питання і вправи
- •1.2. Електрофізичні властивості напівпровідників
- •1.2.1 Фізичні властивості напівпровідників
- •1.2.2 Власна провідність напівпровідників
- •1.2.3 Домішкова провідність
- •Дрейфовий і дифузний струми в напівпровіднику
- •1.2.4 Електронно-дірковий перехід
- •1.2.5 Властивості р-n переходу
- •Контрольні питання і вправи
- •2. Електронні прилади
- •2.1. Пасивні елементи електроніки
- •2.1.1. Резистори
- •2.1.2 Конденсатори
- •2.1.3 Котушки індуктивності. Трансформатори
- •2.1.4 Коливальні контури
- •2.1.5 Напівпровідникові резистори
- •Терморезистори
- •Фоторезистори
- •Варистори
- •Контрольні питання і вправи
- •2.2 Напівпровідникові діоди
- •2.2.1 Випрямні діоди
- •2.2.2. Високочастотні та імпульсні діоди
- •2.2.3 Стабілітрони
- •2.2.4 Варикапи
- •2.2.5. Тунельні діоди
- •2.2.6 Фотодіоди
- •2.2.7 Світлодіоди
- •2.2.8 Маркування діодів
- •Контрольні питаня і вправи
- •2.3 Транзистори. Тиристори
- •2.3.1 Класифікація транзисторів
- •2.3.2 Будова та принцип роботи біполярних транзисторів
- •2.3.3 Схеми ввімкнення транзистора
- •Еквівалентна схема заміщення, h – параметри транзистора
- •Статичні характеристики транзистора та визначення за ними h - параметрів
- •Температурні і частотні властивості транзистора
- •Транзистор у режимі ключа
- •Польові транзистори
- •Одноперехідні (двобазові) транзистори
- •Фототранзистори
- •Тиристори
- •Контрольні питаня і вправи
- •2.4 Електровакуумні та іонні прилади
- •Електронні лампи
- •Електровакуумний діод
- •Маркування електровакуумних приладів
- •Іонні прилади тліючого розряду
- •Неонова лампа
- •Тиратрон
- •2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
- •2.5.1 Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем
- •2.5.2 Пасивні елементи
- •2.5.3 Активні елементи – безкорпусні напівпровідникові прилади
- •Контрольні питання і вправи
- •2.6 Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
- •2.6.1 Принцип виготовлення напівпровідникових імс
- •2.6.2 Великі імс
- •Контрольні питання і вправи
- •2.7 Оптоелектронні прилади
- •2.7.1 Елементна база мікроелектроніки – світловипромінювачі, фотоприймачі
- •2.7.2 Оптрони
- •Контрольні питання та вправи
- •Прилади відображення інформації
- •2.8.1 Електронно-променеві трубки
- •2.8.2 Буквенно-цифрові індикатори
- •Контрольні питання і вправи
- •3 Основи аналогової електронної схемотехніки
- •3.1 Підсилювачі
- •3.1.1 Призначення і характеристика підсилювачів
- •3.1.2 Основні показники роботи підсилювача
- •3.1.3 Підсилювачі низької частоти. Попередні каскади підсилення
- •3.1.4 Міжкаскадні зв’язки
- •3.1.5 Підсилювачі потужності
- •3.1.6 Зворотні зв’язки у підсилювачах
- •3.1.7 Фазоінвертори
- •3.1.8 Підсилювачі постійного струму Підсилювачі постійного струму прямого підсилення
- •Балансні та диференційні підсилювачі
- •3.1.9 Операційні підсилювачі
- •Масштабні інвертуючи підсилювачі
- •Масштабні неінвертуючи підсилювачі
- •Інтегратори
- •Компаратори
- •Контрольні питання та вправи
- •3.2 Генератори синусоїдних коливань
- •3.2.1 Класифікація генераторів
- •3.2.2 Автогенератори lc-типу
- •3.2.3 Стабілізація частоти lс - генераторів
- •3.2.4. Автогенератори типу rc
- •3.2.4. Автогенератор на тунельному діоді
- •3.2.5. Генератори на інтегральних мікросхемах
- •Контрольні питання та вправи
- •3.3 Випрямлячі. Стабілізатори
- •3.3.1 Класифікація випрямлячів
- •3.3.2 Однофазні випрямлячі
- •3.3.3. Випрямлячі з помноженням напруги
- •3.3.4. Трифазні випрямлячі
- •3.3.5. Згладжуючі фільтри
- •Стабілізатори постійної напруги
- •Стабілізатори струму
- •3.3.8 Стабілізатори постійної напруги на імс
- •3.3.9 Стабілізатори змінної напруги
- •3.3.10 Інвертори струму та напруги
- •Контрольні питання та вправи
- •Розділ 4. Основи цифрової електронної схемотехніки
- •4.1 Імпульсні пристрої
- •4.1.1 Загальні характеристики сигналів
- •Основні характеристики електричних сигналів імпульсного типу
- •4.1.2. Ключі як генератори імпульсів
- •4.1.3. Мультивібратори
- •4.1.4. Блокінг-генератор
- •4.1.5. Тригер на дискретних елементах
- •Контрольні питаня і вправи
- •4.2. Логічні елементи
- •4.2.1. Основні логічні операції (функції)
- •4.2.2. Найпростіші логічні схеми
- •4.2.3. Логічні інтегральні мікросхеми (класифікація)
- •4.2.4. Характеристики і параметри логічних мікросхем
- •4.2.5. Логічні імс типу дтл, ттл, на мдн (мон) транзисторах
- •4.2.6. Коротка характеристика деяких серій логічних імс
- •Контрольні питання та вправи
- •4.3. Цифрові пристрої
- •4.3.1. Цифрові способи зображення (передавання) інформації. Системи числення
- •4.3.2 Тригери на логічних елементах
- •4 Б .3.3. Двійковий лічильник та дільник частоти
- •4.3.4. Регістри
- •4.3.5. Комбінаційні цифрові інтегральні пристрої (комбінаційні цифрові мікросхеми)
3.1.6 Зворотні зв’язки у підсилювачах
Д
ля
більш стійкої роботи чи зміни режиму
підсилювача використовують зворотний
зв'язок, тобто частину вихідного сигналу
(або весь сигнал) подають знову на вхід
(рис. 3.9). Такий зв'язок утворюють
спеціально шляхом уведення в схему
підсилювача ланки зворотного зв'язку.
В цьому випадку на вхід підсилювача
подається напруга
(3.16)
де
- напруга зворотного зв’язку, β –
передаточний коефіцієнт ланки зворотного
зв’язку.
З
Наявність
зворотного зв'язку суттєво впливає на
коефіцієнт підсилення підсилювача.
В цьому випадку він буде визначатись
за виразом
де К
- - коефіцієнт
підсилення підсилювача без ланки
зворотного зв'язку. Знак «+» відповідає
від'ємному, а знак «—» - додатному
зворотному зв'язку.
(3.17)
).
Uвх вих
Uзв.з
Рис. 3.9. Структурна схема зворотного зв’язку
В режимі підсилення електричних сигналів використовується від'ємний зворотний зв'язок. При цьому він забезпечує незмінність коефіцієнта підсилення при зміні параметрів транзисторів, а також понижує рівень спотворень.
Наявність додатного зворотного зв'язку змінює режим і підсилювач переходить в режим генерування сигналів.
В підсилювачі часто виникають зворотні зв’язки, які не створюються спеціально, а викликані особливостями конструкції підсилювача в цілому або окремих його елементів. Такі зв’язки називаються паразитними.
Паразитний зворотний зв’язок може бути від’ємним і додатнім. Від’ємний зворотний зв’язок може викликати непередбачене розрахунком значне зменшення коефіцієнта підсилення і тому є небажаним. При додатному зворотному зв’язку коефіцієнт підсилення збільшується, але разом з ним ростуть нелінійні і частотні спотворення сигналу, а також можливе самозбудження підсилювача.
3.1.7 Фазоінвертори
Найбільш простою схемою фазоінвертора є трансформатор (ТV1 на схемі рис.3.7,а), середня точка якого з’єднана з „землею”, і при підведенні напруги до первинної обмотки на виході трансформатора створюються дві напруги, зсунуті за фазою на 180º. Однак трансформатор з конструктивної очки зору є небажаним елементом схеми. Більш досконалою є транзисторна схема фазоінвертора (рис. 3.10).
Вихідні сигнали знімаються з колектора і емітера транзистора. Сигнал Uвих 2, який знімається з емітера, співпадає по фазі з вхідним сигналом Uвх (рис.3.11,а,б), а сигнал Uвих1, який знімається з колектора (рис.3.11,в), знаходиться з ним в протифазі.
- ЕК
R1 RK
Cр2
VT
Cр1
Cp3
Rг
Rн1
Uвх R2
RE Rн2
Рис. 3.10. Схема транзисторного фазоінверторного каскаду
Фазоінвертори
ускладнюють підсилювальні пристрої,
погіршуючи їх потенційні можливості.
Тому бажано розробляти схеми підсилювачів,
які не потребували б фазоінверторів.
0
t
Uвих 2 а)
0 t
UE
Uвих 2
б)
Uвих 1
0 t
Uвих 1 UK
в)
Рис. 3.11. Часові діаграми транзисторного
фазоінвертора