
- •Основи електроніки та мікропроцесорної техніки
- •Основні дати відкриттів і винаходів в електроніці
- •Як вивчати електроніку
- •Розділ 1. Фізичні основи електронної теорії
- •1.1 Основи електронної теорії
- •1.1.1 Електрон та його властивості
- •1.1.2 Робота виходу електронів. Електронна емісія
- •Таким чином, для відриву від поверхні провідника електрони повинні затратити роботу проелектричних сил, які повертають їх назад:
- •1.1.3 Рух електронів в електричних та магнітних полях
- •1.1.4 Електричний струм в газі
- •Контрольні питання і вправи
- •1.2. Електрофізичні властивості напівпровідників
- •1.2.1 Фізичні властивості напівпровідників
- •1.2.2 Власна провідність напівпровідників
- •1.2.3 Домішкова провідність
- •Дрейфовий і дифузний струми в напівпровіднику
- •1.2.4 Електронно-дірковий перехід
- •1.2.5 Властивості р-n переходу
- •Контрольні питання і вправи
- •2. Електронні прилади
- •2.1. Пасивні елементи електроніки
- •2.1.1. Резистори
- •2.1.2 Конденсатори
- •2.1.3 Котушки індуктивності. Трансформатори
- •2.1.4 Коливальні контури
- •2.1.5 Напівпровідникові резистори
- •Терморезистори
- •Фоторезистори
- •Варистори
- •Контрольні питання і вправи
- •2.2 Напівпровідникові діоди
- •2.2.1 Випрямні діоди
- •2.2.2. Високочастотні та імпульсні діоди
- •2.2.3 Стабілітрони
- •2.2.4 Варикапи
- •2.2.5. Тунельні діоди
- •2.2.6 Фотодіоди
- •2.2.7 Світлодіоди
- •2.2.8 Маркування діодів
- •Контрольні питаня і вправи
- •2.3 Транзистори. Тиристори
- •2.3.1 Класифікація транзисторів
- •2.3.2 Будова та принцип роботи біполярних транзисторів
- •2.3.3 Схеми ввімкнення транзистора
- •Еквівалентна схема заміщення, h – параметри транзистора
- •Статичні характеристики транзистора та визначення за ними h - параметрів
- •Температурні і частотні властивості транзистора
- •Транзистор у режимі ключа
- •Польові транзистори
- •Одноперехідні (двобазові) транзистори
- •Фототранзистори
- •Тиристори
- •Контрольні питаня і вправи
- •2.4 Електровакуумні та іонні прилади
- •Електронні лампи
- •Електровакуумний діод
- •Маркування електровакуумних приладів
- •Іонні прилади тліючого розряду
- •Неонова лампа
- •Тиратрон
- •2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
- •2.5.1 Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем
- •2.5.2 Пасивні елементи
- •2.5.3 Активні елементи – безкорпусні напівпровідникові прилади
- •Контрольні питання і вправи
- •2.6 Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
- •2.6.1 Принцип виготовлення напівпровідникових імс
- •2.6.2 Великі імс
- •Контрольні питання і вправи
- •2.7 Оптоелектронні прилади
- •2.7.1 Елементна база мікроелектроніки – світловипромінювачі, фотоприймачі
- •2.7.2 Оптрони
- •Контрольні питання та вправи
- •Прилади відображення інформації
- •2.8.1 Електронно-променеві трубки
- •2.8.2 Буквенно-цифрові індикатори
- •Контрольні питання і вправи
- •3 Основи аналогової електронної схемотехніки
- •3.1 Підсилювачі
- •3.1.1 Призначення і характеристика підсилювачів
- •3.1.2 Основні показники роботи підсилювача
- •3.1.3 Підсилювачі низької частоти. Попередні каскади підсилення
- •3.1.4 Міжкаскадні зв’язки
- •3.1.5 Підсилювачі потужності
- •3.1.6 Зворотні зв’язки у підсилювачах
- •3.1.7 Фазоінвертори
- •3.1.8 Підсилювачі постійного струму Підсилювачі постійного струму прямого підсилення
- •Балансні та диференційні підсилювачі
- •3.1.9 Операційні підсилювачі
- •Масштабні інвертуючи підсилювачі
- •Масштабні неінвертуючи підсилювачі
- •Інтегратори
- •Компаратори
- •Контрольні питання та вправи
- •3.2 Генератори синусоїдних коливань
- •3.2.1 Класифікація генераторів
- •3.2.2 Автогенератори lc-типу
- •3.2.3 Стабілізація частоти lс - генераторів
- •3.2.4. Автогенератори типу rc
- •3.2.4. Автогенератор на тунельному діоді
- •3.2.5. Генератори на інтегральних мікросхемах
- •Контрольні питання та вправи
- •3.3 Випрямлячі. Стабілізатори
- •3.3.1 Класифікація випрямлячів
- •3.3.2 Однофазні випрямлячі
- •3.3.3. Випрямлячі з помноженням напруги
- •3.3.4. Трифазні випрямлячі
- •3.3.5. Згладжуючі фільтри
- •Стабілізатори постійної напруги
- •Стабілізатори струму
- •3.3.8 Стабілізатори постійної напруги на імс
- •3.3.9 Стабілізатори змінної напруги
- •3.3.10 Інвертори струму та напруги
- •Контрольні питання та вправи
- •Розділ 4. Основи цифрової електронної схемотехніки
- •4.1 Імпульсні пристрої
- •4.1.1 Загальні характеристики сигналів
- •Основні характеристики електричних сигналів імпульсного типу
- •4.1.2. Ключі як генератори імпульсів
- •4.1.3. Мультивібратори
- •4.1.4. Блокінг-генератор
- •4.1.5. Тригер на дискретних елементах
- •Контрольні питаня і вправи
- •4.2. Логічні елементи
- •4.2.1. Основні логічні операції (функції)
- •4.2.2. Найпростіші логічні схеми
- •4.2.3. Логічні інтегральні мікросхеми (класифікація)
- •4.2.4. Характеристики і параметри логічних мікросхем
- •4.2.5. Логічні імс типу дтл, ттл, на мдн (мон) транзисторах
- •4.2.6. Коротка характеристика деяких серій логічних імс
- •Контрольні питання та вправи
- •4.3. Цифрові пристрої
- •4.3.1. Цифрові способи зображення (передавання) інформації. Системи числення
- •4.3.2 Тригери на логічних елементах
- •4 Б .3.3. Двійковий лічильник та дільник частоти
- •4.3.4. Регістри
- •4.3.5. Комбінаційні цифрові інтегральні пристрої (комбінаційні цифрові мікросхеми)
3.1.4 Міжкаскадні зв’язки
Існують три основні способи зв’язку між каскадами в багато каскадному підсилювачі – зв’язок через роздіяючі конденсатори (ємнісний зв’язок), безпосередній зв’язок (гальванічний) і зв’язок за допомогою трансформаторів (трансформаторний). Найбільше розповсюдження в схемах підсилювачів змінної напруги отримав ємнісний міжкаскадний зв’язок.
Типова схема транзисторного підсилювача з ємнісним зв’язком наведена на рис.3.6.
R′Б1 RK1 R′Б2 RK2
Cр2 Ср3
Cр1 VT1 VT2 -
ЕК
+
R′′Б1 RE1 R′′Б2 RE2
CE1 CE2
Рис. 3.5. Схема попередніх підсилювачів з ємнісним міжкаскадним зв’язком
3.1.5 Підсилювачі потужності
Підсилювачами потужності називають вихідні підсилювальні каскади, що призначені для передачі заданої або максимально можливої потужності при високому ККД і допустимих рівнях частоти і нелінійних спотворень. Вихідні каскади працюють, як правило, у режимі підсилення сигналів, що мають високе значення амплітуди.
О
днотактні
підсилювачі потужності використовуються
при навантаженнях, що використовують
потужність не більше 4...5 Вт. Як правило,
однотактні підсилювачі потужності
(рис. 3.6,а) працюють у режимі А.
Режим А характеризується проходженням струму через транзистор протягом всього періоду.
Для аналізу роботи каскаду використовуються статичні вихідні характеристики транзистора (рис. 3.6, б).
Для одержання максимальної потужності на виході каскаду необхідно використовувати всю робочу ділянку лінії навантаження за змінним струмом (відрізок АВ, рис. 3.6,б), що забезпечується вибором точки спокою П посередині відрізка АВ.
Як бачимо, максимальне миттєве значення колекторної напруги значно перевищує напругу живлення ЕК за рахунок виникнення в обмотках трансформатора ЕРС самоіндукції.
Двотактні підсилювачі потужності (рис. 3.7,а) працюють переважно в режимах класів В і АВ.
Режим класу В характеризується точкою спокою, яка знаходиться в області колекторних струмів, близьких до нуля (рис. 3.7,б).Тому при виникненні в базі від'ємної півхвилі вхідного сигналу транзистор відкритий, при додатному сигналі, що відповідає плюсу на базі відносно емітера, транзистор закритий. У режимі класу В струм через транзистор проходить протягом півперіоду.
Режим
класу АВ є проміжним між режимами класів
А і В. Тривалість відкритого стану
транзистора в цьому режимі більше π і
менше 2 π.
Рис. 3.7. Електрична схема (а) і характеристики (б) двотактного підсилювача потужності
Переваги
двотактного підсилювача:
в
еликий ККД;
мала потужність розсіювання в транзисторах VT1 I VT2 в режимі спокою;
відсутність напруги підсилювального сигналу в проводах живлення (між середньою точкою ТV2 і „землею”, що виключає паразитні міжкаскадні зв’язки через джерело живлення і спрощує тим самим схему джерела живлення ;
компенсація перешкод в двотактних схемах.
Недоліки двотактного підсилювача:
складність схеми;
використання трансформаторів з виводом від середньої точки, що незручно з конструктивної точки зору;
в икористання перед двотактною схемою попереднього пристрою (фазоінвертора), який „розщіпляючого” вхідний сигнал на два, зсунутих за фазою на 180º.
Тенденція до мікромініатюризації пристроїв промислової електроніки сприяла розробці двотактних підсилювачів потужності з безтрансформаторним виходом. Каскади, в яких використовуються транзистори з різним типом провідності р-п-р і п-р-п, називаються каскадами з додатковою симетрією (рис.3.8).