
- •Основи електроніки та мікропроцесорної техніки
- •Основні дати відкриттів і винаходів в електроніці
- •Як вивчати електроніку
- •Розділ 1. Фізичні основи електронної теорії
- •1.1 Основи електронної теорії
- •1.1.1 Електрон та його властивості
- •1.1.2 Робота виходу електронів. Електронна емісія
- •Таким чином, для відриву від поверхні провідника електрони повинні затратити роботу проелектричних сил, які повертають їх назад:
- •1.1.3 Рух електронів в електричних та магнітних полях
- •1.1.4 Електричний струм в газі
- •Контрольні питання і вправи
- •1.2. Електрофізичні властивості напівпровідників
- •1.2.1 Фізичні властивості напівпровідників
- •1.2.2 Власна провідність напівпровідників
- •1.2.3 Домішкова провідність
- •Дрейфовий і дифузний струми в напівпровіднику
- •1.2.4 Електронно-дірковий перехід
- •1.2.5 Властивості р-n переходу
- •Контрольні питання і вправи
- •2. Електронні прилади
- •2.1. Пасивні елементи електроніки
- •2.1.1. Резистори
- •2.1.2 Конденсатори
- •2.1.3 Котушки індуктивності. Трансформатори
- •2.1.4 Коливальні контури
- •2.1.5 Напівпровідникові резистори
- •Терморезистори
- •Фоторезистори
- •Варистори
- •Контрольні питання і вправи
- •2.2 Напівпровідникові діоди
- •2.2.1 Випрямні діоди
- •2.2.2. Високочастотні та імпульсні діоди
- •2.2.3 Стабілітрони
- •2.2.4 Варикапи
- •2.2.5. Тунельні діоди
- •2.2.6 Фотодіоди
- •2.2.7 Світлодіоди
- •2.2.8 Маркування діодів
- •Контрольні питаня і вправи
- •2.3 Транзистори. Тиристори
- •2.3.1 Класифікація транзисторів
- •2.3.2 Будова та принцип роботи біполярних транзисторів
- •2.3.3 Схеми ввімкнення транзистора
- •Еквівалентна схема заміщення, h – параметри транзистора
- •Статичні характеристики транзистора та визначення за ними h - параметрів
- •Температурні і частотні властивості транзистора
- •Транзистор у режимі ключа
- •Польові транзистори
- •Одноперехідні (двобазові) транзистори
- •Фототранзистори
- •Тиристори
- •Контрольні питаня і вправи
- •2.4 Електровакуумні та іонні прилади
- •Електронні лампи
- •Електровакуумний діод
- •Маркування електровакуумних приладів
- •Іонні прилади тліючого розряду
- •Неонова лампа
- •Тиратрон
- •2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
- •2.5.1 Конструктивні елементи гібридних інтегральних мікросхем
- •2.5.2 Пасивні елементи
- •2.5.3 Активні елементи – безкорпусні напівпровідникові прилади
- •Контрольні питання і вправи
- •2.6 Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
- •2.6.1 Принцип виготовлення напівпровідникових імс
- •2.6.2 Великі імс
- •Контрольні питання і вправи
- •2.7 Оптоелектронні прилади
- •2.7.1 Елементна база мікроелектроніки – світловипромінювачі, фотоприймачі
- •2.7.2 Оптрони
- •Контрольні питання та вправи
- •Прилади відображення інформації
- •2.8.1 Електронно-променеві трубки
- •2.8.2 Буквенно-цифрові індикатори
- •Контрольні питання і вправи
- •3 Основи аналогової електронної схемотехніки
- •3.1 Підсилювачі
- •3.1.1 Призначення і характеристика підсилювачів
- •3.1.2 Основні показники роботи підсилювача
- •3.1.3 Підсилювачі низької частоти. Попередні каскади підсилення
- •3.1.4 Міжкаскадні зв’язки
- •3.1.5 Підсилювачі потужності
- •3.1.6 Зворотні зв’язки у підсилювачах
- •3.1.7 Фазоінвертори
- •3.1.8 Підсилювачі постійного струму Підсилювачі постійного струму прямого підсилення
- •Балансні та диференційні підсилювачі
- •3.1.9 Операційні підсилювачі
- •Масштабні інвертуючи підсилювачі
- •Масштабні неінвертуючи підсилювачі
- •Інтегратори
- •Компаратори
- •Контрольні питання та вправи
- •3.2 Генератори синусоїдних коливань
- •3.2.1 Класифікація генераторів
- •3.2.2 Автогенератори lc-типу
- •3.2.3 Стабілізація частоти lс - генераторів
- •3.2.4. Автогенератори типу rc
- •3.2.4. Автогенератор на тунельному діоді
- •3.2.5. Генератори на інтегральних мікросхемах
- •Контрольні питання та вправи
- •3.3 Випрямлячі. Стабілізатори
- •3.3.1 Класифікація випрямлячів
- •3.3.2 Однофазні випрямлячі
- •3.3.3. Випрямлячі з помноженням напруги
- •3.3.4. Трифазні випрямлячі
- •3.3.5. Згладжуючі фільтри
- •Стабілізатори постійної напруги
- •Стабілізатори струму
- •3.3.8 Стабілізатори постійної напруги на імс
- •3.3.9 Стабілізатори змінної напруги
- •3.3.10 Інвертори струму та напруги
- •Контрольні питання та вправи
- •Розділ 4. Основи цифрової електронної схемотехніки
- •4.1 Імпульсні пристрої
- •4.1.1 Загальні характеристики сигналів
- •Основні характеристики електричних сигналів імпульсного типу
- •4.1.2. Ключі як генератори імпульсів
- •4.1.3. Мультивібратори
- •4.1.4. Блокінг-генератор
- •4.1.5. Тригер на дискретних елементах
- •Контрольні питаня і вправи
- •4.2. Логічні елементи
- •4.2.1. Основні логічні операції (функції)
- •4.2.2. Найпростіші логічні схеми
- •4.2.3. Логічні інтегральні мікросхеми (класифікація)
- •4.2.4. Характеристики і параметри логічних мікросхем
- •4.2.5. Логічні імс типу дтл, ттл, на мдн (мон) транзисторах
- •4.2.6. Коротка характеристика деяких серій логічних імс
- •Контрольні питання та вправи
- •4.3. Цифрові пристрої
- •4.3.1. Цифрові способи зображення (передавання) інформації. Системи числення
- •4.3.2 Тригери на логічних елементах
- •4 Б .3.3. Двійковий лічильник та дільник частоти
- •4.3.4. Регістри
- •4.3.5. Комбінаційні цифрові інтегральні пристрої (комбінаційні цифрові мікросхеми)
Як вивчати електроніку
До навчального матеріалу потрібно відноситися диференційовано. В курсі предмету є матеріал, про який за тими чи іншими причинами достатньо мати лише загальну уяву. До такого матеріалу можна віднести, наприклад, різні сторичні дані, відомості про роботи вчених і їх наукової біографії тощо.
Не підлягає сумніву також, що в будь-якому розділі і майже в кожній темі курсу є відомості, які необхідно запам'ятати. До таких відомостей відносяться сякі постійні величини (наприклад, швидкість світла, звуку), співвідношення між розмірностями, які виражені в різних одиницях виміру, умовні графічні означення тих чи інших приладів, найбільш вживані формули та ін.
Значне місце в навчальному предметі займає матеріал, який вимагає від студента перш за все розуміння (фізична суть явищ і процесів, які відбуваються електронних приладах, принципи побудови і призначення елементів нестройних схем, переваги і недоліки схемних розв'язків і т. п.)
Нарешті, майбутній технік-електрик повинен оволодіти вміннями і навиками, характерними для спеціаліста - зборка і дослідження схем, робота з вимірювальною апаратурою, виконання технічних розрахунків, грамотне використання довідникової літератури і т. п.
Слід пам'ятати, що головна задача навчання - навчитися самостійно і творчо працювати.
Прочитавши текст, постарайтесь виділити головне із прочитаного і скласти перелік слів або словосполучень, які несуть найбільше смислове навантаження і в найбільшій мірі відображають суть викладених відомостей. Такі слова називають ключовими. Ключові слова допомагають зосередитися і мислити саме головне із прочитаного. Також гарний ефект дають опорні конспекти (опорний конспект - це скорочений виклад навчального матеріалу в словесній формі або графічному зображенні, в якому формули, елементи, логічно зв'язані між собою).
Розділ 1. Фізичні основи електронної теорії
1.1 Основи електронної теорії
1.1.1 Електрон та його властивості
Атом складається з позитивно зарядженого ядра та негативно заряджених електронів, які обертаються навколо ядра по орбітам.
Електрон - елементарна частка матерії з масою спокою m0 = 9,1∙10-31кг і елементарним негативним зарядом, абсолютне значення якого q = 1,6∙10-19Кл.
Ядро атома містить протони і нейтрони.
Маса протона приблизно в 1842 рази більша маси електрона. Заряд - позитивний, рівний за величиною заряду електрона.
Нейтрон має приблизно таку ж масу, але не має електричного заряду.
Кількість протонів, нейтронів і електронів в атомі залежить від типу хімічного елементу, складовою частиною якого він є.
електрон
ядро Число
електронів завжди дорівнює
порядковому номеру елемента в
періодичній системі елементів Менделєєва
Рис. 1.1. Схема будови атома водню
Число електронів дорівнює числу протонів в ядрі - тому атом електрично-нейтральний. Згідно квантової теорії, електрони в атомі здійснюють рух не по будь-яким , а лише по дозволеним орбітам, на кожній із яких може знаходитись не більше двох електронів з протилежними спінами (спін - особистий момент кількості руху елементарних часток).
Електрони, які обертаються на ближніх до ядра орбітах, мають меншу повну енергію ніж електрони, які обертаються далі від ядра. Тому перехід електрона з однієї дозволеної орбіти, з відповідним енергетичним рівнем, на другу проходить із випусканням або поглинанням кванта енергії (квант - найменша можлива кількість енергії електромагнітного випромінювання з даною частотою коливань).
Електрони, розміщені на зовнішніх орбітах атомів називаються валентними. Вони визначають хімічну активність речовини.
Вільні електрони - електрони, які звільнилися від внутріатомних зв'язків. Вони пересуваються в середині речовини в різних напрямках і різними швидкостями. При наявності зовнішнього електричного поля хаотичний рух вільних електронів стає впорядкованим - виникає електричний струм.
Чим більше вільних електронів має речовина, тим вища її електропровідність. Цим і пояснюється поділ твердих тіл за їх здатністю проводити електричний струм на: провідники, напівпровідники і діелектрики.
Витрачаючи або набуваючи електрони, нейтральний атом стає зарядженим - іоном. Процес відриву або приєднання електронів - іонізація.
Іони, які мають різнойменні заряди, притягуючись один до одного, становлять молекули.
У відповідності з квантовою будовою речовини електрони мають властивості не лише матеріальних часток (корпускул), але й хвильові властивості.
В основу квантової теорії входять:
Гіпотеза Планка. Енергія електронів в атомі може приймати лише визначені дискретні значення. Зміна енергії електронів може проходити лише скачкоподібно.
Постулати Бора.
Електрон в атомі може знаходитись в визначених стійких станах, які називаються стаціонарними. В цьому випадку атом не випромінює енергію.
Атом випромінює або поглинає енергію лише при переході із одного стаціонарного стану в інший. Величина кванту енергії пов'язана з частотою випромінювання співвідношенням
(1.1)
де v - частота випромінювання
h - постійна Планка, h = 6,626∙10-34Дж∙Гц-1
Момент кількості руху електрона на стаціонарній орбіті повинен бути кратним числу
.
Гіпотеза де Бройля. Електромагнітна енергія зарядженої частини, яка рухається по замкнутій орбіті не випромінюється тільки в тому випадку, якщо вздовж орбіти укладається ціле число хвиль (утворюється стояча хвиля).
Таким чином, при рухові по орбіті з радіусом r повинно виконуватись співвідношення
(1.2)
де
-
довжина хвилі;
n -ціле число, n= 1,2,3 ...
Довжину хвилі електрона, який має масу me і швидкість v знайдемо:
(1.3)
(1.4)
Число n в співвідношенні (1.2) - головне квантове число. Воно визначає орбіту електрона, яку він може займати у відповідності з рівнем своєї енергії.
В твердому тілі (кристалі) сусідні атоми розміщені настільки близько один до одного, що між ними проходить взаємодія.
Взаємодія багатьох атомів викликає зміщення і розщеплення енергетичних рівнів електронів. Кожній орбіті атома відповідає строго визначена енергія електрона або дозволений енергетичний рівень. Рівні енергії, які не можуть мати електрони при переході з однієї орбіти на іншу, називаються забороненими.
а) б)
Рис. 1.2. Енергетичні зони твердого тіла
При об'єднанні в твердому тілі N однакових атомів, кожний рівень енергії розщеплюється на N близько розміщених один до одного енергетичних рівнів, які становлять енергетичну зону.
На рисунку 1.2. показано розщеплення енергетичних рівнів W1 i W2 електронів в одиничному атомі при утворенні системи із шести однакових атомів (N = 6). При достатньо великій відстані r між атомами вони майже не впливають один на одного. При зближенні томів до відстані r = r2 проходить розщеплення енергетичного рівня W2 на шість дискретних значень. Подальше зменшення віддалі до величини r = r1 супроводжується розщепленням W1. При деякому значенні r = r0 в системі утворюється дві сукупності декретних енергетичних станів, які лежать в інтервалі між ∆W1 i ∆W2, і називаються енергетичними зонами. При r = r0 - заборонена зона. При подальшому зближенні атомів наступає перекриття енергетичних зон ∆W1 i ∆W2 (заповнюється заборонена зона ∆W3). Утворюється заповнена зона.
Сукупність енергетичних рівнів валентних електронів утворюють валентну зону.
Слід пам'ятати, що поняття "енергетичний рівень" або "енергетична зона" характеризує тільки енергетичний стан електрона.
Основні властивості електрона:
1. Електрон
- електрично
заряджена частка, яка має негативний
заряд е = 1,602∙10-19Кл,
масу me
= 1,109∙10-31кг,
питомий заряд
= 1,759∙1011Кл/кг.
Електрони відштовхуються один від одного.
В електричному Полі електрони зазнають впливу сили і самі можуть утворювати електричне поле.
Володіють високою рухливістю.
Впорядкований рух електронів створює електричний струм. Потік електронів створює магнітне поле.
Знаходячись у русі, електрон має кінетичну енергію, яка дорівнює
При зіткненні електронів з будь-яким тілом їх кінетична енергія перетворюється в теплову.