Фоторезистори
Фоторезистори – прилади, принцип дії яких базується на фоторезистивному ефекті – зміні опору напівпровідникового матеріалу під дією електромагнітного випромінювання.
Фоторезистори виготовляються на основі сульфіду кадмію, селеніду кадмію, сірчастого свинцю, а також полікристалічних шарів сірчастого та селенистого кадмію. Світло чуттєві елементи зазвичай поміщаються в пластмасовий або металевий корпус, а в окремих випадках, коли потрібні малі габарити, випускаються без корпусу. В коло вони вмикаються послідовно із джерелом напруги і опором навантаження.
Якщо резистор знаходиться в темноті, то через нього протікає темновий струм. При освітленні фото резистора, його опір спадає і через нього тече світловий струм. Різниця між світловим і темновим струмами –фотострум провідності.
Основними характеристиками фото резистора є:
вольт-амперна ( характеризує залежність фотоструму при постійному світловому потокові або темнового струму від прикладеної напруги), (рис.1.2.12,а);
світлова (характеризує залежність фотоструму від падаючого світлового потоку постійного спектрального складу), ( рис.1.2.12,б);
спектральна (характеризує чуттєвість фото резистора при дії на нього потоку випромінювання постійної потужності визначеної довжини хвилі; визначається матеріалом, який використовується для виготовлення світлочутливого елементу; сірчасто-кадмієві фоторезистори мають високу чуттєвість в видимій області спектру, селенисто-кадмієві – в червоній, а сірчасто-свинцеві – в інфрачервоній), ( рис.1.2.12, в);
частотна (характеризує чуттєвість фото резистора при дії на нього світлового потоку, який змінюється з визначеною частотою), ( рис.1.2.12,г).
Іф,
мкА Іф,
%
30 80
15 40
0 0
5 10 15 U, В 0,2 1,0 1,8 λ, мкм
а в
Іф, мкА Іф, %
1000 80
60
500 U = const 40
20
0 0
500 1000 E, лк 4 8 12 f, кГц
б г
Рис. 1.2.12. Характеристики фото резисторів:
а) вольт-амперна; б) світлова (люкс амперна); в) спектральні; г) частотні
Основні параметри фоторезисторів: Робоча напруга Uр, максимально допустима робоча напруга фото резистора Umax, темновий опір RT, світловий опір RС, кратність зміни опору КR, допустима потужність розсіювання, загальний струм фото резистора, фотострум, питома чуттєвість, інтегральна чуттєвість, постійна часу.