2. Способы защиты имс

Для защиты ИМС используют пассивирующие и защитные покрытия и гермитизацию ИМС в корпусах.

Для пассивирования и защиты используются неорганические пленки из нескольких компонентов, которые достаточно формально носят общее назнвание стекла. К ним также можно отнести диоксид и нитрид кремния. Существуют различные технологически процессы нанесения стекол: непосредственное осаждение на защищаемую поверхность; нанесение готового стеклянного порошка в виде смеси или пасты, который в дальнейшем оплавляется; катодное реактивное распыление.

Принципы герметизации ИМС в корпусах.

Герметизация ИМС — завершающий ТП изготовления ИМС.

На практике в производстве ИМС применятся несколько методов защиты ИМС в зависимости от устловий их эксплуатации, для чего используются корпуса разных типов: металлические, стеклянные, пластмассовые и керамические.

Преобладающими методами герметизации ИМС в металлических корпусах являются сварка и пайка.

Основными достоинствами пластмассовых корпусов является — малая стоимость и простота технологии. Недостатки — неудовлетворительная герметизация и связанные с ней возможносые отказы ИМС, плохой теплоотвод.

Наряду с металлическими и пластмассовыми корпусами в технологии ИМС широко применяются керамические и металлокерамические корпуса.

Основной крттерий гермитичности корпуса — скорость утечки гелия при разности давлений снаружи и внутри корпуса 10^5 Па. Корпуса высокого качества характерихуются скоростью утечки гелия, равной 1*10^(-8) см^3/с.

Билет №24

1)Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев.

Для создания п/п МЭИ широко применяют метод эпитаксиального наращивания или эпитаксия (ориентированое наращивание слоев вещества с воспроизведением кристаллической структуры подложки). Поступающие извне атомы осаждаемого вещества должны обладать достаточной энергией и способностью мигрировать по поверхности подложки, чтобы формирование кристаллической решетки происходило равномерно и без дефектов по всей поверхности. С повышением температуры миграция атомов увеличивается. При её низких значениях растущии слои получаются поликристаллическими.

В процессе роста эпитаксиальных слоев их легируют введением донорной или акцепторной примеси, что позволяет соответственной создавать слои электропроводность n- или p- типа.

Если наращиваемые слои по химическому составу неотличаются или незначительно отличаются от вещества подложек, а в результате получают гомогенные p-n переходы, такой процесс называют гомо- или автоэпитаксией.

Ориентированное наращивание эпитаксиальных слоев, существенно отличающихся по химическому составу от вещества подложек и не вступающих с ним в химическое взаимодействие, именуют гетероэпитаксией. При этом образуют гетерогенные (неоднородные) p-n переходы. Примером может служить эпитаксиальное наращивание слоев арсенида галия на монокристаллическую подложку из кремния.

Ориентированое наращивание эпитаксиальных слоев, сопровождающееся их химическим взаимодействием с веществом подложек, носит название хемоэпитаксия. Возникающий промежуточный слой отличается по химическому составу как от вещества подложек, так и от осаждаемого вещества. Наиболее часто эпитаксиальные слои осаждаются из газовой фазы (газофазная эпитаксия) или кристаллизацией из жидкой фазы (жидкофазная эпитаксия).