Сборка и защита гибридных имс и бис
Классификация технологических процессов изготовления плат гибридных ИМС и БИС
Главные этапы технологических процессов производства:
-отбор масок или фотошаблонов
-подготовка оборудования, оснастки и материалов для нанесения пленок
-приготовление партии подложек к нанесению пленок
-нанесение пленок на подложки
-формирование пленочных элементов и структур
-подгонка параметров пленочных элементов до заданных значений
-нанесение защитных покрытий на подложки с пленочными элеметами
Гибридные ИМС и БИС требуется защищать не только от физических воздействий (корпусами), но и для обеспичения стабильности параметров элементов толстопленочной схемы. Для этого применяются защитные покрытия (чаще из стеклоэмали и органических композиций; особенно необходимы для толстопленочных схем на основе неблагородного металла).
Билет №22
Назначение и виды контроля
Контроль процесса производства МЭИ основывается на выборочном метод, при котором о характеристиках партии изделий судят по отобраной (выборочной) совокупности.
Выборку проводят по одному из вариантов:
-при повторном методе выборки однажды отобраное изделие может быть отобрано во второй и в третий раз
-бесповторный метод гарантирует, что не одно изделие дважды не попадет на выборку
-периодический предусматривает выборку не сразу, а по частям в течении заданого времени
-при дескретном (групповом) методе, в отличии от периодического, вся выборка берется в одно время
-при случайном выборка идет из всей генеральной совокупности безотносительно к источнику
-метод называется расслоенным, если в выборке имеется разное представительстельство от каждого источника
Сборка и защита полупроводниковых имс и бис
В производстве п/п ИМС можно выделить следующие этапы:
-изготовление и подготовка фотошаблонов
-подготовка оборудования, материалов
-изготовление партии п/п подложек
-механическая и химическая обработка поверзности п/п подложек
-формирование в подложках автивных и пассивных элементов
-создание контактных площадок и электрических соединений между элементами
-нанесение защитного покрытия
-сборк и герметизаций
Типовой технологический процесс должен обеспечить надежную изоляцию элементов длруг от друга и соединение их в соответствии с заданой электрической схемой.
Билет №23
Контроль полупроводниковых имс
В технологическом процессе производства ИМС неотъемлимой частью являются входной, пооперационный и выходной контроль, а также измерение параметров и испытания ИМС.
Методы пооперационного контроля после технологических процессов эпитаксии, диффузии и других те же, что и в производстве дискретных приборов.Сюда входят измерения толщин пленок, глубин p-n - переходов, поверхностной концентрации и др., производимые на специальных контрольных образцах, помещаемых вместе с обрабатываемыми пластинами на данную операцию.
Испытания ИМС (тестовый контроль).
Наличие в интегральных микросхемах большого количества конструктивных элементов– по несколько сотен и тысяч пересечений проводников, переходов со слоя на слой, областей и выводов активных и пассивных компонентов, контактных площадок и др. практически исключает 100%-ный контроль всех элементов по электрическим параметрам из-за высокой трудоемкости этой операции. В это же время необходимость такого контроля, особенно на этапе отработки и совершенствования технологии, очевидна. Для контроля электрических характеристик структур и качества проведения технологических операций используют специально изготовляемые или размещаемые на рабочей подложке структуры, называемые тестовыми микросхемами. Основной принцип их построения состоит в том, что тестовая микросхема по отношению к реальной должна быть изготовлена по тому же технологическому маршруту, содержать все конструктивные элементы в различных сочетаниях и обеспечивать удобство их контроля во время испытаний и оценку качества технологического процесса. Удобство контроля достигается либо последовательным, либо параллельным включением в электрическую цепь элементов микросхемы. Тестовые микросхемы состоят из набора нескольких сотен однотипных элементов–диодов, транзисторов резисторов, переходов со слоя на слой, пересечений проводников и др. с контактными площадками и такой коммутацией, которая позволяет при надобности изменить каждый элемент схемы отдельно или проконтролировать сразу группу элементов.