2. Особенности, этапы и классификация процессов изготовления полупроводниковых имс

Технология изготовления полупроводниковых ИМС имеет ряд особенностей.

Первой особенностью являеться так называемый интегрально-групповой метод производства, когда МЭИ получают не после сборки из элементов, а как интегральный результат обработки заданных участков объема или поверхности полупроводниковой подложки для придания им свойств в соответствии с электрической схемой. Каждый элемент и микросхема в целом формируется одновременно. За один технологический цикл создается не одна ИМС, а большое количество (до нескольких десятков тысяч), и технологической обработке подвергается не одна, а партия подложек. Все это позволяет не только повысить качество и процент выхода годных ИМС, но и снизить их стоимость. Например, если технологический процесс изготовления ИМС включает в себя 30-40 основных операции, то для суммарного выхода годных 30% необходимо, чтобы после каждой операции брак не превышал 3-5%. Такой уровень технологии может быть достигнут только при интегрально-групповом методе производства, когда все элементы максимального числа ИМС делают в одинаковых условиях.

Вторая особенность состоит в том, что все активные и пассивные элементы формируются на базе однотипной структуры (биполярной или МДП), но каждый из них создается присоединением соответствующих n- и p- областей. Иными словами, на основе p-n переходов можно создавать и транзисторы, и диоды, и конденсаторы, и резисторы.

Третья особенность связана с организацией и реализацией всего технологического цикла на одном предприятии-изготовителе. Например одни предприятия делают только кристалы, адругие осуществляют сборку МЭИ. Достоинство такого метода в минимальнойтранспортировке изделий между операциями, сокращении длительности технологического цикла, более высоком качестве изделий.

Четвертая особенность заключается в использовании типовых технологических процессов при изготовлении ИМС, отличающихся по конструкции и функциональному назначению. Именно такие процессы позволяют создавать множество разноообразных ИМС примерно одногокачества и надежности на единой конструктивно-технологической основе. Здесь проявляется и значительный экономический эффект интегрально-групповых методов изготовления полупроводниковых ИМС.

Пятой особенностью служит дальнейшая интеграция (объединение) технологических процессов. При этом в пределах одного производственного участка на одной технологической установке осуществляется несколько операций.

В производстве полупроводниковых ИМС можно выделить следующие этапы:

-изготовление и подготовка необходимого комплекта фотошаблонов;

-подготовка оборудования, оснастки, материалов, реактивов;

-изготовление партии полупроводниковых подложек;

-механическая и химическая обработка поверхности полупроводниковых подложек;

-формирование в подложках активных и пасивных элементов;

-создание контактных плозадок и электрических соединений между элементами (коммутация);

-нанесение защитного покрытия;

-сборка и герметизация;

При классификации технологических процессов изготовления полупроводниковых ИМС учитывают не только способ подготовки транзисторной структуры, но и метод изоляции элементов.

ИРИН

БИЛЕТ

!!!!!!!!!

19 билет