- •Конспект лекций по дисциплине
- •Тема 2: Проектирование полупроводниковых ис на биполярных транзисторах Конструкции биполярных транзисторов
- •Многоэмиттерный транзистор
- •Многоколлекторный транзистор
- •Транзисторы типа p-n-p
- •Составные транзисторы
- •Торцевые транзисторы
- •Транзисторы с повышенным пробивным напряжением
- •Транзисторы для быстродействующих и сверхбыстродействующих цифровых ис
- •Интегральные диоды
- •Интегральные резисторы
- •Интегральные конденсаторы
- •Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга
- •Функционально-интегрированные элементы бис
- •Контакты к кремнию
- •Коммутационные проводники
- •Контактные площадки и внешние выводы микросхем
- •Вспомогательные элементы интегральных схем
- •Тема 3: Проектирование п/п имс на мдп транзисторах. Конструкции мдп -транзисторов.
- •Вспомогательные элементы мдп микросхем.
- •Конструкции кмдп бис.
- •Тема 4: Проектирование п/п биполярно- полевых имс.
- •Конструктивные варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле.
- •Функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры.
- •Биполярно-полевые структуры с мдп транзисторами.
- •Мдп элементы полупроводниковых пзу.
- •Тема 5. Проектирование гибридных (гис) и больших гибридных имс и микросборок.
- •Подложки.
- •Конструкции пленочных резисторов.
- •Резисторы сложной формы.
- •Конструкции подгоняемых резисторов.
- •Тонкопленочные конденсаторы.
- •Материалы, используемые в конструкции конденсаторов
- •Конструкции подгоняемых конденсаторов
- •Конструкции пленочных индуктивностей
- •Распределенные lc- структуры
- •Навесные компоненты гис
- •Конструкции элементов коммутации
- •Тема 7: Общие вопросы конструирования п/п и гибридных имс. Конструктивные меры защиты интегральных схем от воздействия дестабилизирующих факторов.
- •Конструктивные меры улучшения теплового режима микросхем.
Распределенные lc- структуры
Функциональное объединение пленочной индуктивности и плоского конденсатора приводит к созданию пленочной LC-структуры, которая может используется в качестве резонансных элементов, линий задержки и т.п. В таких структурах плоская проводящая спираль играет роль одной из обкладок конденсатора.
На частотах ниже 200 МГц такие структуры могут заменять полосковые линии, а на более высоких частотах (до 16ГГц) конкурируют с ними.
В простейшем случае LC-структуры представляют собой индуктивность в виде круглой, квадратной или меандровой формы катушки, которая располагается на диэлектрическом основании, с обратной стороны которого нанесен немагнитный металлический экран. Экран может быть сплошным или содержать разрезы. В последнем случае имеется возможность изменять индуктивность LC-структуры при заданных габаритах и размерах. Такие разрезы устраняют вихревые токи на больших частотах. Экраны чаще всего применяются следующих видов:
Такая структура обладает определенной индуктивной емкостью, коэффициентом потерь и добротностью. Она может быть выполнена на полиамидной пленке или подложке, а затем приклеена на подложку микросхем.
Р
езонансные
LC-структуры отличаются
от индуктивных наличием еще одного
экрана, разрезанного с целью предотвращения
вихревых токов. Такой экран незначительно
уменьшает индуктивность LC-элементов,
но позволяет несколько увеличивать и
изменять распределенную емкость. При
добавлении экрана собственная резонансная
частота LC контура
понижается. Резонансный элемент с
дополнительным экраном является
трехполюсником, и в зависимости от
способа включения имеет различные
частотные характеристики. Кроме этого,
LC-структуры с дополнительным
экраном позволяют осуществить развязку
по постоянному току без дополнительных
развязывающих конденсаторов. Такая
структура может иметь следующий вид:
Изготовление LC-элементов возможно на основе технологий: двухсторонних печатных плат, двухсторонних фольгированных диэлектрических пленок и многоуровневых тонкопленочных структур (металл-диэлектрик-металл). Технология двусторонних печатных плат позволяет создавать функциональные устройства, работающее в диапазоне от десятков до сотен МГц.
Для более высоких частот целесообразно использовать фольгированные гибкие диэлектрические пленки. Обычно эти пленки имеют медную фольгу толщиной 35-40 мкм, которая стравливается до 5-7 мкм. Это необходимо для повышения разрешающей способности операций фотолитографии при производстве пленочных элементов.
Кроме этого, свойства гибких диэлектриков можно изменять созданием композиционных материалов, содержащих в полиамидной основе модифицирующие добавки.
Навесные компоненты гис
В ГИС и микросборках применяются навесные компоненты в случаях, когда данный элемент не может быть реализован по тонкопленочной технологии или массогабаритные характеристики тонкопленочных элементов уступают соответствующим характеристикам навесных элементов.
Навесные компоненты могут быть в бескорпусном и корпусном исполнении. Корпусные изделия используются только в микросборках, а в ГИС, как исключение. Чаще всего навесными компонентами в ГИС являются полупроводниковые микросхемы и БИС, диодные и транзисторные матрицы, отдельные диоды и транзисторы, миниатюрные конденсаторы и резисторы, трансформаторы и др.
Особенно выгодным является применение навесных конденсаторов и резисторов большого номинала. Они увеличивают высоту подложки в сборе, но позволяют значительно экономить площадь подложки. При решении вопроса о применении тонкопленочного или навесного конденсатора или резистора необходимо произвести расчет площади, занимаемой тонкопленочным вариантом элемента, а затем сравнить с площадью, занимаемой миниатюрным бескорпусным элементом того же номинала. Необходимо учитывать площадь контактных площадок под навесные элементы, которые должны быть увеличенного размера с целью проведенных монтажных операций пайкой или сваркой.
Выбор компонентов для конкретной ГИС производится исходя из схемотехнических, конструкторско-технологических требований, требований надежности, массогабаритных характеристик устройства, условий эксплуатации, сроков освоения, стоимости и т.д.
Поскольку надежность функционирования компонентов определена режимами их работы в схеме, следует учитывать зависимости электрических параметров от условий работы, значений токов, напряжений и мощности.
Выводы бескорпусных элементов могут быть гибкими, балочными, шариковыми, столбиковыми и торцевыми.
Недостатком элементов с гибкими и в некоторых случаях с торцевыми выводами является трудоемкость автоматизации процессов монтажа, т.к. требуются ручные операции пайки или сварки.
Применение компонентов с шариковыми и столбиковыми выводами позволяют автоматизировать процесс сборки, но затрудняет контроль качества сборки.
Элементы с балочными и торцевыми выводами дороги, но позволяют автоматизировать сборку, контролировать качество, увеличить плотность монтажа.
Способ монтажа компонентов на плату должен обеспечить сохранность формы, параметров и свойств, отвод тепла, стойкость микросхемы к термоциклированию, ударам и вибрации. Применяются следующие способы крепления элементов с различными типами выводов:
Для крепления к подложке компонентов используются стекла с температурной обработкой 450-500 ºС, термостойкие клеи на неорганической основе, ситаллы и клеи на основе компаундов. Они не должны разрушать защитные покрытия бескорпусных элементов. Жидкое стекло наносится в виде капли, а затем производится нагрев печи или установке пайки. Температурное отвердения клеевого соединения на основе эпоксидной смолы 60-110 ºС. Рекомендуется применять эпоксидный клей ВК-9.
Крепление приборов может также осуществляться с помощью припоя или эвтектическим сплавом. В этом случае место крепления компонентов на подложке нужно металлизировать. Крепление компонентов с шариковыми или столбиковыми выводами производится в защищенной атмосфере аргона, азота или гелия с применением припоя.
Соединение выводов компонентов с контактными площадками производится термокомпрессией, сдвоенным электродом, ультразвуком и пайкой низкотемпературным припоем. Остатки флюса в месте пайки должны обладать изоляционными свойствами и не вызывать коррозии.
Резисторы и конденсаторы с торцевыми выводами присоединяются либо пайкой, либо с помощью контактола К13-А.
Промышленностью выпускаются серии миниатюрных резисторов для ГИС: С2-12, С3-2, С3-3, СТ3-28, СТ3-32, С303 и др.
Миниатюрные конденсаторы типов: К10-9, К10-17В, К53-16, К53-15 и др.
Выпускается также широкая номенклатура бескорпусных полевых и биполярных транзисторов, диодов, диодных и транзисторных сборок, в том числе бескорпусные свето- и фотодиоды.
Выпускаются также бескорпусные цифровые и аналоговые интегральные схемы, обозначения которых начинаются с 7 (например: 740УД8- бескорпусный аналог операционного усилителя 140УД8).
