49. Полевые транзисторы с изолированным затвором

Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоемдиэлектрика.В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой, созданы две сильнолегированныеобласти с противоположным относительно подложки типом проводимости. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Расстояние между сильно легированными областями истока и стока может быть меньше микрона. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) диэлектрика. Так как исходным полупроводником для полевых транзисторов обычно является кремний, то в качестве диэлектрика используется слой двуокиси кремния SiO₂, выращенный на поверхности кристалла кремния путём высокотемпературного окисления. На слой диэлектрика нанесён металлический электрод — затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП-транзисторами.Входное сопротивление МДП-транзисторов может достигать 10¹⁰…10¹⁴ Ом (у полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом 10⁷…10⁹), что является преимуществом при построении высокоточных устройств.Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом.В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (рис. 2, а) проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением (U_ЗИпор).В МДП-транзисторах со встроенным каналом (рис. 2, б) у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой — канал, который соединяет исток со стоком.Изображённые на рис. 2 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с электропроводностью n-типа. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность p-типа. Если же аналогичные транзисторы созданы на подложке с электропроводностью p-типа, то канал у них будет иметь электропроводность n-типа.

50. Классификация и системы условных обозначений биполярных и полевых транзисторов

Система условных обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:Г или 1 - для германия или его соединений;К или 2 - для кремния или его соединений;А или 3 - для соединений галлия;И или 4 - для соединений индия.Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.Т - для биполярных транзисторов;П - для полевых.

Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора.Транзисторы малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;Транзисторы средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГцТранзисторы большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения:1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;