71 Входное сопротивление транзистора найдем как отношение действую­щих в схеме входных напряжений и токов, а затем разделим числитель и знаменатель на Iб

h_11к = [(I_к + I_б) R₀ + U_бэ] / I_б = (h_21э+1)  R₀ + h_11э.

72 Входное сопротивление транзистора найдем как отношение действую­щих в схеме входных напряжений и токов, а затем разделим числитель и знаменатель на Iб

h_11б = (I_бR_дел+ U_бэ) / (I_к+ I_б) = (R_дел+ h_11э) / (h_21э+ 1)

79 80

R_вхб = R_э  h_11б / (R_э + h_11б)

R_выхб = R_к

R_вхэ = R_дел  h_11э / (R_дел + h_11э)

R_выхэ = R_к

73 74 75

Kэ = U₂ / U₁ = I₂  R₀ / (I₁ h_11э) = h_21э I₁ R₀ / (I₁ h_11э) = S  R₀.

В этом выражении S = h_21э / h_11э= Y_21э - крутизна транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

K_б = S_бR₀ = (h_21б / h_11б)R₀ = h_21э R₀ / (R_дел+ h_11э),

K_к = S_кR₀ = (h_21к / h_11к)R₀ = 1 / {1 + h_11э / [(h_21э + 1)  R₀]}

76 77 78

K_тэ = [R_дел / (R_дел + h_11э)]  h_21э  [R_к / (R_к + R_н)]

К_тк = [R_дел / (R_дел + h_11к)]  (1 + h_21к)  [R_э / (R_э + R_н)],

К_тб = [R_э / (R_э + h_11б)]  h_21б  [R_к / (R_к + R_н)]

83.Схема Дарлингтона реализуется за счет последовательного соединения двух и более транзисторов.

h_21кд = h_21д + 1; h_11кд = (h_21д+ 1)  R₀ + h_11д,K_кд = 1 / {1 + h_11кд / [(h_21кд + 1)  R₀]},

К_ткд = [R_дел / (R_дел + h_11кд)]  (1 + h_21кд)  [R_э / (R_э + R_н)],

R_вхкд = R_дел  h_11кд / (R_дел + h_11кд).

h_11бд = [R_дел · R_c / (R_дел + R_c) + h_11д] / (h_21д+ 1).

R_выхкд = R_э  h_11бд / (R_э + h_11бд).

видно, что при включении схемы Дарлингтона с ОК реализуются большие значенияRвх, соизмеримые со Rвх ПТ с ОИ

81

^{Rвх = Rдел  h11к / (Rдел + h11к).}

^{Rвыхк = Rэ  h11б / (Rэ + h11б).}

82. В каскодной схеме vt2 включен по схеме с оэ, а vt1 - с об

I_э1 = I_к1 + I_б1= I_к2. h_21кс = I_к1 / I_б2 = [I_к1 / (I_к1 + I_б1)](I_к2 / I_б2).h_21кс = h_21э1 h_21э2 / (h_21э1 + 1),

h_11кс = U_бэ2 / I_б2 = h_11э2,R_дел = R_б2  R_б3 / (R_б2 + R_б3).

Коэффициент усиления каскодной схемы по напряжению

K = h_21кс  R₀ / h_11кс = h_21э1 h_21э2  R₀ / [(h_21э1 + 1)  h_11э2].по току

K_т = [h_21э1 h_21э2 / (h_21э1 + 1)]  [R_дел / (R_дел + h_11э)]  [R_к /(R_к + R_н)].

R_вх = R_дел  h_11э / (R_дел + h_11э).

R_вых = R_к.

Из-за того, что первый транзистор нагружен на малое Rвх транзистора с ОБ, он имеет усиление, близкое к 1 и, поэтому не склонен к самовозбуждению. Каскад же с ОБ имеет малую проходную С, что способствует высокой устойчивости к самовозбуждению.

84 K_0д = (h_21д / h_11д)  R₀,

K_тэд = [R_дел / (R_дел + h_11д)]  h_21д  [R_к / (R_к + R_н)].

R_вхэд = R_дел  h_11д / (R_дел + h_11д).

R_выхэд = R_к.

Если схема Дарлингтона включена с ОЭ, то она позволяет улучшить частотные характеристики второго транзистора и повысить Rвх каскада.

85.86.87.88 для низких K_{e норм нч} =  K_{e норм нч}  = 1 / 1 + 1 / (  _н)²,

Для высоких _в >> 1 / ( _н), тогда

K_{e норм вч} = 1 / [1 + (j    _в)].

ФХ для низких

K_{e норм вч} =  K_{e норм вч}  = 1 / 1 + (  _в)²;

 _вч = arc tg(   _в).

для резисторного каскада на низких частотах.

 _нч = arc tg(1 / (  _н)).