15. Усилители мощности. Однотактные и двухтактные усилители. Схемы включения.

В двухтактном усилителе положительная полуволна усиливается одним транзистором, отрицательная – другим. В однотактном и положительная и отрицательная полуволны усиливаются одним транзистором.

Однотактный усилитель малой мощности.

Р ежим работы по постоянному току выбирается таким образом, чтобы потэнциал точки А при отсутствии входного сигнала был равен 0, для исключения протекания постоянного тока через динамик. На небольшую мощность-класс А. Источник тока позволяет ограничить рассеиваемую мощность по сравнению с резистором коллекторной цепи VT1 и ВТО же время обеспечить большой ток базы VT2.

Двухтактный усилитель мощности (класса В).

К огда положительная полуволна на входе достигает напряжения для отпирания VT1 (0,6 В), последний открывается, ток от источника питания через транзистор протекает в нагрузку, выделяя на ней напряжение практически идентичное входному, VT2 при этом заперт.

При отрицательной полуволне отпирается VT2, VT1 закрыт отрицательным потенциалом.

При входном напряжении < 0,6В оба транзистора закрыты и напряжение на нагрузке отутствует.

Диоды находятся вблизи транзисторов и имеют с ними непосредственный тепловой контакт.

При использовании переменных резисторов, можно устанавливать положение рабочей точки исходя из требуемой экономичности и величины нелинейных искажений.

Недостаток: трудность согласованности температурных коэф-ов терморезисторов и транзисторов. Для поддержания одинаковой темп. терморезисторов, диодов и транзисторов их располагают на охладителях, в непосредственнной близости от корпусов транзисторов. С целью уменьшения влияния различия в пар-ах п-н-п и н-п-н транзистор в эммиторной цепи вводятся резисторы, создающие послед. ООС по току постоянному.

16. Составные транзисторы: схемы Дарлингтона и Шиклаи. Применение.

Составной транзистор Дарлингтона.

П араметры транзистора:

1. h₂₁’ = (h_21-1 + 1)* h_21-2 ≥ h_21-1* h_21-2;

2. U_бэ’ = U_бэ-1 + U_бэ-2 ≈ 1.2В;

3. U_{кэ нас}’ = U_{кэ нас-1} + U_{кэ нас-2} ≥ 0.1 + 0.6 = 0.7В.

Достоинства: высокий Ki.

Недостатки: большое напряжение насыщения, невысокое быстродействие, необходимость большого управляющего напряжения.

R_б’ предотвращает открывание составного транзистора при повышении температуры кристалла из – за высокого h₂₁ (отводит часть тока от VT2).

Составной транзистор Шиклаи.

П араметры транзистора:

1. h₂₁” ≈ h_21-3* h_21-4;

2. U_бэ” = U_бэ-3 = 0.6В;

3. U_{кэ нас}” = U_{кэ нас-3} + U_{кэ нас-4} ≥ 0.1 + 0.6 = 0.7В.

Транзистор Шиклаи обладает практически теми же свойствами что и транзистор Дарлингтона и может дополнять его в двухтактной схеме при этом выходной транзистор будет физически структуры n-p-n но выполнять роль p-n-p, что позволяет существенно увеличить Ki.

В усилителях мощности с целью выравнивания входных полуволн подаваемых на n-p-n и p-n-p транзисторы, транзистор Шиклаи может дополняться мощным высокочастотным диодом в эмиттерной цепи.

Транзисторы Дарлингтона Выпускаются как готовые изделия.

Сочетание транзисторов Дарлингтона и Шиклаи позволяют создать двухтактнтактные усилители с выходными транзисторами одной структуры: (р-н-р). Предвыходные транзисторы подобрать легче.