
- •3.1. Резисторы
- •3.2. Конденсаторы
- •3.3. Катушки индуктивности
- •3. 4. Диоды
- •3.4.1. Полупроводниковые диоды
- •3.4.2. Типы полупроводниковых диодовв
- •3.4.2.1. Выпрямительные диоды
- •3.4.2.2. Импульсные диоды
- •3.4.2.3. Сверхвысокочастотные диоды
- •3.4.2.5. Варикапы
- •3.4.2.6.Туннельные диоды
- •3.4.2.7. Излучающие диоды
- •3.4.2.8. Фотодиоды
- •4. Транзисторы
- •4.1. Биполярные транзисторы
- •4.2. Режимы работы биполярных транзисторов
- •4.3. Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.1.3. Основные параметры и характеристики
- •4.2. Полевые транзисторы
- •4.2.1. Типы и работа полевых транзисторов
- •4.2.2. Основные параметры полевого транзистора
- •10.1. Вторичные источники электропитания
- •10.2. Источники стабилизированного питания
- •10.2.1. Параметрические стабилизаторы
- •10.3. Транзисторные стабилизаторы напряжения
- •10.3.1. Простой последовательный стабилизатор
- •11.1. Транзисторный усилитель с общим эмиттером
- •12. Обратные связи в активных четырёхполюсниках
- •13. Генераторы колебаний
- •14. Логические и цифровые устройства
- •15. Интегральная микросхемотехника
- •15.1. Интегральные логические микросхемы
- •7. Операционные усилители.
- •8. Характеристики операционных усилителей
- •9.1. Низкочастотные генераторы сигналов
- •9.2 Суммирование напряжений
- •9.3. Повторитель напряжения
- •Неинвертирующий усилитель
- •9. 6. Операционный усилитель в режиме компаратора
- •9.7. Логарифмический усилитель
- •Экспоненциальный усилитель
- •Следовательно коэффициент амплитуды
3.4.2. Типы полупроводниковых диодовв
Классификация диодов проводится по нескольким признакам.
по площади перехода: плоскостные и точечные;
по материалу: германиевые, кремниевые и арсенид-галлиевые;
по назначению: выпрямительные, импульсные, сверхвысокочастотные; стабилитроны (стабисторы); варикапы и т.п.;
по принципу действия: лавинно-пролётные, туннельные, диоды Шоттки, излучающие (светодиоды), фотодиоды и диоды Ганна.
Обозначение типа и конкретной разновидности диода делается на корпусе диода в соответствие с российским отраслевым стандартом [25]. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Код состоит из пяти основных элементов и дополнительных элементов, обозначающих модификации конструктивного исполнения или изменения параметров.
Первый элемент кода обозначает материал, из которого изготовлен прибор.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы:
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (например, для арсенида галлия);
И или 4 — для соединений индия (например, для фосфида индия).
Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс или группу) приборов. Для обозначения подклассов используется одна из следующих букв:
Д — диоды выпрямительные и импульсные;
Ц — выпрямительных столбы и блоки;
В — варикапы;
И — туннельные диоды;
А — сверхвысокочастотные диоды;
С — стабилитроны;
Г — генераторы шума;
Д — излучающие оптоэлектронные приборы;
О — оптопары.
Третий элемент обозначения — цифра, определяющая основные функциональные и эксплуатационные возможности приборов.
Диоды (подкласс Д)
1 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока более 0,3 А, но не выше 10 А;
Стабилитроны (подкласс С)
1 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10В;
2 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 … 100В.
Приборы визуального представления информации
3 — для светоизлучающих диодов;
4 — для знаковых индикаторов.
Четвёртый элемент — двух или трёхзначное число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа.
Пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии9.
3.4.2.1. Выпрямительные диоды
В качестве материала для изготовления выпрямительных диодов применяют преимущественно германий и кремний. Значение прямого напряжения Uпр открытого диода для германиевых диодов не превышает 0,5 В. Для кремниевых диодов эта величина не более 1,5 В.
Пример обозначения кремниевого выпрямительного диода: Д226.
3.4.2.2. Импульсные диоды
Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов. При работе импульсных диодов используются прямая и обратная ветви вольтамперной характеристики. Длительность переходных процессов в диоде определяется временем перезаряда емкостей CДИФ и С ЗАР.
В импульсных устройствах находят также применение диоды Шоттки.
Пример обозначения кремниевого импульсного диода: 2Д522Б.