Почему волна в нелинейном кристалле распространяется под определенным углом к его оптической оси для генерации оптических гармоник?
Как работает ячейка Поккельса?
Эффект Поккельса (электрооптический Эффект Поккельса) — это явление возникновения двойного лучепреломления в оптических средах при наложении постоянного или переменного электрического поля. Эффект Поккельса может наблюдаться только в кристаллах, не обладающих центром симметрии: в силу линейности при изменении направления поля эффект должен менять знак, что невозможно в центрально-симметричных телах. Эффект хорошо заметен на кристаллах ниобата лития или арсенида галлия.
Эффект Поккельса, как и эффект Керра, практически безынерционен (быстродействие порядка 10-10с). Благодаря этому он находит активное применение в создании оптических модуляторов. Соответствующий элемент называется ячейкой Поккельса и представляет собой кристалл, помещенный между двумя скрещенными николями. Николи не пропускают свет в отсутствие электрического поля, а при наложении поля пропускание появляется. Внешнее поле может быть перпендикулярно (поперечный модулятор) или параллельно (продольный модулятор) распространению света.
Как можно увеличить усиление в лазере?
L – длина активной среды;
g – показатель усиления, зависящий в свою очередь от энергии накачки;
Коэффициент усиления возрастает пропорционально энергии накачки и длине активной среды.
Коэффициент усиления стремится к постоянной величине при стационарном режиме генерации.
От чего зависит кпд лазеров? Почему кпд лазера на углекислом газе выше, чем у гелий-неонового лазера?
К
ПД
-
эффективность накачки
-
фотон, который излучает атом (характеристика
излучения)
-
энергия накачки
Чем выше рабочие уровни, тем меньше квантовый выход и меньше КПД.
Малый КПД неон-гелиевых лазеров связан, с одной стороны, с большим расстоянием между нижним лазерным уровнем и основным состоянием (квантовый предел для перехода 3s2 – 2p4 составляет 8 %), с другой стороны, относительной сложностью механизма создания инверсии, из-за чего для возбуждения верхнего рабочего уровня
приходится использовать лишь небольшую часть энергии накачки.
Лазер на CO2 является молекулярным лазером, молекулярные спектры в отличие от атомарных более сложные, т.к. помимо движения электронов вокруг атомов также происходит колебания атомов друг относительно друга. С этими видами движений связаны отрицательные уровни энергии. Поэтому в молекулярных спектрах больше переходов, пригодных для генерации
От чего зависит длина волны излучения полупроводникового лазера?
Длина волны излучения лазерного диода зависит от ширины запрещённой зоны между энергетическими уровнями p- и n-областей полупроводника. Поскольку на зонную структуру влияют многие факторы — наличие примесей, давление, температура, внешние электромагнитные поля и т.д., длину волны излучения полупроводниковых лазеров можно менять в широких пределах.
Почему можно не использовать зеркала в полупроводниковых лазерах?
Потому что в роли резонатора выступают грани полупроводникового кристалла
(хз что тут ещё добавить)
